一种掺钨类金刚石碳膜的沉积设备制造技术

技术编号:14928015 阅读:163 留言:0更新日期:2017-03-30 19:47
本实用新型专利技术涉及一种掺钨类金刚石碳膜的沉积设备,包括一个密封的真空腔体,该真空腔体采用左右对称的结构,在真空腔体30°及150°位置处设置有小凸腔,小凸腔内放置有两个对称的高能离子源,在真空腔体0°及180°位置处设置有凸腔,凸腔内放置有一对铬靶及一对纯钨靶,在该真空腔体内设置有呈圆环形的工件转架,在该工件转架上则均设有若干个等距排列的工件,在由工件围成的内圆内设置有上下两排呈弧形对称的加热管。能够快束沉积掺钨DLC,能显著提高DLC膜层的硬度、膜/基结合力,韧性、耐磨性能,应用于机械、刀具、仪表、电子等产品的耐磨部件,国外客户反馈完全能满足他们的要求。

【技术实现步骤摘要】

本技术属于真空镀膜
,涉及一种快速沉积的掺钨类金刚石碳膜的沉积设备。
技术介绍
类金刚石碳膜(DLC)硬度高、表面光滑、摩擦系数低、耐磨性好,具有优异的化学惰性、生物相容性、电学性能、光学性能,且在低温容易实现大面积沉积,可以显著改善零件的耐磨抗蚀性能、使用寿命和减少摩擦能耗,在航空航天、精密机械、微型机电系统、工模具、光学、声学、生物医学等领域具有广阔的应用前景。但DLC膜存在内应力高,脆性大,膜/基结合强度低及热稳定性差等不足,这些缺陷在很大程度上成为DLC膜研究和产业化应用的“瓶颈”。如何避免DLC膜的上述缺陷是DLC膜研究的主要方向。降低DLC膜内应力和改善膜基结合强度的方法包括基体表面改性、过渡层制备、DLC膜的合金化、复合化和多层化等。在DLC膜中掺杂金属元素可在降低DLC膜内应力和改善膜/基结合强度的同时还改善DLC膜的硬度、韧性、热稳定性和耐磨性是DLC膜的研究热点。之前,我公司已经成功开发了DLC膜层,申请了专利CN204714891U(一种离子束快速沉积类金刚石薄膜设备),并成功应用于智能电子产品上,取得了良好的效果。为扩大我司制备的DLC膜层应用范围,我司正在对DLC镀层进行改进,以适应不同的应用领域。在DLC膜中掺杂钨可以形成碳化钨和非晶碳组成的复相结构,明显提高DLC膜的硬度、膜/基结合力、韧性,缓解DLC膜的内应力,从而大大降低DLC膜的磨损率,这使得掺钨DLC膜具有广泛的应用前景。
技术实现思路
为克服现有技术的缺点,本技术提供一种掺钨类金刚石碳膜的沉积设备,它能够提高硬度和膜基结合力。本技术解决其技术问题所采用的技术方案是:一种掺钨类金刚石碳膜的沉积设备,包括一个密封的真空腔体,该真空腔体采用左右对称的结构,在真空腔体30°及150°位置处设置有小凸腔,小凸腔内放置有两个对称的高能离子源,在真空腔体0°及180°位置处设置有凸腔,凸腔内放置有一对铬靶及一对纯钨靶,在该真空腔体内设置有呈圆环形的工件转架,在该工件转架上则均设有若干个等距排列的工件,在由工件围成的内圆内设置有上下两排呈弧形对称的加热管。在真空腔体的顶部设有一个抽真空口,该抽真空口与抽真空系统相连。在真空腔体的270°位置设有用于进出货的炉门。在所述炉门底部设有观测窗。在所述凸腔旁分别设置有左右两个气源管。本技术的有益效果是:能够快束沉积掺钨DLC,能显著提高DLC膜层的硬度、膜/基结合力,韧性、耐磨性能,应用于机械、刀具、仪表、电子等产品的耐磨部件,国外客户反馈完全能满足他们的要求。附图说明图1是本技术结构示意图。图中:1-抽真空口,2-真空腔体,3-工件,4、8-高能离子束源,5-铬靶,6-气源管,7-纯钨靶,9-加热管,10-工件转架,11-炉门,12-观测窗。具体实施方式下面结合附图和实施例对本技术进一步说明。参见图1,一种离子束沉积+磁控溅射相结合的掺钨类金刚石碳膜沉积设备,包括一个密封的真空腔体2,该真空腔体采用左右对称的结构,在真空腔体30°及150°位置处设置有小凸腔用于放置两个对称的高能离子源4和8,用于沉积DLC膜层,在真空腔体0°及180°位置处设置有凸腔用于放置铬靶5及纯钨靶7,用于沉积梯度层Cr/CrC/CrWC/WC和DLC层的掺W,在该真空腔体内设置有一个圆环形的工件转架10,在该工件转架上则均匀设置有若干个工件3,在工件围成的内圆内设置有上下两排呈弧形对称排列的加热管9,用于加热工件除气,保持沉积温度,在真空腔体的90°侧面连有一个抽真空口1连接抽真空系统,在真空腔体的270°位置开有炉门,用于加料,炉门上安装观测窗12,用于观察内部的沉积状况。在所述真空腔体0°及180°位置上的凸腔旁靶旁边布置有气源管6,用于均匀提供工作气体Ar和反应气体。采用本技术的设备沉积的掺钨DLC膜层成功应用于手表功能零件和装饰件,也可应用于刀具、机械等领域。具有镀膜时间短、成本低、膜层均匀、硬度高,耐磨性能好等特点。掺钨DLC的工艺开发项目的实施,可以使我司的DLC涂层应用由装饰、3C产品扩大到刀具、机械等行业。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种掺钨类金刚石碳膜的沉积设备,包括一个密封的真空腔体,其特征是:该真空腔体采用左右对称的结构,在真空腔体30°及150°位置处设置有小凸腔,小凸腔内放置有两个对称的高能离子源,在真空腔体0°及180°位置处设置有凸腔,凸腔内放置有一对铬靶及一对纯钨靶,在该真空腔体内设置有呈圆环形的工件转架,在该工件转架上则均设有若干个等距排列的工件,在由工件围成的内圆内设置有上下两排呈弧形对称的加热管。

【技术特征摘要】
1.一种掺钨类金刚石碳膜的沉积设备,包括一个密封的真空腔体,其特征是:该真空腔体采用左右对称的结构,在真空腔体30°及150°位置处设置有小凸腔,小凸腔内放置有两个对称的高能离子源,在真空腔体0°及180°位置处设置有凸腔,凸腔内放置有一对铬靶及一对纯钨靶,在该真空腔体内设置有呈圆环形的工件转架,在该工件转架上则均设有若干个等距排列的工件,在由工件围成的内圆内设置有上下两排呈弧形对称的加热管。2....

【专利技术属性】
技术研发人员:杜旭颖阮志明曾德强廖生王大洪陈明胜黄李平潘旋聂海天胡静云
申请(专利权)人:深圳市正和忠信股份有限公司
类型:新型
国别省市:广东;44

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