层叠陶瓷电子部件制造技术

本发明专利技术提供层叠陶瓷电子部件，能够显著提高外部电极与导体焊垫、导体通孔的连接可靠性。层叠陶瓷电容器的电容器主体形成为由长度、宽度和高度规定的大致长方体状，在高度方向的一面和另一面的端缘具有沿着该端缘形成的凹部。此外，外部电极具有：在凹部内形成有高度方向侧抱合部的基底导体层；和主导体层，从基底导体层的高度方向侧抱合部上到部件主体的高度方向的一面和另一面的除凹部之外的面状部上连续形成有高度方向侧抱合部。并且，主导体层的高度方向侧抱合部具有由基底导体层的高度方向侧抱合部上的表面区域和部件主体的面状部上表面区域构成的面状的被连接区域。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及层叠陶瓷电子部件。
技术介绍
层叠陶瓷电容器或层叠陶瓷电感器等层叠陶瓷电子部件，一般通过在层叠结构的部件主体设置外部电极而构成。部件主体形成为由长度、宽度和高度规定的大致长方体状，外部电极以与部件主体内的内部电极层、线圈层等的导体部电连接的方式设置于该部件主体。虽然该层叠陶瓷电子部件多用于部件安装基板、部件内置基板等，但当前现状是依然要求该层叠陶瓷电子部件的小型化和薄型化，存在外部电极与导体焊垫或导体通孔的连接可靠性上的问题。在后述专利文献1中，针对上文提到的连接可靠性，公开了外部电极8a和8b的结构(参照图1和图2)。该外部电极8a和8b中，延伸部9a和9b形成为从层叠陶瓷基体3的引出部5a和5b的上表面直至功能部4的上表面，并且，引出部5a和5b的上表面的延伸部9a和9b比功能部4的延伸部9a和9b低，抱合部10a和10b形成为从层叠陶瓷基体3的端面直至引出部5a和5b的上表面的延伸部9a和9b的表面，在这些延伸部9a和9b以及抱合部10a和10b的表面形成有金属层12a和12b。但是，在后述专利文献1公开的外部电极8a和8b的结构中，在金属膜12a和12b的上表面形成由于在其下侧存在的延伸部9a和9b以及抱合部10a和10b的形态而引起的显著的高低平面差或起伏，使提高与导体焊垫、导体通孔的连接可靠性变得困难。例如，在利用焊料将金属膜12a和12b的上表面与导体焊垫连接的情况下，因上述显著的高低平面差或起伏而使金属膜12a和12b的上表面与导体焊垫的间隙变化，因此，存在间隙大的部位的焊料量与间隙小的部位的焊料量容易产生不均，从而导致产生连接不良的问题。此外，在金属膜12a和12b的上表面连接导体通孔的情况下，因上述显著的高低平面差或起伏而使得能够用于连接导体通孔的区域变窄，因此，根据导体通孔的位置公差如何，而有可能存在产生连接不良的问题。现有技术文献专利文献专利文献1：日本专利第5217584号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的技术问题本专利技术的技术课题在于，提供一种能够显著提高外部电极与导体焊垫、导体通孔的连接可靠性的层叠陶瓷电子部件。用于解决技术问题的方法为了解决上述技术问题，本专利技术为在层叠结构的部件主体设置有外部电极的层叠陶瓷电子部件，上述部件主体形成为由长度、宽度和高度规定的大致长方体形状，在高度方向的一面和另一面的端缘具有沿着该端缘形成的凹部，上述外部电极具有：基底导体层，其高度方向侧抱合部形成在上述部件主体的凹部内；和主导体层，其高度方向侧抱合部从上述基底导体层的高度方向侧抱合部上至上述部件主体的高度方向的一面和另一面的除上述凹部之外的面状部上连续形成，上述主导体层的高度方向侧抱合部具有面状的被连接区域，上述面状的被连接区域由上述基底导体层的高度方向侧抱合部上的表面区域和上述部件主体的面状部上的表面区域构成。专利技术效果根据本专利技术，能够提供能显著提高外部电极与导体焊垫、导体通孔的连接可靠性的层叠陶瓷电子部件。附图说明图1是从高度方向看应用了本专利技术的层叠陶瓷电容器(第一实施方式)的图。图2(A)是从宽度方向看图1所示的层叠陶瓷电容器的图，图2(B)是沿着图1的S1－S1线的截面图，图2(C)是图2(B)的局部放大图。图3(A)是从长度方向看图1所示的层叠陶瓷电容器的图，图3(B)是沿着图1的S2－S2线的截面图，图3(C)是沿着图1的S3－S3线的截面图，图3(D)是图3(B)的局部放大图，图3(E)是图3(C)的局部放大图。图4是图1所示的层叠陶瓷电容器的制作方法例的说明图。图5(A)和图5(B)是图1所示的层叠陶瓷电容器的制作方法例的说明图。图6是图1所示的层叠陶瓷电容器的制作方法例的说明图。图7是图1所示的层叠陶瓷电容器的制作方法例的说明图。图8(A)和图8(B)是图1所示的层叠陶瓷电容器的制作方法例的说明图。图9是表示图1所示的层叠陶瓷电容器的变形例的局部放大截面图。图10是从高度方向看应用了本专利技术的层叠陶瓷电容器(第二实施方式)的图。图11(A)是从宽度方向看图10所示的层叠陶瓷电容器的图，图11(B)是沿着图10的S4－S4线的截面图，图11(C)是图11(B)的局部放大图。图12(A)是从长度方向看图10所示的层叠陶瓷电容器的图，图12(B)是沿着图10的S5－S5线的截面图，图12(C)是沿着图10的S6－S6线的截面图，图12(D)是图12(B)的局部放大图，图12(E)是图12(C)的局部放大图。图13是图10所示的层叠陶瓷电容器的制作方法例的说明图。图14(A)和图14(B)是图10所示的层叠陶瓷电容器的制作方法例的说明图。图15是图10所示的层叠陶瓷电容器的制作方法例的说明图。图16是图10所示的层叠陶瓷电容器的制作方法例的说明图。图17(A)和图17(B)是图10所示的层叠陶瓷电容器的制作方法例的说明图。图18是表示图10所示的层叠陶瓷电容器的变形例的局部放大截面图。图19是从高度方向看应用了本专利技术的层叠陶瓷电容器(第三实施方式)的图。图20(A)是从宽度方向看图19所示的层叠陶瓷电容器的图，图20(B)是沿着图19的S7－S7线的截面图，图20(C)是图20(B)的局部放大图。图21(A)是从长度方向看图19所示的层叠陶瓷电容器的图，图21(B)是沿着图19的S8－S8线的截面图，图21(C)是沿着图19的S9－S9线的截面图，图21(D)是图21(B)的局部放大图，图21(E)是图21(C)的局部放大图。图22是从高度方向看应用了本专利技术的层叠陶瓷电容器(第四实施方式)的图。图23(A)是从宽度方向看图22所示的层叠陶瓷电容器的图，图23(B)是沿着图22的S10－S10线的截面图，图23(C)是图23(B)的局部放大图。图24(A)是从长度方向看图22所示的层叠陶瓷电容器的图，图24(B)是沿着图22的S11－S11线的截面图，图24(C)是沿着图22的S12－S12线的截面图，图24(D)是图24(B)的局部放大图，图24(E)是图24(C)的局部放大图。图25是从高度方向看应用了本专利技术的层叠陶瓷电容器(第五实施方式)的图。图26(A)是从宽度方向看图25所示的层叠陶瓷电容器的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种层叠陶瓷电子部件，其在层叠结构的部件主体设置有外部电极，该层叠陶瓷电子部件的特征在于：所述部件主体形成为由长度、宽度和高度规定的大致长方体形状，在高度方向的一面和另一面的端缘具有沿着该端缘形成的凹部，所述外部电极具有：高度方向侧抱合部形成在所述部件主体的凹部内的基底导体层；和主导体层，从所述基底导体层的高度方向侧抱合部上至所述部件主体的高度方向的一面和另一面的除所述凹部之外的面状部上连续形成有高度方向侧抱合部，所述主导体层的高度方向侧抱合部具有面状的被连接区域，所述面状的被连接区域由所述基底导体层的高度方向侧抱合部上的表面区域和所述部件主体的面状部上的表面区域构成。

【技术特征摘要】
2014.12.05 JP 2014-246559;2015.03.31 JP 2015-071461.一种层叠陶瓷电子部件，其在层叠结构的部件主体设置有外部
电极，该层叠陶瓷电子部件的特征在于：
所述部件主体形成为由长度、宽度和高度规定的大致长方体形状，
在高度方向的一面和另一面的端缘具有沿着该端缘形成的凹部，
所述外部电极具有：高度方向侧抱合部形成在所述部件主体的凹
部内的基底导体层；和主导体层，从所述基底导体层的高度方向侧抱
合部上至所述部件主体的高度方向的一面和另一面的除所述凹部之外
的面状部上连续形成有高度方向侧抱合部，
所述主导体层的高度方向侧抱合部具有面状的被连接区域，所述
面状的被连接区域由所述基底导体层的高度方向侧抱合部上的表面区
域和所述部件主体的面状部上的表面区域构成。
2.如权利要求1所述的层叠陶瓷电子部件，其特征在于：
在所述主导体层的高度方向侧抱合部与所述部件主体的高度方向
的一面和另一面之间设置有辅助导体层，所述辅助导体层起到辅助...

【专利技术属性】
技术研发人员：饭岛淑明，佐藤壮，须贺康友，小泉胜男，
申请(专利权)人：太阳诱电株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP