本实用新型专利技术公开了一种用于硅片和晶体硅电池片的脆度测试装置，包括底座和固定安装于底座顶部的多个支撑杆，支撑杆和待测元件的底部接触配合并保持待测元件平行于水平方向，还包括用于下压待测元件中心位置的可竖直运动的顶部压头。将待测元件放置于支撑杆上，使其中心位于顶部压头正下方，然后顶部压头匀速下压，逐渐抵紧待测元件的顶面中心，直至测得待测元件的最大脆度值。采用上述结构设计，可以很方便的实现对硅片/晶体硅电池片的整片直接测量，而无需切割得到小体积的样品进行测量。同时还可以实现硅片/晶体硅电池片弯曲形变最大化，运用最大的载荷值来标定硅片/晶体硅电池片的脆度性能。
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及电子元件测试
，更具体地说，涉及一种用于硅片和晶体硅电池片的脆度测试装置。
技术介绍
太阳能电池因具备直接将太阳能转换成电能的能力，是一种现今大规模使用的清洁能源，由于产能、成本和转换效率方面的优势，晶体硅电池仍是目前主流产品。在晶体硅电池及组件生产过程中，需对原料及成品的各项质量性能进行严格管控。尤其是在当今高效电池技术的量产热潮中，制程工序的增加和具有损伤性的处理可能影响到电池的部分品质性能。注重电池品质，严格管控标准，才能防患于未然，保证高效电池规模化量产的顺利推进。生产过程中的破片将对电池及组件造成严重影响，故对硅片和电池片进行脆度性能测试非常重要。目前，光伏领域的硅片或晶体硅电池片脆度性能测量通常采用三点弯或四点弯方法，由于目前三点弯或四点弯方法意在测量标本上的感兴趣区，而非测量抗弯曲性能的最薄弱区，且测量宽度有限(无法实现整片的直接测量，需激光切割后进行测量)，所以在运用该方法测量时有一定偏差，不能实现对整片脆度的精确测量。为了精确评估单片硅片/晶体硅电池的脆度性能，首先要求是可以对硅片/晶体硅电池片实现整片直接测量，其次是充分实现硅片/晶体硅电池片弯曲形变最大化，运用最大的载荷值来标准硅片/晶体硅电池片的脆度性能。综上所述，如何有效地解决硅片和晶体硅电池片的脆度测试不精确的问题，是目前本领域技术人员急需解决的问题。
技术实现思路
有鉴于此，本技术的目的在于提供一种用于硅片和晶体硅电池片的脆度测试装置，该脆度测试装置的结构设计可以有效地解决硅片和晶体硅电池片的脆度测试不精确的问题。为了达到上述目的，本技术提供如下技术方案：一种用于硅片和晶体硅电池片的脆度测试装置，包括底座和固定安装于底座顶部的多个支撑杆，支撑杆和待测元件的底部接触配合并保持待测元件平行于水平方向，还包括用于下压待测元件中心位置的可竖直运动的顶部压头。优选地，上述脆度测试装置中，底座顶部具体为水平面，支撑杆高度均相等。优选地，上述脆度测试装置中，支撑杆的间距和待测元件的外轮廓相匹配。优选地，上述脆度测试装置中，支撑杆的底部均设有第一滑杆，底座设有与第一滑杆分别匹配的第一滑轨。优选地，上述脆度测试装置中，支撑杆的高度范围为30至80毫米，其半径范围为0.5至20毫米，其顶部设有圆角边缘。优选地，上述脆度测试装置中，顶部压头的高度范围为30至80毫米，其半径范围为0.5至20毫米，其底部设有圆角边缘。优选地，上述脆度测试装置中，还包括夹角为90度的一对竖直挡板，竖直挡板的底部均设有第二滑杆，底座设有与第二滑杆分别匹配的第二滑轨。本技术提供的用于硅片和晶体硅电池片的脆度测试装置，包括底座和固定安装于底座顶部的多个支撑杆，支撑杆和待测元件的底部接触配合并保持待测元件平行于水平方向，还包括用于下压待测元件中心位置的可竖直运动的顶部压头。应用本技术提供的脆度测试装置时，将待测元件放置于支撑杆上，调整待测元件的位置使得待测元件的中心位于顶部压头的正下方，与此同时待测元件应保持水平状态。然后顶部压头匀速下压，逐渐抵紧待测元件的顶面的中心，直至测得待测元件的最大脆度值。其中顶部压头的下压路径、下压速度以及检测并保存待测元件的最大脆度值的工作均可优选连接外部处理和执行单元实现。采用上述结构设计，可以很方便的实现对硅片/晶体硅电池片的整片直接测量，而无需切割得到小体积的样品进行测量。同时还可以实现硅片/晶体硅电池片弯曲形变最大化，运用最大的载荷值来标定硅片/晶体硅电池片的脆度性能。附图说明为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本技术实施例提供的用于硅片和晶体硅电池片的脆度测试装置的结构示意图。附图中标记如下：顶部压头1、竖直挡板2、支撑杆3、底座4。具体实施方式本技术实施例公开了一种用于硅片和晶体硅电池片的脆度测试装置，以避免难以对硅片和晶体硅电池片进行整体脆度测试，实现硅片和晶体硅电池片在测试过程中的弯曲形变最大化。下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。请参阅图1，图1为本技术实施例提供的用于硅片和晶体硅电池片的脆度测试装置的结构示意图。本技术的实施例提供了一种用于硅片和晶体硅电池片的脆度测试装置，包括底座4和固定安装于底座4顶部的多个支撑杆3，支撑杆3和待测元件的底部接触配合并保持待测元件平行于水平方向，还包括用于下压待测元件中心位置的可竖直运动的顶部压头1。应用上述实施例提供的脆度测试装置时，将待测元件放置于支撑杆3上，调整待测元件的位置使得待测元件的中心位于顶部压头1的正下方，与此同时待测元件应保持水平状态。然后顶部压头1匀速下压，逐渐抵紧待测元件的顶面的中心，直至测得待测元件的最大脆度值。其中顶部压头1的下压路径、下压速度以及检测并保存待测元件的最大脆度值的工作均可优选连接外部处理和执行单元实现。采用上述结构设计，可以很方便的实现对硅片/晶体硅电池片的整片直接测量，而无需切割得到小体积的样品进行测量。同时还可以实现硅片/晶体硅电池片弯曲形变最大化，运用最大的载荷值来标定硅片/晶体硅电池片的脆度性能。为了优化上述实施例中支撑杆3的使用效果，底座4顶部具体为水平面，支撑杆3高度均相等。通过优选底座4顶部具体为水平面的同时支撑杆3高度均相等，使得位于支撑杆3顶部的待测元件可以很方便的达到并保持水平状态，而无需人工进行过多的水平度的调整。同时，相同规格的支撑杆3在加工和安装等方面都可以起到节约工作时间、提高工作效率的效果。为了进一步优化上述实施例中支撑杆3的使用效果，支撑杆3的间距和待测元件的外轮廓相匹配。采用上述结构设计，使得支撑杆3尽可能的靠近待测元件的底面的边缘，可以提高待测元件的弯曲程度，同时也使得最终测得的脆度值无限接近整片待测元件的脆度值。为了更进一步优化上述实施例中支撑杆3的使用效果，支撑杆3的底部均设有第一滑杆，底座4设有与第一滑杆分别匹配的第一滑轨。优选在支撑杆3的底部均设有第一滑杆，底座4设有与第一滑杆分别匹配的第一滑轨，使得支撑杆3的位置调节更加方便，可以实现对不同尺寸的待测元件的脆度测试，该装置的适用范围更广泛。可以理解的是，支撑杆3的高度范围为30至80毫米，其半径范围为0.5至20毫米，其顶部设有圆角边缘。优选采用上述结构设计，使得支撑杆3的规格选取更加灵活，同时其圆角边缘也使得待测元件不会轻易受到挤压损伤。为了优化上述实施例中顶部压头1的使用效果，顶部压头1的高度范围为30至80毫米，其半径范围为0.5至20毫米，其底部设有圆角边缘。优选采用上述结构设计，使得顶部压头1的规格选取更加灵活，同时其圆角边缘也使得待测元件不会轻易受到挤压损伤。本技术的另一个具体实施本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种用于硅片和晶体硅电池片的脆度测试装置，其特征在于，包括底座(4)和固定安装于所述底座(4)顶部的多个支撑杆(3)，所述支撑杆(3)和待测元件的底部接触配合并保持所述待测元件平行于水平方向，还包括用于下压所述待测元件中心位置的可竖直运动的顶部压头(1)。
【技术特征摘要】
1.一种用于硅片和晶体硅电池片的脆度测试装置，其特征在于，包括底座(4)和固定安装于所述底座(4)顶部的多个支撑杆(3)，所述支撑杆(3)和待测元件的底部接触配合并保持所述待测元件平行于水平方向，还包括用于下压所述待测元件中心位置的可竖直运动的顶部压头(1)。2.根据权利要求1所述的脆度测试装置，其特征在于，所述底座(4)顶部具体为水平面，所述支撑杆(3)高度均相等。3.根据权利要求2所述的脆度测试装置，其特征在于，所述支撑杆(3)的间距和所述待测元件的外轮廓相匹配。4.根据权利要求3所述的脆度测试装置，其特征在于，所述支撑杆(3)的底部均...
【专利技术属性】
技术研发人员：李汉诚，苗丽燕，丁留伟，王学林，陈经纬，郭俊华，陈康平，
申请(专利权)人：浙江晶科能源有限公司，晶科能源有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江;33
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