半导体装置以及半导体装置的测量方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及半导体装置以及半导体装置的测量方法。其易于与外部相连接，且能分别测量各半导体芯片的特性。在第一接触部(131a)和第二接触部(141a)之间设置有间隙并靠近，从而构成从外部连接外部连接端子的螺纹孔(132)(连接区域)。此外，在半导体装置(100)中，第一接触部(131a)经由从侧面延伸出的第一连系部(131b)来从侧面延伸出，第二接触部(141a)经由从侧面延伸出的第二连系部(141b)从侧面延伸出，第一连系部(131b)和第二连系部(141b)隔开一定间隔以上。由此，在半导体装置(100)中，包含并联连接的第一半导体芯片(115)和第二半导体芯片(116)，能作为半导体装置(100)来进行工作。进一步地，在半导体装置(100)中，能得到第一半导体芯片(115)和第二半导体芯片(116)各自的电特性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体装置及半导体装置的测量方法。
技术介绍
半导体装置包含多个功率半导体芯片，用作为功率转换装置或开关装置。例如，半导体装置中可将包含IGBT(绝缘栅双极型晶体管)的半导体芯片、包含MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)的半导体芯片并联连接从而起到开关装置的作用(例如，参照专利文献1)。在专利文献1中，IGBT的发射极端子和MOSFET的源极端子以同电位连接至半导体装置的发射极端子，IGBT的集电极端子和MOSFET的漏极端子以同电位连接至半导体装置的外部集电极端子。在这种半导体装置中，从半导体装置的外部集电极端子输入有输入信号，并根据IGBT、MOSFET的栅极的导通、截止状态，从半导体装置的发射极端子得到输出信号，从而实现低损耗的开关功能。然而，在专利文献1的半导体装置中，对于半导体装置的发射极端子和外部集电极端子并联连接有半导体芯片(IGBT、MOSFET)。因此，在专利文献1的半导体装置中，若对出厂时的半导体芯片的耐压、漏电流等特性进行测量，则会测量出特性较低(即，耐压较低或漏电流较大)的半导体芯片的特性，难以测量其他半导体芯片的特性。此外，在测量正向压降等的情况下，由于多个半导体芯片的特性合成来表示，因此，难以测量各半导体芯片的特性。因而，在专利文献1中，难以在组装完半导体装置后，适当地确认半导体装置的特性。于是，可考虑使用与各半导体芯片(IGBT、MOSFET)的集电极端子、漏极端子分别电连接的外部连接端子来代替半导体装置的外部集电极端子。在该情况下，基于在向各外部连接端子分别输入有输入信号时从半导体装置的外部发射极端子得到的输出信号，能测量出各半导体芯片的电特性。现有技术文献专利文献专利文献1：日本专利特开平4－354156号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的技术问题如上所述那样，各半导体芯片(IGBT、MOSFET)的集电极端子、漏极端子分别电连接有外部连接端子的情况下，为了组装成半导体装置，需要将与各半导体芯片的集电极端子、漏极端子分别电连接的各外部连接端子进行接线，从而设置外部集电极端子。然而，若将外部连接端子进行接线，则半导体装置周边的接线有可能变得复杂，存在难以实现半导体装置周边的接线小型化的问题。本专利技术鉴于上述点而完成，其目的在于提供半导体装置及半导体装置的测量方法，该半导体装置容易与外部进行连接，且能分别测量各半导体芯片的特性。用于解决问题的技术方案根据本专利技术的一个观点，提供一种半导体装置，包括：配置于金属板上的第一半导体芯片和第二半导体芯片；与所述第一半导体芯片的主电极电连接的第一电极端子；以及与所述第二半导体芯片的主电极电连接的第二电极端子，所述第一电极端子具有第一接触部，所述第二电极端子具有第二接触部，所述第一接触部和所述第二接触部之间设置有间隙并靠近，从而构成从外部连接外部连接端子的连接区域。此外，根据本专利技术的一个观点，提供一种半导体装置的测量方法，该半导体装置中，所述第一接触部和所述第二接触部之间设置有间隙并靠近，从而构成连接来自外部的外部连接端子的连接区域，所述第一连系部和所述第二连系部隔开一定间隔以上，所述第一连系部和所述第二连系部分别与试验电极相接触，在所述间隙之间夹持有绝缘体，从而对所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片的电特性进行测量。专利技术效果根据公开的技术，能容易地对半导体装置进行布线以作为单个装置进行动作，且能测量各半导体芯片的特性。附图说明图1是表示实施方式1中的半导体装置的图。图2是表示实施方式1中的半导体装置的半导体芯片的电特性的测量的图。图3是表示实施方式1中的半导体装置所构成的电路结构的图。图4是表示参考例中的半导体装置的图。图5是表示实施方式1(变形例1)中的半导体装置的电极端子的图。图6是表示实施方式1(变形例2)中的半导体装置的电极端子的图。图7是表示实施方式1(变形例2)中的半导体装置的半导体芯片的电特性的测量的图。图8是表示实施方式1(变形例3)中的半导体装置的电极端子和半导体芯片的电特性的测量的图。图9是表示实施方式2中的半导体装置的图。图10是用于说明实施方式3中的半导体装置的图。图11是表示实施方式3中的半导体装置所构成的电路结构的图。图12是用于说明实施方式4中的半导体装置的图。图13是用于说明实施方式4中的半导体装置所构成的电路结构的图。具体实施方式以下，参照附图，对实施方式进行说明。[实施方式1]首先，使用图1说明半导体装置。图1是表示实施方式1中的半导体装置的图。另外，图1(A)是半导体装置100的俯视图、图1(B)是图1(A)的单点划线Y-Y处的剖视图。半导体装置100中层叠有：铝绝缘基板111；配置于铝绝缘基板111上且包含绝缘板112a和金属板112b的层叠基板112；经由焊料114配置于金属板112b上的半导体芯片115、116，且半导体装置100收纳于壳体119中并且由密封树脂(省略图示)所密封。另外，半导体芯片115、116例如包含二极管，在背面具有阴极电极，在正面具有阳极电极，背面侧的阴极电极与金属板112b电连接。此外，在壳体119设有电极端子120(图中右侧)、第一电极端子130和第二电极140(分别在图中左侧)。另外，电极端子120、第一电极端子130和第二电极端子140分别由导电性构件来构成。电极端子120具有外部连接部121、导通部123和布线连接部124。外部连接部121从壳体119的侧面延伸出且形成有与外部连接端子通过螺钉进行连接的螺纹孔122。导通部123与外部连接部121电连接，且内置于壳体119中。布线连接部124与导通部123电连接，且配置于壳体119内。此外，布线连接部124经由接合线117与层叠基板112的金属板112b电连接。此外，第一电极端子130还具有第一外部连接部131、第一导通部133和第一布线连接部134。第一外部连接部131从壳体119的侧面延伸出，进一步具有第一接触部131a和第一连系部131b。第一接触部131a例如形成为圆弧状，并与第一连系部131b相连接。第一连系部131b与第一接触部131a、第一导通部133相连接。第一导通部133与第一外部连接部131电连接，且内置于壳体119中。第一布线连接部134与第一导通部133电连接，且配置于壳体119内。此外，第一布线连接部134经由接合线118与层叠基板112的金属板112b上的第一半导体芯片115的阳极电极电连接。此外，第二电极端子140还具有第二外部连接部141、第二导通部143和第二布线连接部144。第二外部连接部141从壳体119的侧面延伸出，进一步具有第二接触部141a和第二连系部141b。另外，第二外部连接部141与第一外部连接部131相平行地配置。第二接触部141a例如形成为圆弧状，并与第二连系部141b相连接。第二连系部141b与第二接触部141a、第二导通部143相连接。第二导通部143与第二外部连接部141电连接，且内置于壳体119中。第二布线连接部144与第二导通部143电连接，且配置于壳体119内。此外，第二布线连接部144经由接合线118与层叠基板112的金属板112b上的第二半导体芯片116的阳极电极电连接。在这种第一电极端子130和第二电极端子14本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置，包括：配置于金属板上的第一半导体芯片和第二半导体芯片；与所述第一半导体芯片的主电极电连接的第一电极端子；以及与所述第二半导体芯片的主电极电连接的第二电极端子，所述第一电极端子具有第一接触部，所述第二电极端子具有第二接触部，所述第一接触部和所述第二接触部之间设置有间隙并靠近，从而构成从外部连接外部连接端子的连接区域。

【技术特征摘要】
2015.09.17 JP 2015-1838091.一种半导体装置，包括：配置于金属板上的第一半导体芯片和第二半导体芯片；与所述第一半导体芯片的主电极电连接的第一电极端子；以及与所述第二半导体芯片的主电极电连接的第二电极端子，所述第一电极端子具有第一接触部，所述第二电极端子具有第二接触部，所述第一接触部和所述第二接触部之间设置有间隙并靠近，从而构成从外部连接外部连接端子的连接区域。2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，层叠基板包括所述金属板、形成于所述金属板的正面的绝缘板，所述层叠基板、所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片收纳于进行收纳的壳体，所述第一接触部和所述第二接触部从所述壳体的侧面延伸出，所述第一电极端子在所述壳体内与所述第一半导体芯片的所述主电极电连接，所述第二电极端子在所述壳体内与所述第二半导体芯片的所述主电极电连接。3.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，所述第一接触部经由从所述侧面延伸出的第一连系部从所述侧面延伸出，所述第二接触部经由从所述侧面延伸出的第二连系部从所述侧面延伸出，所述第一连系部和所述第二连系部隔开一定间隔以上。4.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第一接触部和所述第二接触部作为所述连接区...

【专利技术属性】
技术研发人员：佐藤忠彦，
申请(专利权)人：富士电机株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP