【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及发光装置。
技术介绍
作为现有的发光装置,已知如下装置(例如,参照专利文献1):其在发光二极管的上方设置掺入有荧光体的合成树脂制的罩,使从发光二极管发出的光与从荧光体发出的荧光相结合而生成白色光,该荧光体吸收了由发光元件发出的光的一部分。根据专利文献1,在专利文献1所述的发光装置中,含有荧光体的合成树脂制的罩与发光二极管是分离开的,因此,不易由于从发光二极管发出的光、热而引起劣化,能够延长发光装置的寿命。现有技术文献专利文献专利文献1:特开2003-347601号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题荧光体会吸收从发光元件发出的光,引起由于来自发光元件的光的波长与荧光的波长之差(能量之差)而导致的发热。例如,若将伴随荧光体的波长转换的量子效率假定为1,则在将波长为450nm的蓝色光吸收而发出波长为560nm的黄色荧光的情况下,所吸收的能量的约20%会变为热,在将波长为450nm的蓝色光吸收而发出波长为650nm的红色荧光的情况下,所吸收的能量的约30%会变为热。实际上,荧光体的量子效率是小于1的,因此会有更多的能量变为热。另一方面,荧光体具有发光量会随着温度的上升而减少的温度消光特性。温度消光的大小直接影响发光装置的发光效率。因此,为使利用了荧光体的发光装置具有高发光效率,抑制使用时的荧光体的温度上升并尽可能抑制温度消光极其重要。而且,荧光体的温度上升会招致从发光元件发出的光的吸收率的 ...
【技术保护点】
一种发光装置,具有:发光元件,其发出具有480nm以下的峰值波长的光;荧光体层,其能转换上述发光元件发出的光的波长;以及散热部件,其将上述荧光体层中产生的热排出,上述荧光体层是由单晶荧光体、陶瓷荧光体、含有荧光体粒子的玻璃构成的层,或者是包含透明基板及形成在其表面上的含有荧光体粒子的树脂层的层,上述荧光体层是覆盖上述发光元件的上方和侧方并直接连接到上述散热部件的层,或者是覆盖上述发光元件的上方并通过粘合层连接到包围上述发光元件的侧壁的层,上述侧壁是第1侧壁或者第2侧壁,上述第1侧壁具有包围上述LED元件的绝缘性的基体和形成于上述基体的上述LED元件侧的侧面的金属层,上述金属层与上述散热部件及上述粘合层接触,上述第2侧壁由与上述散热部件及上述粘合层接触的陶瓷或者金属构成,上述粘合层是由含有粒子的树脂构成且上述粒子的导热率比上述树脂的导热率高的树脂层,或者是由焊料构成的层。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2013.08.09 JP 2013-1669201.一种发光装置,具有:
发光元件,其发出具有480nm以下的峰值波长的光;
荧光体层,其能转换上述发光元件发出的光的波长;以及
散热部件,其将上述荧光体层中产生的热排出,
上述荧光体层是由单晶荧光体、陶瓷荧光体、含有荧光体粒子的玻璃构成的层,或者是
包含透明基板及形成在其表面上的含有荧光体粒子的树脂层的层,
上述荧光体层是覆盖上述发光元件的上方和侧方并直接连接到上述散热部件的层,或
者是覆盖上述发光元件的上方并通过粘合层连接到包围上述发光元件的侧壁的层,
上述侧壁是第1侧壁或者第2侧壁,
上述第1侧壁具有包围上述LED元件的绝缘性的基体和形成于上述基体的上述LED元件
侧的侧面的金属层,上述金属层与上述散热部件及上述粘合层接触,
上述第2侧壁由与上述散热部件及上述粘合层接触的陶瓷或者金属构成,
上述粘合层是由含有粒子的树脂构成且上述粒子的导热率比上述树脂的导热率高的
树脂层,或者是由焊料构成的层。
2.根据权利要求1所述的发光装置,
上述荧光体层是通过上述粘合层连接到上述侧壁的层,
上述散热部件包含上述发光元件电连接的金属衬垫,
上述侧壁是上述第1侧壁或者由陶瓷构成的上述第2侧壁。
3.根据权利要求1所述的发光装置,
上述荧光体层是通过上述粘合层连接到上述侧壁的层,
上述侧壁是由金属构成的上述第2侧壁,
上述发光元件与上述散热部件之间是绝缘的。
4.根据权利要求1~3中的任1项所述的发光装置,
上述荧光体层是通过上述粘合层连接到上述侧壁的层,
上述散热部件包含与上述第1侧壁的上述基体一体地且由与上述第1侧壁的由陶瓷构
成的上述基体相同的材料形成的部件,或者与上述第2侧壁一体地且由与上述第2侧壁相同
的材料形成的部件。
5.根据权利要求1~3中的任1项所述的发光装置,
上述荧光体层是通过上述粘合层连接到上述侧壁的层,
上述散热部件包含反射器,上述反射器与上述第1侧壁的由陶瓷构成的上述基体或者
上述第2侧壁接触,向上述发光元件的上方开口。
6.根据权利要求1~3中的任1项所述的发光装置,
上述散热部件包含位于上述发光元件的下方的散热器。
7.根据权利要求1~3中的任1项所述的发光装置,
还具有用于将上述发光元件的热排出的发光元件用散热部件,
上述散热部件与上述发光元件用散热部件之间是热分离的。
8.根据权利要求1~3...
【专利技术属性】
技术研发人员:猪股大介,佐野广明,吉田清太郎,青木和夫,岛村清史,恩卡纳西翁·安东尼亚·加西亚·比略拉,
申请(专利权)人:株式会社光波,株式会社田村制作所,国立研究开发法人物质·材料研究机构,
类型:发明
国别省市:日本;JP
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