一种挽救滁菊组培苗霉菌污染的方法技术

本发明专利技术公开了一种挽救滁菊组培苗霉菌污染的方法，利用本方法可去除组培苗上面的污染使种苗能继续生长，同时挽救稀缺的种苗，减少损失。本发明专利技术的主要过程是：将滁菊组培污染瓶放在超净工作台上，打开瓶盖将升汞倒入瓶中至淹没培养基表面进行消毒，然后剪下滁菊组培苗放入升汞中消毒处理，最后将消毒好的组培苗剪成茎段接入另一培养基瓶中再培养。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是关于组培苗污染的处理方法，更具体的说，是一种挽救滁菊组培苗霉菌污染的处理方法。
技术介绍
植物组织培养技术是现代生物技术的重要领域之一，也是在农业生产上应用最为广泛、最为成功的领域，在植物优良种质的保存、繁殖、脱毒复壮等领域发挥着重要作用。组织培养技术是在无菌的条件下将活器官、组织或细胞置于培养基内，并放在适宜的环境中，进行连续培养而成的细胞、组织或个体。采用植物组织培养快速繁殖技术，既可保持优良品种的特征、特性，又可加速优良品种的繁殖。在无菌培养中，总或多或少有部分苗子因为各种原因导致污染致使组培苗死亡，导致部分稀缺的材料丢失。本方法就是针对污染苗采取相应的消毒方式，最大程度挽救污染苗，减少损失。
技术实现思路
本专利技术的目的是克服污染导致组培苗的死亡，提供一种处理组培污染苗方法的技术，挽救稀缺种苗的死亡，减少损失。本专利技术是这样实现的：.一种挽救滁菊组培苗霉菌污染的方法包括以下技术环节：①污染瓶中消毒：将滁菊组培污染瓶放在超净工作台上，打开瓶盖将0.1%升汞倒入瓶中至淹没培养基表面进行消毒处理；②污染苗消毒：用剪刀将瓶中滁菊苗的中上部分剪下放入0.1%升汞中处理，消毒后用无菌水冲洗3-4次；③接种：用剪刀将消毒后的滁菊苗剪成0.5cm长左右的茎段，用镊子将茎段接种到另一培养基瓶中，每瓶接种2个茎段；④培养：将接种好的组培瓶放入组培室中培养，培养温度20-25℃，光照强度2000lx，光照时间12h/d。所述升汞淹没培养基表面高度最好为0.2-0.5cm，所述消毒处理培养基时间最好为5-8min，所述消毒处理滁菊苗时间最好为1-2min，本专利技术的有益效果：本专利技术通过对组织培养污染瓶及苗的消毒处理，有效地消除了组培苗的污染，使得种苗较好地保存培养下来，减少了损失。具体实施方式下面结合具体实施例对本专利技术进行进一步的描述；实施例：一种挽救滁菊组培苗霉菌污染的方法，其特征是，它包括以下技术环节：①污染瓶中消毒：将滁菊组培污染瓶放在超净工作台上，打开瓶盖将0.1%升汞倒入瓶中至淹没培养基表面高度为为0.3cm，消毒处理5min；②污染苗消毒：用剪刀将瓶中滁菊苗的中上部分剪下放入0.1%升汞中处理1min，消毒后用无菌水冲洗3-4次；③接种：用剪刀将消毒后的滁菊苗剪成0.5cm长左右的茎段，用镊子将茎段接种到另一培养基瓶中，每瓶接种2个茎段；④培养：将接种好的组培瓶放入组培室中培养，培养温度20-25℃，光照强度2000lx，光照时间12h/d。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种挽救滁菊组培苗霉菌污染的方法，其特征是，它包括以下技术环节：①污染瓶中消毒：将滁菊组培污染瓶放在超净工作台上，打开瓶盖将0.1%升汞倒入瓶中至淹没培养基表面进行消毒处理；②污染苗消毒：用剪刀将瓶中滁菊苗的中上部分剪下放入0.1%升汞中处理，消毒后用无菌水冲洗3‑4次；③接种：用剪刀将消毒后的滁菊苗剪成0.5 cm长左右的茎段，用镊子将茎段接种到另一培养基瓶中，每瓶接种2个茎段；④培养：将接种好的组培瓶放入组培室中培养，培养温度20‑25℃，光照强度2000 lx，光照时间12h/d。

【技术特征摘要】
1.一种挽救滁菊组培苗霉菌污染的方法，其特征是，它包括以下技术环节：
①污染瓶中消毒：将滁菊组培污染瓶放在超净工作台上，打开瓶盖将0.1%升汞倒入瓶中至淹没培养基表面进行消毒处理；
②污染苗消毒：用剪刀将瓶中滁菊苗的中上部分剪下放入0.1%升汞中处理，消毒后用无菌水冲洗3-4次；
③接种：用剪刀将消毒后的滁菊苗剪成0.5cm长左右的茎段，用镊子将茎段接种到另一培养基瓶中，每瓶接种2个茎段；
④培养：将接种好的组培瓶放入组...

【专利技术属性】
技术研发人员：王少荣，
申请(专利权)人：王少荣，
类型：发明
国别省市：安徽;34