一种高光效LED芯片结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种高光效LED芯片结构，包括衬底，所述衬底上依次设置有N型层、量子阱有源区、P型层、DBR反射层，LED芯片表面设置有接触电极，所述DBR反射层上通过腐蚀设置有多个分散的N电极导孔，所述N电极导孔内设置有导电金属，所述N电极导孔分别连接N型层和接触电极。本实用新型专利技术通过在N型层上方的DBR反射层上设置有多个分散的N电极导孔，使N型层多处与N接触电极电连接，工作时电流均匀通过N型层，解决N型层内部电流不均匀的问题，提高芯片的光效。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及LED芯片领域，具体涉及一种高光效LED芯片结构。
技术介绍
传统的LED芯片包括N型层、P型层，N型层和P型层上设置有反射层和绝缘层，所述绝缘层上设置有接触电极，接触电极分别通过一个电极导孔连接N型层和P型层。但是，传统的LED芯片的电极导孔面积小、数量少，电极导孔只能设置在N型层、P型层的某一处，造成N型层和P型层内部的电流不均匀，N型层和P型层通常只有设置电极导孔的局部发挥作用，影响芯片光效。
技术实现思路
为了解决上述技术问题，本技术的目的在于提供一种高光效LED芯片结构，设置多个分散的电极导孔，解决N型层内部电流不均匀的问题，提高芯片的光效。本技术所采用的技术方案是：一种高光效LED芯片结构，包括衬底，所述衬底上依次设置有N型层、量子阱有源区、P型层、DBR反射层，LED芯片表面设置有接触电极，所述DBR反射层上通过腐蚀设置有多个分散的N电极导孔，所述N电极导孔内设置有导电金属，所述N电极导孔分别连接N型层和接触电极。进一步，所述LED芯片上设置有多个N型台阶，每个N型台阶上设置有一个N电极导孔。进一步，所述P型层上方设置有ITO透明电极层，ITO透明电极层的作用是连接P型层和接触电极。进一步，所述DBR反射层上还设置有多个分散的P电极导孔，所述P电极导孔内设置有导电金属，所述P电极导孔分别连接ITO透明电极层和接触电极。P型层上通过设置多个分散的P电极导孔，解决P型层上电流不均匀的问题。进一步，所述接触电极包括N接触电极和P接触电极，所述N型层通过N电极导孔连接N接触电极，所述P型层通过P电极导孔连接P接触电极。进一步，所述N接触电极把多个分散的N电极导孔连接一起，所述P接触电极把多个分散的P电极导孔连接一起。进一步，所述衬底为蓝宝石，所述N型层为N型GaN，所述P型层为P型GaN。本技术的有益效果是：本技术通过在N型层上方的DBR反射层上设置有多个分散的N电极导孔，使N型层多处与N接触电极电连接，工作时电流均匀通过N型层，解决N型层内部电流不均匀的问题，提高芯片的光效。附图说明为了更清楚地说明本技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单说明。显然，所描述的附图只是本技术的一部分实施例，而不是全部实施例，本领域的技术人员在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得的其他设计方案和附图：图1是本技术的LED芯片的结构示意图。图2是本技术其中一个实施例的俯视图。具体实施方式以下将结合实施例和附图对本技术的构思、具体结构及产生的技术效果进行清楚、完整地描述，以充分地理解本技术的目的、特征和效果。显然，所描述的实施例只是本技术的一部分实施例，而不是全部实施例，基于本技术的实施例，本领域的技术人员在不付出创造性劳动的前提下所获得的其他实施例，均属于本技术保护的范围。参照图1，本技术提供了一种高光效LED芯片结构的优选实施例，包括蓝宝石衬底1，所述蓝宝石衬底1上依次设置有N型GaN层2、量子阱有源区3、P型GaN层4、DBR反射层5，并形成多个N型台阶；同时，由于P型GaN层4与金属接触不导电，在P型GaN层4上设置有ITO透明电极层9。所述LED芯片表面设置有金属的接触电极6，所述接触电极6包括N接触电极61和P接触电极62。所述DBR反射层5上通过腐蚀设置有多个分散的N电极导孔7和P电极导孔8，所述N电极导孔7分布在N型台阶上，每个N型台阶对应一个N电极导孔7。所述电极导孔内设置有与接触电极同材料的导电金属，所述N电极导孔7分别连接N型GaN层2和N接触电极61，所述P电极导孔8分别连接P型GaN层4和P接触电极62。参照图2，接触电极6把分散的电极导孔连接起来，其中N接触电极61把N电极导孔7连接一起，P接触电极62把P电极导孔8连接一起。在本实施例中，所述N电极导孔7和P电极导孔8分别呈直线排列，但在其他实施例中，电极导孔可进行各种规则或不规则的分布，都可以达到使电流均匀的效果。本技术的LED芯片在两个接触电极上接通电源后，电流通过N电极导孔7和P电极导孔8分别进入N型GaN层2和P型GaN层4，由于电极导孔分散分布，使电流可从多处进入N型GaN层2和P型GaN层4，避免了电流只从一处进入造成的电流不均匀的问题，电流在N型GaN层2和P型GaN层4内部均匀分布，使N型GaN层2和P型GaN层4充分发挥作用，有效提高LED芯片的光效。以上具体结构和尺寸数据是对本技术的较佳实施例进行了具体说明，但本技术创造并不限于所述实施例，熟悉本领域的技术人员在不违背本技术精神的前提下还可做出种种的等同变形或替换，这些等同的变形或替换均包含在本申请权利要求所限定的范围内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高光效LED芯片结构，包括衬底，所述衬底上依次设置有N型层、量子阱有源区、P型层、DBR反射层，LED芯片表面设置有接触电极，其特征在于：所述DBR反射层上通过腐蚀设置有多个分散的N电极导孔，所述N电极导孔内设置有导电金属，所述N电极导孔分别连接N型层和接触电极。

【技术特征摘要】
1.一种高光效LED芯片结构，包括衬底，所述衬底上依次设置有N型层、量子阱有源区、P型层、DBR反射层，LED芯片表面设置有接触电极，其特征在于：所述DBR反射层上通过腐蚀设置有多个分散的N电极导孔，所述N电极导孔内设置有导电金属，所述N电极导孔分别连接N型层和接触电极。2.根据权利要求1所述的一种高光效LED芯片结构，其特征在于：所述LED芯片上设置有多个N型台阶，每个N型台阶上设置有一个N电极导孔。3.根据权利要求2所述的一种高光效LED芯片结构，其特征在于：所述P型层上方设置有ITO透明电极层。4.根据权利要求3所述的一种高光效LED芯片结构，其特征在于：所述DBR反...

【专利技术属性】
技术研发人员：易翰翔，李玉珠，刘洋，吴光芬，
申请(专利权)人：广东德力光电有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44