【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种发光装置,其包括发光元件、含荧光体层(alayercontainingphosphors)以及与含荧光体层热性连结的金属的框架。
技术介绍
作为发光装置的发光元件,可使用发光二极管。发光二极管寿命长,具有优异的驱动特性。通过组合发光元件与被从发光元件中射出的光激发的荧光体,可实现各种发光颜色的光。包括发光元件和含荧光体层的发光装置被广泛用作彩色显示装置的光源以及照明装置的光源。当电流在发光元件中流过时,发光元件在发光的同时发热。此外,含荧光体层的荧光体被从发光元件中射出的光激发。从受激发的荧光体中放射出来的光的波长与从发光元件中射出的光的波长不一样。荧光体在被从发光元件中射出的光激发时发热。如果受到热的影响,则荧光体的光的波长转换效率有时会降低。因此,公开了一种具有散热结构的发光装置(例如专利文献1、专利文献2)。现有技术文献专利文献专利文献1:美国专利公开公报编号2013/0200785专利文献2:日本专利特开2009-277843号公报
技术实现思路
技术要解决的技术问题上述专利文献1中所公开的发光装置包括含荧光体层和层叠于含荧光体层的透光层。上述专利文献2中所公开的发光装置包括与含荧光体层的周侧面热性连结的导热性构件。导热性构件从含荧光体层的周侧面起沿水平方向扩展。含荧光体层和导热性构件由处于反光构件之上的绝热构件来支承。本技术的目的在于实现一种发光装置 ...
【技术保护点】
一种发光装置(100、200、300),其特征在于,具有:基板(6),其具有至少一对电极(7、8);发光元件(1),其与基板(6)的至少一对电极(7、8)电连接;金属的框架(5),其在基板(6)的上表面(6a)配置在发光元件(1)的周围;以及含荧光体层(2),其被支承于金属的框架(5),具有上表面(2a)、处于上表面(2a)的相反侧的下表面(2b)以及处于上表面(2a)的周缘与下表面(2b)的周缘之间的周侧面(2c),并且该含荧光体层(2)被配置在发光元件(1)的上方,该含荧光体层(2)还具有配置于周侧面(2c)的金属膜(3),在配置于该含荧光体层(2)的该周侧面(2c)的金属膜(3)与该金属的框架(5)之间具有粘接层(4),该含荧光体层(2)、配置于该含荧光体层(2)的周侧面(2c)的金属膜(3)、该粘接层(4)以及该金属的框架(5)热性连结,该金属膜(3)的反射率高于该粘接层(4)的反射率。
【技术特征摘要】
1.一种发光装置(100、200、300),其特征在于,具有:
基板(6),其具有至少一对电极(7、8);
发光元件(1),其与基板(6)的至少一对电极(7、8)电连接;
金属的框架(5),其在基板(6)的上表面(6a)配置在发光元件(1)的周围;以及
含荧光体层(2),其被支承于金属的框架(5),具有上表面(2a)、处于上表面(2a)的相反
侧的下表面(2b)以及处于上表面(2a)的周缘与下表面(2b)的周缘之间的周侧面(2c),并且
该含荧光体层(2)被配置在发光元件(1)的上方,
该含荧光体层(2)还具有配置于周侧面(2c)的金属膜(3),
在配置于该含荧光体层(2)的该周侧面(2c)的金属膜(3)与该金属的框架(5)之间具有
粘接层(4),
该含荧光体层(2)、配置于该含荧光体层(2)的周侧面(2c)的金属膜(3)、该粘接层(4)
以及该金属的框架(5)热性连结,
该金属膜(3)的反射率高于该粘接层(4)的反射率。
2.根据权利要求1所述的发光装置,其特征在于,具有比该粘接层(4)的反射率高的反
射率的该金属膜(3)包含银(Ag)、铝(Al)、铬(Cr)中的至少一种金属作为材料。
3.根据权利要求1所述的发光装置,其特征在于,该金属膜(3)的反射率高于该金属的
框架(5)的反射率。
4.根据权利要求1所述的发光装置,其特征在于,还具有与含荧光体层(2)的上表面
(2a)或下表面(2b)热性连结的透明板(10)。
5.根据权利要求4所述的发光装置,其特征在于,透明板(10)的导热率高于含荧光体层
的导热率。
6.根据权利要求5所述的发光装置,其特征在于,透明板(10)为玻璃基板或蓝宝石基
板。
7.根据权利要求4所述的发光装置,其特征在于,与含荧光体层的上表面或下表面热性
连结的透明板(10)的周侧面(10c)具有金属膜(3)。
8.根据权利要求1所述的发光装置(100、200),其特征在于,
该金属的框架(5)具有台阶部(5a'),
在该金属的框架(5)的该台阶部(5a')处,该金属的框架(5)与该含荧光体层(2)的周侧
面(2c)和该含荧光体层(2)的下表面(2b)的边缘热性连结。
9.根据权利要求1所述的发光装置,其特征在于,该粘接层(4)包含无机金属。
10.一种发光装置(200、300),其特征在于,具有:
基板(6),其具有至少一对电极(7、8);
发光元件(1),其与基板(6)的至少...
【专利技术属性】
技术研发人员:广濑豪一郎,原博昭,
申请(专利权)人:西铁城电子株式会社,西铁城控股株式会社,
类型:新型
国别省市:日本;JP
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