扩散硅压力传感器制造技术

技术编号:14952039 阅读:241 留言:0更新日期:2017-04-02 04:28
本实用新型专利技术涉及一种传感器,具体涉及一种扩散硅压力传感器,包括基座,基座上设置凹槽,所述凹槽内设置填充物,所述填充物为圆柱体,填充物中部设有通孔,所述通孔四周环形排列有多个圆形阶梯孔。本实用新型专利技术在保证传感器体积不变的情况下,尽量增大填充物的体积,减小传感器的充油量,从而提高传感器的零位温漂性能。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种传感器,具体涉及一种扩散硅压力传感器
技术介绍
压力变送器用于感测液体、气体的压力,将不易直接感知的压力信号转变成易于测量的4-20mADC标准工业信号,便于远距离传输,测量和控制。压力变送器广泛应用于各种工业自控环境,涉及水利水电、铁路交通、智能建筑、生产自控、航空航天、军工、石化、油井、电力、船舶、机床、管道等众多行业。压力变送器中均设置压力传感器,用来将压力信号转化为可识别信号。使用时,压力传感器会出现零位温漂现象,提高压力传感器零位温漂性能的几个方式有:增大膜片面积、减小膜片厚度、减少充油量、减小油密度等。其中,中量程传感器(300KPa以上的)因其灵敏度低,改变以上四个因素的某因素后,对其零位温漂的影响量比较小,效果并不明显。然而对于灵敏度较高的低量程压力传感器(35KPa),改变以上四个因素中的其中某一因素,对传感器的零位温漂的影响量较为明显。其中,减少充油量可通过在传感器中设置填充物来实现,现有技术中,通常使用圆柱体型的陶瓷盖帽作为填充物,如图1所示,然而由于现有填充物结构简单,填充体积小,对于传感器的零位温漂性能影响较小。
技术实现思路
本技术提供一种提高零位温漂性能的、量程较低的扩散硅压力传感器。本技术采用如下技术方案:一种扩散硅压力传感器,包括基座,基座上设置凹槽,所述凹槽内设置填充物,所述填充物为圆柱体,填充物中部设有通孔,所述通孔四周环形排列有>多个圆形阶梯孔。所述扩散硅压力传感器包括芯片,所述芯片设置在通孔内,芯片上连接有引线。所述扩散硅压力传感器包括膜片,所述膜片设置在基座上部,通过膜片的形变传递压力信号。所述扩散硅压力传感器包括压环,所述压环设置在基座的上部。所述通孔一侧还设置有圆形安装孔,用来固定填充物的位置。所述填充物为陶瓷材质。本技术的优点及有益效果为:本技术在保证传感器体积不变的情况下,尽量增大填充物的体积,减小传感器的充油量,从而提高传感器的零位温漂性能。附图说明图1为现有技术填充物的结构示意图;图2为本技术填充物的结构示意图;图3为图2的A-A剖视图;图4为本技术的结构示意图。其中,1-基座,2-填充物,3-引线,4-芯片,5-膜片,6-压环,7-阶梯孔,8-通孔,9-安装孔。具体实施方式如图4所示,一种扩散硅压力传感器,包括基座1、填充物2、引线3、芯片4、膜片5、压环6,基座1上设置凹槽,所述凹槽内设置填充物2。所述膜片5设置在基座1上部,压环6设置在基座1的顶部。如图2、图3所示,所述填充物2为陶瓷制成的圆柱体,填充物2中部设有通孔8,芯片4设置在通孔8内,芯片4通过引线3与系统连接。所述通孔8四周环形排列有多个圆形阶梯孔7。通孔8一侧还设置有圆形安装孔9,用来固定填充物。本文档来自技高网...
扩散硅压力传感器

【技术保护点】
一种扩散硅压力传感器,包括基座,基座上设置凹槽,其特征是,所述凹槽内设置填充物,所述填充物为圆柱体,填充物中部设有通孔,所述通孔四周环形排列有多个圆形阶梯孔。

【技术特征摘要】
1.一种扩散硅压力传感器,包括基座,基座上设置凹槽,其特征是,所述
凹槽内设置填充物,所述填充物为圆柱体,填充物中部设有通孔,所述通孔四
周环形排列有多个圆形阶梯孔。
2.根据权利要求1所述的扩散硅压力传感器,其特征是,包括芯片,所述
芯片设置在通孔内。
3.根据权利要求1所述的扩散硅压力传感器,其特征是,包...

【专利技术属性】
技术研发人员:李德芳
申请(专利权)人:山东佰测仪表有限公司
类型:新型
国别省市:山东;37

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