一种霍尔元件制造技术
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及磁传感器
，具体涉及一种霍尔元件。
技术介绍
霍尔元件在制备过程中，因为材料生长或者工艺等原因，会产生结构的不对称，从而导致在不加磁场的情况下，输入两端通入电流，在输出两端会产生一个电压，该电压称为不平衡电压，或者失调电压。受限于材料生长及工艺水平，在霍尔元件制备过程中，没有办法完全消除不平衡电压。而不平衡电压的存在，会使实际的霍尔输出电压偏离真实值，从而影响霍尔元件的精度。单晶材料在湿法腐蚀过程中，存在各向异性。以GaAs单晶材料为例，如图4所示，在同样的腐蚀溶液中，一般有（110）晶面的腐蚀速率大于（111）B晶面的腐蚀速率，而（111）B晶面的腐蚀速率大于（100）晶面的腐蚀速率，（111）A晶面具有最小的腐蚀速率。因此，在GaAs单晶材料的腐蚀过程中，沿[011]晶向将会出现倒梯形结构，而沿[01-1]晶向出现正梯形结构，从而导致结构的不对称，而在与[011]晶向呈45°的方向，将会腐蚀出垂直的结构。砷化镓霍尔元件一般采用湿法腐蚀制备，因此，在刻蚀台面的过程中，不可避免地会遇到腐蚀各向异性的问题，传统的砷化镓霍尔元件采用沿着[011]晶向进行腐蚀，因此，会额外引入器件结构的不对称，从而进一步增大霍尔元件的不平衡电压。
技术实现思路
为此，本技术所要解决的是现有霍尔元件因为工艺设计而引起的不平衡电压偏大的问题，从而提供一种能够进一步减小不平衡电压的霍尔元件。为解决上述技术问题，本技术采用的技术方案如下：本技术所述的一种霍尔元件，包括层叠设置的半绝缘GaAs衬底（1）...
【技术保护点】
一种霍尔元件，包括层叠设置的半绝缘GaAs衬底（1）和GaAs霍尔元件功能层（2）和设置在其上的电极（3），其特征在于，所述GaAs霍尔元件功能层（2）为十字结构，其十字结构方向与所述半绝缘GaAs衬底（1）的[011]晶向成一定夹角。
【技术特征摘要】
1.一种霍尔元件，包括层叠设置的半绝缘GaAs衬底（1）和GaAs霍尔元件功能层（2）和设置在其上的电极（3），其特征在于，所述GaAs霍尔元件功能层（2）为十字结...
【专利技术属性】
技术研发人员：胡双元，
申请(专利权)人：苏州矩阵光电有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32
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