一种玉米种植方法技术

技术编号:14998409 阅读:130 留言:0更新日期:2017-04-04 03:20
本发明专利技术公开了一种玉米种植方法,包括整地、施基肥、播种、施肥、去雄、田间管理,其特征在于:整地阶段,相距120-140cm开竖沟,竖沟的深度为20-30cm,宽度为30-50cm;两沟之间形成垄,在垄上相距30-40cm开横沟,横沟与竖沟垂直,横沟深度为5-15cm。播种阶段,在横沟两侧分别播种3株玉米种。去雄阶段,保留垄上中间行的雄穗,去除两侧的玉米苗雄穗。有益效果是:本方法提供更加畅通的田间水路和更加方便的去雄方法,提高玉米产量。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种玉米种植方法,属于农作物栽培

技术介绍
由于南方雨水较多,而玉米种植怕旱怕涝,做好田间的灌溉和放止田间储水特别重要,通过沟槽排水使人们惯用的方法,如何使田间水路更加通畅,使我们需要解决的问题。另一方面,去雄成为了提高玉米产量的办法,但是去雄的时间及数量的掌握不易控制。
技术实现思路
本专利技术的专利技术目的在于:针对上述存在的问题,提供一种玉米种植方法,提供更加畅通的田间水路和更加方便的去雄方法,提高玉米产量。本专利技术采用的技术方案如下:本专利技术公开了一种玉米种植方法,包括整地、施基肥、播种、施肥、去雄、田间管理,其特征在于:整地阶段,相距120-140cm开竖沟,竖沟的深度为20-30cm,宽度为30-50cm;两沟之间形成垄,在垄上相距30-40cm开横沟,横沟与竖沟垂直,横沟深度为5-15cm。播种阶段,在横沟两侧分别播种3株玉米种。去雄阶段,保留垄上中间行的雄穗,去除两侧的玉米苗雄穗。。综上所述,由于采用了上述技术方案,本专利技术的有益效果是:本方法提供更加畅通的田间水路和更加方便的去雄方法,提高玉米产量。具体实施方式为了使本专利技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下实施例,对本专利技术进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术,并不用于限定本专利技术。本专利技术公开了一种玉米种植方法,春播一般在2月底到3月上旬,秋播一般在7月底到8月上旬,包括以下步骤:整地:选用排灌方便、肥力好的沙土土壤,相距120-140cm开竖沟,竖沟的深度为20-30cm,宽度为30-50cm;两沟之间形成垄,在垄上相距30-40cm开横沟,横沟与竖沟垂直,横沟深度为5-15cm,要求做到沟沟相通,排灌畅通。施基肥:在横沟两侧施以腐熟农家肥、豆饼和过磷酸钙的混合肥,施肥后覆土。播种:播前先晒种,再用温水浸种,冷却后再浸6—8小时,然后用清水冲洗即可播种,采取直播栽培方式,在横沟的两侧分别种植3株玉米种,边播边盖土,盖土1寸并踏实。施肥:当玉米苗分别为苗期、开花期、后期时各施肥一次。玉米的施肥以增施氮肥为主,配合施用磷钾肥。一般来说苗期(1—6叶)生长慢、植株小,吸收的养分也少,此时的施肥量应占肥量的10%左右。拔节至开花期(7—16叶)的施肥量应占总肥量的60%左右,后期(17叶以后)施肥量应占总肥量的20%左右,磷、钾肥应在前期施用,如果肥量不足,应主要用在拔节和开花期。去雄:玉米苗的雄穗,未开花散粉,就要及时拔掉,保留垄上中间行的雄穗,去除两侧的玉米苗雄穗,切忌拔掉顶部叶片。田间管理:苗期做好蹲苗、防旱防渍;拔节长穗期做好灌溉工作;开花结实期发现植株早衰应施肥、浇水增加粒重,田间积水要及时排除。合理密植,科学进行肥水管理,做好人工辅助授粉,防止空杆秃顶和缺粒。以上所述仅为本专利技术的较佳实施例而已,并不用以限制本专利技术,凡在本专利技术的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等,均应包含在本专利技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种玉米种植方法,包括整地、施基肥、播种、施肥、去雄、田间管理,其特征在于:整地阶段,相距120‑140cm开竖沟,竖沟的深度为20‑30cm,宽度为30‑50cm;两沟之间形成垄,在垄上相距30‑40cm开横沟,横沟与竖沟垂直,横沟深度为5‑15cm。

【技术特征摘要】
1.一种玉米种植方法,包括整地、施基肥、播种、施肥、去雄、田间管理,其特征在于:整地阶段,相距120-140cm开竖沟,竖沟的深度为20-30cm,宽度为30-50cm;两沟之间形成垄,在垄上相距30-40cm开横沟,横沟与竖沟垂直,横沟深度为5-...

【专利技术属性】
技术研发人员:费翻博
申请(专利权)人:成都市创为凯科技信息咨询有限公司
类型:发明
国别省市:四川;51

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1