本发明专利技术提供使用醛亚胺型希夫碱制造特定式所表示的α－氨基酸的不对称单取代烷基化化合物的方法。本发明专利技术的方法中，在介质中、在光学活性的季铵盐类相转移催化剂和无机碱的存在下，开始将醛亚胺型希夫碱烷基化的步骤，然后在该烷基化反应的化学计量反应结束时间前的时间进行猝灭，由此可以得到光学纯度高的单取代烷基化物。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及使用醛亚胺或其衍生物制造α-氨基酸的单取代烷基化化合物的方法。
技术介绍
α-氨基酸在生物学上极其重要，多作为抗生物质、抗肿瘤剂、酶抑制剂等医药品的原料使用。α-氨基酸有天然和非天然之分，在这些α-氨基酸中发现了大量有用的物质。近年来，陆续发现了L-多巴、L-重氮赖氨酸等非天然的有用的生理活性氨基酸，需要开发这样的光学活性α-氨基酸的实用的不对称合成法。 作为光学活性α-氨基酸的实用不对称合成法之一，有不对称单取代烷基化。以往，在不对称单取代烷基化中多使用酮亚胺型希夫碱(O’Donnell，M.J.等，J.Am.Chem.Soc.1989年，111卷，p.2353)。酮亚胺型希夫碱由于制造过程复杂，故一般比较昂贵。 基于参与反应的酮亚胺型希夫碱自身的性质说明使用酮亚胺型希夫碱的理由。希夫碱有酮亚胺型希夫碱、醛亚胺型希夫碱等。一般，人们都坚信，由于醛亚胺型希夫碱的仲氢与叔氢间的pKa差几乎没有，故生成物产生外消旋化，另一方面，由于酮亚胺型希夫碱的该差大，故所得到的生成物的外消旋化受到抑制(O’Donnell，M.J.等，Aldrichim.Acta，2001年，34卷，p.3以及Maruoka，K.和Ooi，T.Chemical Reviews，2003年，103卷，p.3013)。 因此，在该
中，当考虑整体的制造效率时，尽管制造成本多少有些高，但是人们还是以使用酮亚胺型希夫碱为前提，集中关注在使用酮亚胺型希夫碱的光学活性α-氨基酸的不对称合成方法的最优化上。 另一方面，最近报道了一例使用高分子醛亚胺的不对称合成(Park，H.-G.等，J.Org.Chem.2005年，70卷，p.1904)。但是，该报告不过是使用醛亚胺与高分子结合成的化合物的不对称合成，与该
中的希夫碱完全不同。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种在作为α-氨基酸合成法之一的不对称单取代烷基化中有用并且更为便宜的单取代烷基化化合物的制造方法。 本专利技术提供用于立体选择地制造下式(I)表示的化合物的方法， 该方法包括 在介质中，在光学活性相转移催化剂和无机碱的存在下，开始式(II)表示的化合物与式(III)的化合物反应的步骤； R18-W (III) 和在该式(II)表示的化合物与该式(III)表示的化合物的化学计量反应结束时间前的时间进行猝灭的步骤， 在此，在式(I)和式(II)中， R15表示可以由选自下面的组中的至少一个基团取代的芳基或杂芳基 可以有支链并且可以由卤素原子取代的C1～C8烷基； 可以有支链并且可以由卤素原子取代的C1～C5烷氧基； 可以由选自卤素原子、可以有支链并且可以由卤素原子取代的C1～C8烷基、或者可以有支链并且可以由卤素原子取代的C1～C5烷氧基的取代基取代的芳基； 氰基； -NR30R31(在此，R30和R31分别独立地表示氢原子或者可以由卤素原子取代的C1～C4烷基)； 硝基； 氨基甲酰基； N-(C1～C4烷基)氨基甲酰基； N，N-二(C1～C4烷基)氨基甲酰基； -NHCOR9(在此，R9表示可以具有支链并且可以由卤素原子取代的C1～C4烷基)；和 卤素原子； R20表示-OR19(在此，R19表示可以由卤素原子、或者可以由卤素原子取代的芳基取代并且可以形成支链或者环的C1～C8烷基)或者-NR50R51， 在式(I)和式(III)中， R18是选自下面的组的基团 (i)可以形成支链或者环并且可以由卤素原子取代的C1～C10烷基，该烷基是可以由选自下面的组中的至少一个基团取代的烷基 可以具有支链并且可以由卤素原子取代的C1～C5烷氧基、氰基、-NR30R31(在此，R30和R31分别独立地表示氢原子或者可以由卤素原子取代的C1～C4烷基)、硝基、氨基甲酰基、N-(C1～C4烷基)氨基甲酰基、N，N-二(C1～C4烷基)氨基甲酰基、-NHCOR9(在此，R9表示可以具有支链并且可以由卤素原子取代的C1～C4烷基)、卤素原子、-COR9(在此，R9表示可以具有支链并且可以由卤素原子取代的C1～C4烷基)和-CO2R9(在此，R9表示可以具有支链并且可以由卤素原子取代的C1～C4烷基)； (ii)可以形成支链或环并且可以由卤素原子取代的C3～C15的烯丙基或者取代烯丙基； (iii)可以形成支链或环并且可以由卤素原子取代的C2～C6烯基； (iv)可以形成支链或环并且可以由卤素原子取代的C2～C6炔基； (v)芳烷基，构成该芳烷基的芳基部分可以由选自下面的组中的至少一个基团取代 可以具有支链并且可以由卤素原子取代的C1～C4烷基、 可以具有支链并且可以由卤素原子取代的C1～C5烷氧基、 可以由卤素原子、可以具有支链并且可以由卤素原子取代的C1～C4烷基、氰基、-NR30R31(在此，R30和R31分别独立地表示氢原子或者可以具有支链并且可以由卤素原子取代的C1～C4烷基)、硝基、氨基甲酰基、N-(C1～C4烷基)氨基甲酰基、N，N-二(C1～C4烷基)氨基甲酰基或者-NHCOR9(在此，R9表示可以具有支链并且可以由卤素原子取代的C1～C4烷基)取代的芳基、 氰基、 -NR30R31(在此，R30和R31分别独立地表示氢原子或者可以具有支链并且可以由卤素原子取代的C1～C4烷基)、 硝基、 氨基甲酰基、 N-(C1～C4烷基)氨基甲酰基、 N，N-二(C1～C4烷基)氨基甲酰基、 -NHCOR9(在此，R9表示可以具有支链并且可以由卤素原子取代的C1～C4烷基)、和 卤素原子， 并且构成该芳烷基的烷基部分是可以形成支链或者环并且可以由卤素原子取代的C1～C6烷基； (vi)具有杂芳基部分的杂芳烷基，该杂芳基部分可以由选自下面的组中的至少一个基团取代 可以具有支链并且可以由卤素原子取代的C1～C4烷基、 可以具有支链并且可以由卤素原子取代的C1～C5烷氧基、 可以由卤素原子、可以具有支链并且可以由卤素原子取代的C1～C4烷基、氰基、-NR30R31(在此，R30和R31分别独立地表示氢原子或者可以具有支链并且可以由卤素原子取代的C1～C4烷基)、硝基、氨基甲酰基、N-(C1～C4烷基)氨基甲酰基、N，N-二(C1～C4烷基)氨基甲酰基或者-NHCOR9(在此，R9表示可以具有支链并且可以由卤素原子取代的C1～C4烷基)取代的芳基、 氰基、 -NR30R31(在此，R30和R31分别独立地表示氢原子或者可以具有支链并且可以由卤素原子取代的C1～C4烷基)、 硝基、 氨基甲酰基、 N-(C1～C4烷基)氨基甲酰基、 N，N-二(C1～C4烷基)氨基甲酰基、 -NHCOR9(在此，R9表示可以具有支链并且可以由卤素原子取代的C1～C4烷基)、和 卤素原子， 并且构成该杂芳烷基的烷基部分是可以形成支链或者环并且可以由卤素原子取代的C1～C6烷基；和 (vii)可以具有支链并且可以由卤素原子取代的C3～C9本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种用于立体选择地制造下式（Ⅰ）表示的化合物的方法， ＊＊＊ （Ⅰ） 该方法包括： 在介质中，在光学活性相转移催化剂和无机碱的存在下，开始式（Ⅱ）表示的化合物与式（Ⅲ）的化合物反应的步骤； ＊＊＊ （Ⅱ） Ｒ↑［１８］－Ｗ （Ⅲ） 和在该式（Ⅱ）表示的化合物与该式（Ⅲ）表示的化合物的化学计量反应结束时间前的时间进行猝灭的步骤， 在此，式（Ⅰ）和式（Ⅱ）中， Ｒ↑［１５］表示可以由选自下面的组中的至少一个基团取代的芳基或杂芳基： 可以有支链并且可以由卤素原子取代的Ｃ↓［１］～Ｃ↓［８］烷基； 可以有支链并且可以由卤素原子取代的Ｃ↓［１］～Ｃ↓［５］烷氧基； 可以由选自卤素原子、可以有支链并且可以由卤素原子取代的Ｃ↓［１］～Ｃ↓［８］烷基、或者可以有支链并且可以由卤素原子取代的Ｃ↓［１］～Ｃ↓［５］烷氧基的取代基取代的芳基； 氰基； －ＮＲ↑［３０］Ｒ↑［３１］（在此，Ｒ↑［３０］和Ｒ↑［３１］分别独立地表示氢原子或者可以由卤素原子取代的Ｃ↓［１］～Ｃ↓［４］烷基）； 硝基； 氨基甲酰基； Ｎ－（Ｃ↓［１］～Ｃ↓［４］烷基）氨基甲酰基； Ｎ，Ｎ－二（Ｃ↓［１］～Ｃ↓［４］烷基）氨基甲酰基； －ＮＨＣＯＲ↑［９］（在此，Ｒ↑［９］表示可以具有支链并且可以由卤素原子取代的Ｃ↓［１］～Ｃ↓［４］烷基）；和 卤素原子； Ｒ↑［２０］表示－ＯＲ↑［１９］（在此，Ｒ↑［１９］表示可以由卤素原子、或者可以由卤素原子取代的芳基取代并且可以形成支链或者环的Ｃ↓［１］～Ｃ↓［８］烷基）或者－ＮＲ↑［５０］Ｒ↑［５１］［在此，Ｒ↑［５０］和Ｒ↑［５１］分别独立地表示氢原子、－ＣＨＲ↑［２８］Ｒ↑［２９］（在此，Ｒ↑［２８］为选自氢原子和芳基组成的组中的基团，该芳基可以由选自可以由卤素原子取代的Ｃ↓［１］～Ｃ↓［４］烷基、可以由卤素原子取代的Ｃ↓［１］～Ｃ↓［３］烷氧基、或者卤素原子的取代基取代，Ｒ↑［２９］表示可以由选自可以由卤素原子取代的Ｃ↓［１］～Ｃ↓［４］烷基、可以由卤素原子取代的Ｃ↓［１］～Ｃ↓［３］烷氧基或者卤素原子的取代基取代的芳基）或者－ＯＲ↑［１０１］（在此，Ｒ↑［１０１］表示Ｃ↓［１］～Ｃ↓［８］烷基或者苄基）］， 在式（Ⅰ）和式（Ⅲ）中，Ｒ↑［１８］是选自下面的组的基团： （ｉ）可...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：丸冈启二，井上彻，松本淳，
申请(专利权)人：长濑产业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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