一种4GHz功率100瓦10dB的厚膜电路衰减片制造技术

本实用新型专利技术公开了一种4GHz功率100瓦10dB的厚膜电路衰减片，所述厚膜电路衰减片包括一氧化铍基板，所述氧化铍基板背面无电路非金属化，所述氧化铍基板正面设有输入电极、输出电极、膜状电阻、第一接地导线和第二接地导线，所述输入电极和输出电极分别与膜状电阻连接形成卡片式衰减网络，所述膜状电阻两端分别连接第一接地导线和第二接地导线，所述膜状电阻的输出端连接有第一焙银，所述膜状电阻的输入端连接有第二焙银。本实用新型专利技术结构简单，使用方便，体积小，衰减平坦度好阻值精度和衰减精度高，重复性好。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种氧化铍陶瓷基板衰减片，特别涉及一种氧化铍陶瓷基板100瓦10dB的衰减片。
技术介绍
氧化铍陶瓷基板100瓦10dB的衰减片是同轴固定衰减器芯片的一种，广泛应用在微波通讯、雷达等设备中。衰减器是一个功率消耗和电路匹配元件，要求对两端电路的影响越小越好。目前市场上针对大功率的衰减片精度和驻波比少数能达到2GHz，要做到4GHz等更高频率非常困难。
技术实现思路
本技术为了解决上述问题，从而提供一种氧化铍陶瓷基板100瓦10dB的衰减片。为达到上述目的，本技术的技术方案如下：一种4GHz功率100瓦10dB的厚膜电路衰减片，所述厚膜电路衰减片包括一氧化铍基板，所述氧化铍基板背面无电路非金属化，所述氧化铍基板正面设有输入电极、输出电极、膜状电阻、第一接地导线和第二接地导线，所述输入电极和输出电极分别与膜状电阻连接形成卡片式衰减网络，所述膜状电阻两端分别连接第一接地导线和第二接地导线，所述膜状电阻的输出端连接有第一焙银，所述膜状电阻的输入端连接有第二焙银。在本技术的一个优选实施例中，所述膜状电阻通过激光调阻机进行激光调阻，所述膜状电阻输入端和输出端分别与接地端的阻抗为50±1Ω。在本技术的一个优选实施例中，所述化铍基板体积为25.5*25.5*3.2mm。在本技术的一个优选实施例中，所述膜状电阻通过厚膜工艺制成，所述厚膜电路衰减片的特性阻抗为50Ω、频率为4GHz、功率容量为100W。在本技术的一个优选实施例中，所述膜状电阻位于氧化铍基板的中心位置，所述膜状电阻为对称结构。本技术的有益效果是：本技术结构简单，使用方便，体积小，衰减平坦度好阻值精度和衰减精度高，重复性好。本技术可广泛应用于航空、航天、雷达、电台、广播通讯等设备领域隔离器、环形器等微波产品的生产。附图说明为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本技术的结构示意图。具体实施方式为了使本技术实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体图示，进一步阐述本技术。参见图1，本技术提供的4GHz功率100瓦10dB的厚膜电路衰减片，其包括一氧化铍基板100。氧化铍基板100的体积具体为25.5*25.5*3.2mm，其背面无电路非金属化，在其正面设有输入电极200、输出电极300、膜状电阻400、第一接地导线500和第二接地导线600。输入电极200和输出电极300分别对称设置在膜状电阻400的左右两侧，膜状电阻400与输入电极200和输出电极300可形成一卡片式衰减网络，这样可达到驻波小，频带宽的要求。第一接地导线500和第二接地导线600连接膜状电阻400的上下两端，膜状电阻400通过第一接地导线500和第二接地导线600接地导通。膜状电阻400，其通过厚膜工艺制成，其输出端连接有第一焙银700，输入端连接有第二焙银800，其通过激光调阻机进行激光调阻，其输入端和输出端分别与接地端的阻抗为50±1Ω，这样使得厚膜电路衰减片的特性阻抗为50Ω、频率为4GHz、功率容量为100W。另外，膜状电阻400位于氧化铍基板100的中心位置，并且膜状电阻400为对称结构，这样由于输入电极200和输出电极300分别对称设置在膜状电阻400的左右两侧，第一接地导线500和第二接地导线600连接膜状电阻400的上下两端，使得厚膜电路衰减片的衰减电路处于一个完全对称的状态，这样使得厚膜电路衰减片的衰减平坦度好，阻值精度和衰减精度高，重复性好。以上显示和描述了本技术的基本原理和主要特征和本技术的优点。本行业的技术人员应该了解，本技术不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本技术的原理，在不脱离本技术精神和范围的前提下，本技术还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本技术范围内。本技术要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种4GHz功率100瓦10dB的厚膜电路衰减片，其特征在于，所述厚膜电路衰减片包括一氧化铍基板，所述氧化铍基板背面无电路非金属化，所述氧化铍基板正面设有输入电极、输出电极、膜状电阻、第一接地导线和第二接地导线，所述输入电极和输出电极分别与膜状电阻连接形成卡片式衰减网络，所述膜状电阻两端分别连接第一接地导线和第二接地导线，所述膜状电阻的输出端连接有第一焙银，所述膜状电阻的输入端连接有第二焙银。

【技术特征摘要】
1.一种4GHz功率100瓦10dB的厚膜电路衰减片，其特征在于，所述厚膜
电路衰减片包括一氧化铍基板，所述氧化铍基板背面无电路非金属化，所述氧
化铍基板正面设有输入电极、输出电极、膜状电阻、第一接地导线和第二接地
导线，所述输入电极和输出电极分别与膜状电阻连接形成卡片式衰减网络，所
述膜状电阻两端分别连接第一接地导线和第二接地导线，所述膜状电阻的输出
端连接有第一焙银，所述膜状电阻的输入端连接有第二焙银。
2.根据权利要求1所述的一种4GHz功率100瓦10dB的厚膜电路衰减片，
其特征在于，所述膜状电阻通过激光调阻机进行激光调阻，所述膜状电阻输...

【专利技术属性】
技术研发人员：戴林华，周蕾，周敏，
申请(专利权)人：上海华湘计算机通讯工程有限公司，
类型：新型
国别省市：上海;31