【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种用于将平坦的工件分离为多个部段的方法,其中,在第一步骤中,借助于通过使用穿过工件的表面的激光束进行的局部材料处理,沿工件中的一条或多条预定义分离线产生一条或多条改性材料线,这导致工件沿分离线的断裂应力减小,并且在第二步骤中,借助于热激光束分离沿着分离线将工件分为部段。本专利技术还涉及一种设计用于执行该方法的设备。在许多
中,有必要将较大工件分为多个大体上形状相同的部段或者从工件分离出多个均匀的结构。其中一个示例是半导体产业或者诸如太阳能或光学微机电系统(MEMS)等相关产业中的部件或芯片的单个化。在这种情况下,在公共基板上生产多个部件。一旦已经完全地处理了部件,就必须使部件互相分离以便可以进一步单独地处理这些部件。可以使用所提出的方法和所提出的设备来执行该分离过程和部件的单个化。单个化过程有多种要求,例如,高吞吐量、高质量以及所产生的部件边缘的几何路线足够精确、不同材料的层堆叠的清洁分离、部件的质量无损失、以及每个单个化步骤的成本低。本方法和设备还可以按照相同的方式用在其他
中,例如,用在玻璃和陶瓷产业中。
技术介绍
下文基于在半导体产业中的应用对当将平坦的工件分离为多个部段时存在的问题进行解释,在半导体产业的应用中存在多种用于单个化过程的方法和设备。目前,通常是在机械或基于激光的技术的帮助下对在基板上生产的部件进行分离。此外,还存在如下技术:机械和基于激光的方法的组合、等离 ...
【技术保护点】
一种用于将工件(1)分离成多个部段(7)的方法,其中,在第一步骤中,借助于使用穿过所述工件的表面的激光束(5)的局部材料处理,沿所述工件(1)中的一条或多条预定义分离线产生改性材料的一条或多条线(2),这导致所述工件(1)沿所述分离线的断裂应力减小,以及在第二步骤中,所述工件(1)借助于热激光束分离沿所述分离线被分成部段(7),其特征在于:所述一条或多条线(2)完全地或至少部分地在所述工件(1)中与所述表面相距一定距离处产生。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2013.07.23 EP PCT/EP2013/0021911.一种用于将工件(1)分离成多个部段(7)的方法,其中,
在第一步骤中,借助于使用穿过所述工件的表面的激光束(5)的局部材料处理,沿所述
工件(1)中的一条或多条预定义分离线产生改性材料的一条或多条线(2),这导致所述工件
(1)沿所述分离线的断裂应力减小,以及
在第二步骤中,所述工件(1)借助于热激光束分离沿所述分离线被分成部段(7),
其特征在于:
所述一条或多条线(2)完全地或至少部分地在所述工件(1)中与所述表面相距一定距
离处产生。
2.如权利要求1所述的方法,
其特征在于:
在每种情况下,产生所述一条或多条线(2),使得它们始于所述工件(1)的表面处,并且
随后沿所述工件(1)中的所述分离线相对于所述表面以不同的距离延伸。
3.如权利要求1或2所述的方法,
其特征在于:
在每种情况下,产生所述一条或多条线(2),使得它们始于每个部段(7)在所述表面处
的边界位置处,并且随后沿所述工件(1)中的所述分离线相对于所述表面以不同的距离延
伸。
4.如权利要求1所述的方法,
其特征在于:
在每种情况下,产生所述一条或多条线(2),使得它们始于每个部段(7)在所述表面处
的第一边界位置处,然后沿所述工件(1)中的所述分离线相对于所述表面以不同的距离延
伸,并且在与所述部段(7)上的所述第一边界位置相对定位的第二边界位置处再次到达所
述表面。
5.如权利要求1至4中任一项所述的方法,
其特征在于:
所述一条或多条线(2)被产生为熔融材料和/或无定形材料和/或在所述表面处去除的
材料的线。
6.如权利要求1至5中任一项所述的方法,
其特征在于:
产生所述线(2)中的至少两条线,所述至少两条线沿所述分离线部分地一个位于另一
个之上。
7.如权利要求1至6中任一项所述的方法,
其特征在于:
所述一条或多条线(2)利用沿所述线(2)变化的所述激光束(S)的能量输入来产生。
8.如权利要求1至7中任一项所述的方法,
其特征在于:
所述一条或多条线(2)使用脉冲激光束(S)来产生。
9.如权利要求1至8中任一项所述的方法,
其特征在于:
所述一条或多条线(2)与所述工件的表面的不同距离通过所述激光束(5)在所述工件
(1)的厚度方向上的焦点位置的变化产生。
10.如权利要求1至9中任一项所述的方法,
其特征在于:
在每种情况下,在所述分离线上的将妨碍用于所述热激光束分离的激光辐射耦合至所
述工件(1)中的表面结构或表面金属化的区域中的所述一条或多条线(2)被引导至所述表
面,以便使用所述激光束(5)来局部地去除所述分离线上的所述表面结构或表面金属化。
11.如权利要求1至10中任一项所述的方法,
其特征在于:
在所述第一步骤之前,执行与所述第一步骤分离的预处理步骤,借助于所述预处理步
骤,位于所述工件的表面上的一条或多条设想的预定义分离线的区域中的材料、特别是金
属化和/或PCM结构被消除,和/或所述表面被制备用于在所述第一步骤中耦合在所述激光
束中。
12.如权利要求11所述的方法,
其特征在于:
所述预处理步骤包括借助于预处理激光束进行的选择性激光烧蚀,所述预处理激光束
具有比位于所述表面上的材料的烧蚀阈值高并且比所述工件的材料的烧蚀阈值低的束能
量,和/或所述预处理步骤包括借助于局部重熔化对基板表面进行的平滑处理。
13.如权利要求1至12中任一项所述的方法,
其特征在于:
在与所述工件(1)的表面相距30μm至150μm的距离(D1)处,特别是在相距40μm至60
μm的距离处,在所述表面的长度的主要比例上产生最靠近所述表面的改性材料的线。
14.如权利要求1至13中任一项所述的方法,
其特征在于:
在产生沿所述分离线一个位于另一个之上的所述线(2)中的至少两条的区域中,所述
线之间的深度距离(D2)为至少200μm,和/或在产生沿所述分离线一个位于另一个之上的
所述线(2)中的至少两条的区域中,首先产生较远离所述表面的线,并且然后产生较靠近所
述表面的线。
15.如权利要求1至14中任一项所...
【专利技术属性】
技术研发人员:M科伊茨施,D卢科,A托比施,HU泽尔科,F阿伦斯泰恩,
申请(专利权)人:三D微马克股份公司,
类型:发明
国别省市:德国;DE
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