制造传感器集成电路的方法及使用该方法制造的集成电路技术

本发明专利技术提供的一种制造传感器集成电路的方法及使用该方法制造的集成电路，包括如下步骤：步骤1，在第一衬底硅片上制造温湿度传感器集成电路，在第一衬底硅片上制造与温湿度传感器集成电路连接的第一金属铝布线；步骤2，在第一衬底硅片上制造第二衬底硅片，在第二衬底硅片上制造红外光和可见光亮度传感器，在第二衬底硅片面向第一衬底硅片的一侧设有与红外光和可见光亮度传感器连接的第二金属铝布线；步骤3，连接红外光和可见光亮度传感器与温湿度传感器集成电路；步骤4，封装。本发明专利技术的有益效果如下：可将温度、湿度传感器以及红外光和可见光亮度传感器集合制造在一起，成为一个单一器件，减少体积，功耗和制造成本，提高测量的精度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种制造传感器集成电路的方法，特别是一种温度、湿度和光学传感器同时制造成单一集成电路的方法及使用该方法制造的集成电路。
技术介绍
温度传感器集成电路和湿度传感器集成电路已经分别存在多时，单独的红外光和可见光亮度传感器集成电路也有存在。它们的制造方法也分别有相关专利申报或授予。但是，当需要同时测量温湿度以及红外光和可见光亮度时，人们通常使用将上述几种集成电路集合在一个电路板的系统上实现，因此体积大，成本高，功耗大。本专利专利技术一种将温湿度以及红外光和可见光亮度传感器同时集合在一起的制造方法，使得温湿度以及红外光和可见光亮度传感器成为一个单一产品，可以同时测量温度，湿度以及红外光和可见光亮度，减少器件的体积，功耗和制造成本。同时，因为温湿度以及红外光和可见光亮度的测量灵敏度互相关联，所以当同步得到温湿度以及红外光和可见光的数据时，测量可以得到有效补偿，测量结果更加准确。温度、湿度和光亮度作为最基本的物理参数，与人们的生活和工作环境的舒适度息息相关。近几年来，随着可穿戴设备市场的发展，人们希望这些可穿戴设备可以测量环境的温度湿度和光亮度。比如，实时测量温湿度可以使得用户体验环境的舒适度，从而判断出行计划。又比如，仪器设备的屏幕显示亮度，可以根据实时的环境光亮度来自动调节，使得人体对屏幕的亮度感觉更为舒适。再比如，红外光传感器可以检测人体反射回来的红外光信号，从而判断设备与人体的距离。但是，现在的温湿度传感器和红外光以及可见光亮度传感器不能集成一起，使得在应用中只能采用两个或三个集成电路，因此设备体积较大，功耗多，成本高。因此，可穿戴设备需要一种可以满足体积，功耗和成本要求的产品和制造方法。比如申请号201310117713.1的专利申请，是关于一个单独制造湿度传感器集成电路的方法。又比如申请号201510608600的专利申请，是关于一个同时测量温度和湿度的温湿度传感器的制造方法。又比如申请号201410351826.2的专利申请，是关于红外光测量传感器的集成电路制造方法。本专利是关于温度，湿度传感器以及红外光和可见光亮度传感器等不同的传感器集成在单一封装上的制造方法。
技术实现思路
针对现有技术中的缺陷，本专利技术的目的是提供一种将温度、湿度传感器以及红外光和可见光亮度传感器等不同的传感器集成在单一封装上的制造传感器集成电路的方法及使用该方法制造的集成电路。为解决上述技术问题，本专利技术提供一种制造传感器集成电路的方法，包括如下步骤：步骤1，在第一衬底硅片上制造温湿度传感器集成电路，在所述第一衬底硅片上制造与所述温湿度传感器集成电路连接的第一金属铝布线；步骤2，在所述第一衬底硅片上制造第二衬底硅片，在所述第二衬底硅片上制造红外光和可见光亮度传感器，在所述第二衬底硅片面向所述第一衬底硅片的一侧设有与所述红外光和可见光亮度传感器连接的第二金属铝布线；步骤3，连接所述红外光和可见光亮度传感器与所述温湿度传感器集成电路；步骤4，封装。优选地，所述步骤2包括：步骤2.1，在所述第二衬底硅片内通过离子注入和高温扩散的方法制造第一二极管、第二二极管、第三二极管、第四二极管及第五二极管；步骤2.2，在所述第二衬底硅片的表面通过等离子体增强化学气相沉积法淀积第一电隔离层；步骤2.3，在所述第一电隔离层上通过光刻和干法刻蚀方法刻出第一接触孔，所述第一接触孔贯穿所述第一电隔离层；步骤2.4，在所述第一接触孔内通过化学气相沉积法沉积金属钨，所述金属钨与所述第一二极管、所述第二二极管、所述第三二极管、所述第四二极管及所述第五二极管连接；步骤2.5，在所述第一电隔离层上通过物理气相沉积法溅射金属铝连线，所述金属铝连线与所述金属钨连接；步骤2.6，在所述第一电隔离层上通过涂布和光刻的方法设置红光过滤薄膜，所述红光过滤薄膜的位置与所述第三二极管对应；步骤2.7，在所述第一电隔离层上通过涂布和光刻的方法设置黄光过滤薄膜，所述黄光过滤薄膜的位置与所述第二二极管对应；步骤2.8，在所述第一电隔离层上通过涂布和光刻的方法设置蓝光过滤薄膜，所述蓝光过滤薄膜的位置与所述第一二极管对应；步骤2.9，在所述第一电隔离层上通过等离子体增强化学气相沉积法淀积第二电隔离层，所述第二电隔离层包裹所述金属铝连线、所述红光过滤薄膜、所述黄光过滤薄膜及所述蓝光过滤薄膜；步骤2.10，在所述第二电隔离层上通过物理气相沉积法溅射和光刻的方法设置红外光吸收薄膜，所述红外光吸收薄膜的位置与所述第一二极管、所述第二二极管、所述第三二极管及所述第四二极管对应；步骤2.11，在所述第二电隔离层上淀积介质层，所述介质层包裹所述红外光吸收薄膜。优选地，所述第一电隔离层及所述第二电隔离层的厚度为1微米。优选地，所述第一电隔离层及所述第二电隔离层的材质为二氧化硅。优选地，所述红光过滤薄膜的厚度为0.5微米～1.0微米，所述红光过滤薄膜允许光谱波长为610纳米～760纳米的红光通过；所述黄光过滤薄膜的厚度为0.5微米～1.0微米，所述黄光过滤薄膜允许光谱波长为490纳米～570纳米的黄光通过；所述蓝光过滤薄膜的厚度为0.5微米～1.0微米，所述蓝光过滤薄膜允许光谱波长为450纳米～480纳米的蓝光通过。优选地，所述红外光吸收薄膜吸收波长为760纳米～30000纳米的红外光频谱的光束。优选地，所述步骤3包括：步骤3.1，在所述第二衬底硅片上设置通孔，所述通孔贯穿所述第一电隔离层和所述第二衬底硅片；步骤3.2，在所述通孔内填充金属铜，所述金属铜的两端分别与所述金属铝连线及所述第二金属铝布线连接；步骤3.3，在所述第一衬底硅片上涂布聚希亚胺层，所述聚希亚胺层包裹所述第一金属铝布线，在所述聚希亚胺层上设有第二接触孔，在所述第二接触孔内设置所述金属球；步骤3.4，通过所述金属球连接所述第一金属铝布线及所述第二金属铝布线。优选地，所述介质层的厚度为1.0微米优选地，所述第二衬底硅片的厚度为100微米。集成电路，所述集成电路采用制造传感器集成电路的方法制造。与现有技术相比，本专利技术的有益效果如下：1)可将温度、湿度传感器以及红外光和可见光亮度传感器集合制造在一起，成为一个单一器件，减少体积，功耗和制造成本，提高测量的精度；体积小：在waferlevel层次焊接两片硅片，使得其体积可以明显比其它单独使用温湿度传感器以及红外光和可见光传本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造传感器集成电路的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1，在第一衬底硅片上制造温湿度传感器集成电路，在所述第一衬底硅片上制造与所述温湿度传感器集成电路连接的第一金属铝布线；步骤2，在所述第一衬底硅片上制造第二衬底硅片，在所述第二衬底硅片上制造红外光和可见光亮度传感器，在所述第二衬底硅片面向所述第一衬底硅片的一侧设有与所述红外光和可见光亮度传感器连接的第二金属铝布线；步骤3，连接所述红外光和可见光亮度传感器与所述温湿度传感器集成电路；步骤4，封装。

【技术特征摘要】
1.一种制造传感器集成电路的方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤1，在第一衬底硅片上制造温湿度传感器集成电路，在所述第一衬底硅片上制造与所述温湿度传感器集成电路连接的第一金属铝布线；
步骤2，在所述第一衬底硅片上制造第二衬底硅片，在所述第二衬底硅片上制造红外光和可见光亮度传感器，在所述第二衬底硅片面向所述第一衬底硅片的一侧设有与所述红外光和可见光亮度传感器连接的第二金属铝布线；
步骤3，连接所述红外光和可见光亮度传感器与所述温湿度传感器集成电路；
步骤4，封装。
2.根据权利要求1所述的制造传感器集成电路的方法，其特征在于，所述步骤2包括：
步骤2.1，在所述第二衬底硅片内通过离子注入和高温扩散的方法制造第一二极管、第二二极管、第三二极管、第四二极管及第五二极管；
步骤2.2，在所述第二衬底硅片的表面通过等离子体增强化学气相沉积法淀积第一电隔离层；
步骤2.3，在所述第一电隔离层上通过光刻和干法刻蚀方法刻出第一接触孔，所述第一接触孔贯穿所述第一电隔离层；
步骤2.4，在所述第一接触孔内通过化学气相沉积法沉积金属钨，所述金属钨与所述第一二极管、所述第二二极管、所述第三二极管、所述第四二极管及所述第五二极管连接；
步骤2.5，在所述第一电隔离层上通过物理气相沉积法溅射金属铝连线，所述金属铝连线与所述金属钨连接；
步骤2.6，在所述第一电隔离层上通过涂布和光刻的方法设置红光过滤薄膜，所述红光过滤薄膜的位置与所述第三二极管对应；
步骤2.7，在所述第一电隔离层上通过涂布和光刻的方法设置黄光过滤薄膜，所述黄光过滤薄膜的位置与所述第二二极管对应；
步骤2.8，在所述第一电隔离层上通过涂布和光刻的方法设置蓝光过滤薄膜，所述蓝光过滤薄膜的位置与所述第一二极管对应；
步骤2.9，在所述第一电隔离层上通过等离子体增强化学气相沉积法淀积第二电隔离层，所述第二电隔离层包裹所述金属铝连线、所述红光过滤薄膜、所述黄光过滤薄膜及所述蓝光过滤薄膜；
步骤2.10，在所述第二电隔离层上通过物理气相沉积法溅射和光刻的方法设置红外光吸收薄膜，所述红外光吸收薄膜...

【专利技术属性】
技术研发人员：赖建文，
申请(专利权)人：上海申矽凌微电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31