表面处理方法和表面处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及表面处理方法和表面处理装置。一种表面处理方法包括：在固体电解质膜的第一表面被直接设置在基板的表面上，并且设置有通孔的掩蔽板的第一表面被直接设置在所述固体电解质膜的第二表面上的状态下，通过经由所述通孔将溶剂从所述掩蔽板的第二表面供给到所述固体电解质膜来粗化所述基板的与所述通孔对应的表面区域，其中，所供给的溶剂渗透过所述固体电解质膜，并且溶解所述基板的所述表面。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及用于部分地粗化基板的表面的表面处理方法和表面处理装置。
技术介绍
传统上，当在基板等的表面上形成金属膜时，通常在基板的表面上执行预处理，以便改善金属膜的附着性。例如，在公开号为2001-073174的日本专利申请(JP2001-073174A)中，在掩蔽除了膜形成区域之外的基板的表面之后，在膜形成区域中执行碱脱脂。之后，在执行了碱脱脂的表面上喷射高压水流，从而去除基板的氧化膜(钝化膜)。通过JP2001-073174A中描述的技术，在膜形成区域的表面上形成的氧化膜通过高压水流被物理地去除，由此可以在膜形成区域中形成具有高附着力的金属膜。作为另一技术，公开号为2014-114474的日本专利申请(JP2014-114474A)提出一种表面处理方法，其中，包含溶剂的固体电解质膜被设置在用作正电极的基板与负电极之间，使该固体电解质膜与基板的金属表面接触，并且在基板与负电极之间施加电压。由此，基板的金属表面中的金属被电离为金属离子，从而蚀刻基板的金属表面。然而，当JP2001-073174A和JP2014-114474A等中的表面处理技术被用于部分地粗化基板时，需要掩蔽除了待处理的表面区域之外的每个基板。而且，在粗化之后，需要去除用于掩蔽基板的表面的材料。此外，通过JP2001-073174A中描述的表面处理技术，在基板上喷射高压水流，这样做可能在尝试进一步粗化基板的表面时使掩蔽材料剥落。<br>
技术实现思路
本专利技术鉴于该情势做出，并提供一种表面处理方法和表面处理装置，使得可以通过使用溶解基板的表面的溶剂，容易地部分粗化基板的表面的所希望的表面区域。根据本专利技术的第一方面的表面处理方法包括在固体电解质膜的第一表面被直接设置在基板的表面上，并且设置有通孔的掩蔽板的第一表面被直接设置在所述固体电解质膜的第二表面上的状态下，通过经由所述通孔将溶剂从所述掩蔽板的第二表面供给到所述固体电解质膜来粗化所述基板的与所述通孔对应的表面区域。所供给的溶剂渗透过所述固体电解质膜，并且溶解所述基板的所述表面。通过根据本专利技术的第一方面的表面处理方法，当经由通孔将溶剂从掩蔽板的位于另一侧的表面供给到固体电解质膜时，溶剂渗透过固体电解质膜的与通孔的形状对应的部分。溶剂渗透过的固体电解质膜的部分与基板的表面接触。因此，在基板的表面中，与掩蔽板的通孔的形状对应的表面区域的材料与溶剂反应，从而被溶剂(具体地，氢离子、氢氧离子、络合剂或其它氧化剂)溶解。由此，容易地粗化基板的所述表面区域。在根据本专利技术的第一方面的表面处理方法中，不直接掩蔽基板，可以通过使用溶剂来粗化基板的表面中的所希望的表面区域。由于通过固体电解质膜粗化基板的表面区域，因此可以阻止过多的溶剂附着到基板的表面上。本专利技术的各方面中描述的“基板”可以是任何基板，只要该基板具有这样的表面即可：该表面可以在溶剂溶解要被部分地粗化的表面(的材料)时被粗化。基板也可以是本身被溶解的基板，或者是具有被溶剂溶解的表面层的基板。在第一方面中，所述基板的表面可以由金属制成，并且所述粗化可以包括在导电部件被设置在所述掩蔽板的所述第二表面上的状态下，在用作正电极的所述基板与用作负电极的所述导电部件之间施加电压。在上述方面中，所述溶剂可以被从液体供给部的液体容纳腔供给，并且所述导电部件可以通过所述液体容纳腔被设置在所述掩蔽板的所述第二表面上。根据上述方面，在经由通孔将溶剂从掩蔽板的位于另一侧的表面供给到固体电解质膜的状态下，在用作负电极的导电部件与用作正电极的基板之间施加电压。在基板的表面(金属表面)中，与掩蔽板的通孔的形状对应的表面区域的金属通过电解发生电离。由此，促进上述氧化-还原反应，从而可以快速、容易地部分粗化基板的表面中与通孔的形状对应的表面区域。特别地，通过调整在基板与导电部件之间施加电压时的施加时间、基板的温度、溶剂的温度、施加的电压等，可以仅将基板的所述表面区域粗化为具有所希望的表面粗糙度。作为本专利技术的第二方面，结合上述表面处理方法公开了一种用于形成金属膜的方法。根据本专利技术的第二方面的一种用于形成金属膜的方法包括：通过根据本专利技术的第一方面的表面处理方法粗化所述基板的表面区域；在所述粗化之后，通过经由所述通孔将包含所述金属膜的金属离子的金属溶液供给到所述固体电解质膜来允许所述金属离子渗透过所述固体电解质膜；以及通过在用作负电极的所述基板与用作正电极的所述导电部件之间施加电压，在粗化的表面区域上沉积所述金属溶液的所述金属离子，从而在所述表面区域上形成金属膜。根据第二方面，在表面处理之后，溶剂变为金属溶液，极性在导电部件与基板之间反转，并且在导电部件与基板之间施加电压。如此便可在基板的表面区域上容易地形成金属膜。由于金属膜在基板的粗化的表面区域上形成，因此可以在基板上部分地形成具有高附着力的金属膜。在本说明书中，作为本专利技术的第三方面，还公开了能够针对基板适当地执行表面处理的表面处理装置。根据本专利技术的第三方面的表面处理装置包括：固体电解质膜，其具有第一表面和第二表面，并且允许所述溶剂渗透过所述固体电解质膜，所述固体电解质膜的所述第一表面将与所述基板的表面直接接触；掩蔽板，其具有第一表面、第二表面以及与所述基板的将被粗化的表面区域对应的通孔，所述掩蔽板的所述第一表面被直接设置在所述固体电解质膜的所述第二表面上；以及液体供给部，其被配置为经由所述通孔将所述溶剂从所述掩蔽板的所述第二表面供给到所述固体电解质膜的所述第一表面。根据第三方面，可以在基板上将固体电解质膜设置为使得固体电解质膜的第一表面与基板的表面接触。也可以将掩蔽板设置为使得掩蔽板与固体电解质膜的第二表面接触。通过在此状态下经由掩蔽板的通孔将溶剂供给到固体电解质膜，溶剂渗透过固体电解质膜，并且所渗透的溶剂溶解基板的表面(的材料)。这样，可以在不直接掩蔽基板的情况下，容易地部分粗化基板的表面。此外，由于基板的表面区域被通过固体电解质膜的溶剂粗化，因此可以阻止过多溶剂附着到基板的表面上。由此，可以更适当地部分粗化基板的表面。在第三方面中，所述表面处理装置可以被配置为部分地粗化所述基板的金属表面。所述表面处理装置可包括：导电部件，其被设置在所述掩蔽板的所述第二表面上；以及电源，其被配置为在用作正电极的所述基板与用作负电极的所述导电部件之间施加电压。在上述方面中，所述液体供给部可包括液体容纳腔，所述本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种表面处理方法，其特征在于包括：在固体电解质膜的第一表面被直接设置在基板的表面上，并且设置有通孔的掩蔽板的第一表面被直接设置在所述固体电解质膜的第二表面上的状态下，通过经由所述通孔将溶剂从所述掩蔽板的第二表面供给到所述固体电解质膜来粗化所述基板的与所述通孔对应的表面区域，其中所供给的溶剂渗透过所述固体电解质膜，并且溶解所述基板的所述表面。

【技术特征摘要】
2014.12.03 JP 2014-2450351.一种表面处理方法，其特征在于包括：
在固体电解质膜的第一表面被直接设置在基板的表面上，并且设置有
通孔的掩蔽板的第一表面被直接设置在所述固体电解质膜的第二表面上的
状态下，通过经由所述通孔将溶剂从所述掩蔽板的第二表面供给到所述固
体电解质膜来粗化所述基板的与所述通孔对应的表面区域，其中
所供给的溶剂渗透过所述固体电解质膜，并且溶解所述基板的所述表
面。
2.根据权利要求1所述的表面处理方法，其中
所述基板的表面由金属制成，并且
所述粗化包括在导电部件被设置在所述掩蔽板的所述第二表面上的状
态下，在用作正电极的所述基板与用作负电极的所述导电部件之间施加电
压。
3.根据权利要求2所述的表面处理方法，其中
所述溶剂被从液体供给部的液体容纳腔供给，并且
所述导电部件通过所述液体容纳腔被设置在所述掩蔽板的所述第二表
面上。
4.一种用于形成金属膜的方法，其特征在于包括：
通过根据权利要求2或权利要求3所述的表面处理方法粗化所述基板
的表面区域；
在所述粗化之后，通过经由所述通孔将包含所述金属膜的金属离子的
金属溶液供给到所述固体电解质膜来允许所述金属离子渗透过所述固体电
解质膜；以及
通过在用作负电极的所述基...

【专利技术属性】
技术研发人员：佐藤祐规，平冈基记，柳本博，
申请(专利权)人：丰田自动车株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP