本实用新型专利技术公开了一种分补复合开关电路，包括三相分补电路、单片机、驱动模块、电源输入模块、稳压保护电路、晶振电路和控制电源外接端，所述单片机分别与三相分补电路、驱动模块、晶振电路、稳压保护电路和控制电源外接端相连接，所述电源输入模块分别与三相分补电路和稳压保护电路相连接，所述稳压保护电路与晶振电路连接，所述三相分补电路与驱动模块相连接。本实用新型专利技术一种分补复合开关电路通过控制三相分补电路进行电压过零投切，电流过零切断，从而实现不产生涌流和过电压，而且采用分相补偿，对三相不平衡负荷补偿效果良好，并且开关接通后低功耗，不用外加散热片，工作寿命长。本实用新型专利技术可广泛应用于电子电路领域中。
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及电子电路
，尤其涉及一种分补复合开关电路。
技术介绍
复合开关，是可控硅与磁保持继电器并联的一种机电一体化开关，是电子技术与传统电力开关结合的产品。以往的复合开关主要以继电器或可控硅单独实现电容投切，存在涌流大、功耗大等缺点，因此装置运行可靠性不高、性能不是很稳定，不能满足绝大多数场合的应用需要。
技术实现思路
为了解决上述技术问题，本技术的目的是提供一种能实现无涌流，且减少功耗的一种分补复合开关电路。本技术所采取的技术方案是：一种分补复合开关电路，包括三相分补电路、单片机、驱动模块、电源输入模块、稳压保护电路、晶振电路和控制电源外接端，所述单片机分别与三相分补电路、驱动模块、晶振电路、稳压保护电路和控制电源外接端相连接，所述电源输入模块分别与三相分补电路和稳压保护电路相连接，所述稳压保护电路与晶振电路连接，所述三相分补电路与驱动模块相连接。作为本技术的进一步改进，所述三相分补电路包括三个单相分补电路，各所述单相分补电路包括继电装置、过零投切电路、变压器、过零取样电路和波形放大电路，所述继电装置分别与过零投切电路、电源输入模块和驱动模块连接，所述过零投切电路分别与变压器和过零取样电路相连接，所述波形放大电路分别与单片机、电源输入模块和变压器相连接。作为本技术的进一步改进，所述单片机还连接有指示灯电路。作为本技术的进一步改进，所述波形放大电路包括第一PNP晶体管、第一NPN晶体管、第二NPN晶体管、第一电阻、第二电阻、第三电阻和第四电阻，所述第一NPN晶体管的基极通过第一电阻连接至单片机，所述第一NPN晶体管的基极通过第二电阻连接至第一NPN晶体管的发射极，所述第一NPN晶体管的集电极通过第三电阻连接至第一PNP晶体管的基极，所述第一NPN晶体管的集电极通过第四电阻连接至第二NPN晶体管的集电极，所述第二NPN晶体管的集电极连接至电源输入模块，所述第一PNP晶体管的基极与第二NPN晶体管的基极相连接，所述第二NPN晶体管的发射极分别与第一PNP晶体管的发射极和变压器相连接，所述第一PNP晶体管的集电极和第一NPN晶体管的发射极均与地连接。作为本技术的进一步改进，所述过零投切电路采用双向可控硅实现。作为本技术的进一步改进，所述驱动模块为达林顿驱动模块。本技术的有益效果是：本技术一种分补复合开关电路通过控制三相分补电路进行电压过零投切，电流过零切断，从而实现不产生涌流和过电压，而且采用分相补偿，对三相不平衡负荷补偿效果良好，并且开关接通后低功耗，不用外加散热片，工作寿命长。进一步，本技术还能通过过零取样电路进行缺载缺相检测，当出现缺相供电或空载时，则单片机控制开关不能闭合或退投。附图说明下面结合附图对本技术的具体实施方式作进一步说明：图1是本技术一种分补复合开关电路的原理方框图；图2是本技术一种分补复合开关电路中波形放大电路的电路原理图。具体实施方式参考图1，本技术一种分补复合开关电路，包括三相分补电路、单片机、驱动模块、电源输入模块、稳压保护电路、晶振电路和控制电源外接端，所述单片机分别与三相分补电路、驱动模块、晶振电路、稳压保护电路和控制电源外接端相连接，所述电源输入模块分别与三相分补电路和稳压保护电路相连接，所述稳压保护电路与晶振电路连接，所述三相分补电路与驱动模块相连接。进一步作为优选的实施方式，所述三相分补电路包括三个单相分补电路，各所述单相分补电路包括继电装置、过零投切电路、变压器、过零取样电路和波形放大电路，所述继电装置分别与过零投切电路、电源输入模块和驱动模块连接，所述过零投切电路分别与变压器和过零取样电路相连接，所述波形放大电路分别与单片机、电源输入模块和变压器相连接。进一步作为优选的实施方式，所述单片机还连接有指示灯电路。本实施例中，所述指示灯电路中采用了双色指示灯，当显示绿色时，表示电路正常工作；当显示红色时，表示电路处于保护状态。参考图2，进一步作为优选的实施方式，所述波形放大电路包括第一PNP晶体管PM1、第一NPN晶体管NM1、第二NPN晶体管NM2、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3和第四电阻R4，所述第一NPN晶体管NM1的基极通过第一电阻R1连接至单片机，所述第一NPN晶体管NM1的基极通过第二电阻R2连接至第一NPN晶体管NM1的发射极，所述第一NPN晶体管NM1的集电极通过第三电阻R3连接至第一PNP晶体管PM1的基极，所述第一NPN晶体管NM1的集电极通过第四电阻R4连接至第二NPN晶体管NM2的集电极，所述第二NPN晶体管NM2的集电极连接至电源输入模块，所述第一PNP晶体管PM1的基极与第二NPN晶体管NM2的基极相连接，所述第二NPN晶体管NM2的发射极分别与第一PNP晶体管PM1的发射极和变压器相连接，所述第一PNP晶体管PM1的集电极和第一NPN晶体管NM1的发射极均与地连接。进一步作为优选的实施方式，所述过零投切电路采用双向可控硅实现。本实施例中，所述双向可控硅的第一端与过零取样电路相连接，所述双向可控硅的第二端分别与变压器和过零取样电路相连接，所述双向可控硅的控制端连接至变压器。进一步作为优选的实施方式，所述驱动模块为达林顿驱动模块。本技术实施例中，电源输入模块中输入ABC相中任意的两相380V电压，所述过零取样电路采用光耦合器实现，所述单片机通过波形放大电路和变压器驱动过零投切电路中的双向可控硅，从而实现电压过零投切，电流过零切断，从而实现不产生涌流和过电压。本技术开关接通后低功耗，不用外加散热片，工作寿命长。本技术还能通过过零取样电路进行缺载缺相检测，当出现缺相供电或空载时，则单片机控制开关不能闭合或退投。以上是对本技术的较佳实施进行了具体说明，但本技术创造并不限于所述实施例，熟悉本领域的技术人员在不违背本技术精神的前提下还可做作出种种的等同变形或替换，这些等同的变形或替换均包含在本申请权利要求所限定的范围内。本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种分补复合开关电路，其特征在于：包括三相分补电路、单片机、驱动模块、电源输入模块、稳压保护电路、晶振电路和控制电源外接端，所述单片机分别与三相分补电路、驱动模块、晶振电路、稳压保护电路和控制电源外接端相连接，所述电源输入模块分别与三相分补电路和稳压保护电路相连接，所述稳压保护电路与晶振电路连接，所述三相分补电路与驱动模块相连接。
【技术特征摘要】
1.一种分补复合开关电路，其特征在于：包括三相分补电路、单片机、驱动模块、电源输入模块、稳压保护电路、晶振电路和控制电源外接端，所述单片机分别与三相分补电路、驱动模块、晶振电路、稳压保护电路和控制电源外接端相连接，所述电源输入模块分别与三相分补电路和稳压保护电路相连接，所述稳压保护电路与晶振电路连接，所述三相分补电路与驱动模块相连接。2.根据权利要求1所述的一种分补复合开关电路，其特征在于：所述三相分补电路包括三个单相分补电路，各所述单相分补电路包括继电装置、过零投切电路、变压器、过零取样电路和波形放大电路，所述继电装置分别与过零投切电路、电源输入模块和驱动模块连接，所述过零投切电路分别与变压器和过零取样电路相连接，所述波形放大电路分别与单片机、电源输入模块和变压器相连接。3.根据权利要求1所述的一种分补复合开关电路，其特征在于：所述单片机还连接有指示灯电路。4.根据权利要求2所述的一种分补复合开关电路，...
【专利技术属性】
技术研发人员：苏毅民，
申请(专利权)人：佛山市施诺尔电气有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44
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