一种玉米种植方法技术

本发明专利技术公开了一种玉米种植方法，包括整地、施基肥、播种、施肥、去雄、田间管理，其特征在于：整地阶段，相距120-140cm开竖沟，竖沟的深度为20-30cm，宽度为30-50cm;两沟之间形成垄，在垄上相距30-40cm开横沟，横沟与竖沟垂直，横沟深度为5-15cm。播种阶段，在横沟两侧分别播种3株玉米种。去雄阶段，保留垄上中间行的雄穗，去除两侧的玉米苗雄穗。有益效果是：本方法提供更加畅通的田间水路和更加方便的去雄方法，提高玉米产量。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种玉米种植方法，属于农作物栽培

技术介绍
由于南方雨水较多，而玉米种植怕旱怕涝，做好田间的灌溉和放止田间储水特别重要，通过沟槽排水使人们惯用的方法，如何使田间水路更加通畅，使我们需要解决的问题。另一方面，去雄成为了提高玉米产量的办法，但是去雄的时间及数量的掌握不易控制。
技术实现思路
本专利技术的专利技术目的在于：针对上述存在的问题，提供一种玉米种植方法，提供更加畅通的田间水路和更加方便的去雄方法，提高玉米产量。本专利技术采用的技术方案如下：本专利技术公开了一种玉米种植方法，包括整地、施基肥、播种、施肥、去雄、田间管理，其特征在于：整地阶段，相距120-140cm开竖沟，竖沟的深度为20-30cm，宽度为30-50cm;两沟之间形成垄，在垄上相距30-40cm开横沟，横沟与竖沟垂直，横沟深度为5-15cm。播种阶段，在横沟两侧分别播种3株玉米种。去雄阶段，保留垄上中间行的雄穗，去除两侧的玉米苗雄穗。。综上所述，由于采用了上述技术方案，本专利技术的有益效果是：本方法提供更加畅通的田间水路和更加方便的去雄方法，提高玉米产量。具体实施方式为了使本专利技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下实施例，对本专利技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。本专利技术公开了一种玉米种植方法，春播一般在2月底到3月上旬，秋播一般在7月底到8月上旬，包括以下步骤：整地：选用排灌方便、肥力好的沙土土壤，相距120-140cm开竖沟，竖沟的深度为20-30cm，宽度为30-50cm;两沟之间形成垄，在垄上相距30-40cm开横沟，横沟与竖沟垂直，横沟深度为5-15cm，要求做到沟沟相通，排灌畅通。施基肥：在横沟两侧施以腐熟农家肥、豆饼和过磷酸钙的混合肥，施肥后覆土。播种：播前先晒种，再用温水浸种，冷却后再浸6—8小时，然后用清水冲洗即可播种，采取直播栽培方式，在横沟的两侧分别种植3株玉米种，边播边盖土，盖土1寸并踏实。施肥：当玉米苗分别为苗期、开花期、后期时各施肥一次。玉米的施肥以增施氮肥为主，配合施用磷钾肥。一般来说苗期（1—6叶）生长慢、植株小，吸收的养分也少，此时的施肥量应占肥量的10%左右。拔节至开花期（7—16叶）的施肥量应占总肥量的60%左右，后期（17叶以后）施肥量应占总肥量的20%左右，磷、钾肥应在前期施用，如果肥量不足，应主要用在拔节和开花期。去雄：玉米苗的雄穗，未开花散粉，就要及时拔掉，保留垄上中间行的雄穗，去除两侧的玉米苗雄穗，切忌拔掉顶部叶片。田间管理：苗期做好蹲苗、防旱防渍；拔节长穗期做好灌溉工作；开花结实期发现植株早衰应施肥、浇水增加粒重，田间积水要及时排除。合理密植，科学进行肥水管理，做好人工辅助授粉，防止空杆秃顶和缺粒。以上所述仅为本专利技术的较佳实施例而已，并不用以限制本专利技术，凡在本专利技术的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本专利技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种玉米种植方法，包括整地、施基肥、播种、施肥、去雄、田间管理，其特征在于：整地阶段，相距120‑140cm开竖沟，竖沟的深度为20‑30cm，宽度为30‑50cm;两沟之间形成垄，在垄上相距30‑40cm开横沟，横沟与竖沟垂直，横沟深度为5‑15cm。

【技术特征摘要】
1.一种玉米种植方法，包括整地、施基肥、播种、施肥、去雄、田间管理，其特征在于：整地阶段，相距120-140cm开竖沟，竖沟的深度为20-30cm，宽度为30-50cm;两沟之间形成垄，在垄上相距30-40cm开横沟，横沟与竖沟垂直，横沟深度为5-...

【专利技术属性】
技术研发人员：费翻博，
申请(专利权)人：成都市创为凯科技信息咨询有限公司，
类型：发明
国别省市：四川;51