发光二极管芯片封装体制造技术

本揭露提供一种发光二极管芯片封装体包含基板，具金属端子(金手指结构)，发光组件由多个发光二极管芯片一体成形(formed in one piece)或为晶圆级封装，且发光组件具有多个互相隔开的发光区，发光组件设于基板上且电性连接于金属端子。本揭露可使发光二极管芯片封装体的制造步骤不需要以高精密度的方式紧密排列彼此分离的多个发光二极管芯片，故可大幅降低生产成本。

【技术实现步骤摘要】

本揭露有关于芯片封装体，且特别有关于一种发光二极管芯片封装体。
技术介绍
发光二极管芯片封装体中的发光二极管(LED)通过在基底上形成主动层，以及在基底上沉积不同导电层和半导体层的方式所形成。利用p-n接面中的电流，电子-电洞对的再结合(recombination)辐射可用于产生电磁辐射(例如光)。在例如GaAs或GaN的直接能隙材料(directbandgapmaterial)形成的顺向偏压的P-N接面中，注入空乏区中的电子-电洞对的再结合导致电磁辐射发光。上述电磁辐射可位于可见光区或非可见光区。可利用具有不同能隙的材料形成不同颜色的发光二极管。另外，在非可见光区的电磁辐射可通过磷透镜转换成可见光。在现今发光二极管芯片封装体产业皆朝大量生产的趋势迈进的情况下，任何可简化发光二极管芯片封装体的制程步骤或是降低其生产成本的方法皆可带来巨大的经济效益。因此，业界亟须一种生产成本低且可由较简易的制程生产而得的发光二极管芯片封装体。
技术实现思路
依据本揭露的一些实施例，提供发光二极管芯片封装体，其包含基板，具金属端子(金手指)；以及发光组件由多个发光二极管芯片一体成形(formedinonepiece)，且发光组件具有多个互相隔开的发光区，发光组件设于基板上且电性连接于金属端子。依据本揭露的一些实施例，提供发光二极管芯片封装体，其包含基板，具金属端子；以及发光组件为晶圆级封装(WaferLevelChipScalePackaging)，且发光组件具有多个互相隔开的发光区，发光组件设于基板上且电性连接于金属端子。本揭露可使发光二极管芯片封装体的制造步骤不需要以高精密度的方式紧密排列彼此分离的多个发光二极管芯片，故可大幅降低生产成本。为让本揭露的特征、和优点能更明显易懂，下文特举出较佳实施例，并配合所附图式，作详细说明如下。附图说明图1A为本揭露一实施例。图1B为图1A沿BB'剖面线的剖视图。图1C为本揭露另一实施例。图1D为图1C沿DD'剖面线的剖视图。图1E为本揭露再一实施例。图1F为图1E沿FF'剖面线的剖视图。图2A为本揭露一实施例的发光二极管芯片封装体的基板剖面图。图2B为本揭露另一实施例的发光二极管芯片封装体的基板剖面图。图2C为本揭露再一实施例的发光二极管芯片封装体的基板剖面图。其中，附图标记说明如下：100发光二极管芯片封装体；102基板；102A基板的第一部分；102B基板的第二部分；104发光组件；106A发光二极管芯片；106B发光二极管芯片；106C发光二极管芯片；106D发光二极管芯片；108A发光区；108B发光区；108C发光区；108D发光区；110导线结构；110A导线结构；110B导线结构；110C导线结构；112A第一电极；112B第一电极；114萤光片；116反射元件；118半导体基底；120金属端子；122电性连接区；123绝缘区；124金属层；124A凸块；126保护层；128黏着层；129黏着层；130线路；132石墨纤维层；134固晶区；1B-1B'、1D-1D'、1F-1F'线段；200发光二极管芯片封装体；300发光二极管芯片封装体。具体实施方式以下针对本揭露的发光二极管芯片封装体及其制造方法作详细说明。应了解的是，以下的叙述提供许多不同的实施例或例子，用以实施本揭露的不同方式。以下所述特定的元件及排列方式尽为简单描述本揭露。当然，这些仅用以举例而非本揭露的限定。此外，在不同实施例中可能使用重复的标号或标示。这些重复仅为了简单清楚地叙述本揭露，不代表所讨论的不同实施例及/或结构的间具有任何关连性。再者，当述及一第一材料层位于一第二材料层上或之上时，包括第一材料层与第二材料层直接接触的情形。或者，亦可能间隔有一或更多其它材料层的情形，在此情形中，第一材料层与第二材料层之间可能不直接接触。必需了解的是，为特别描述或图示的元件可以此技术人士所熟知的各种形式存在。此外，当某层在其它层或基板「上」时，有可能是指「直接」在其它层或基板上，或指某层在其它层或基板上，或指其它层或基板之间夹设其它层。此外，实施例中可能使用相对性的用语，例如「较低」或「底部」及「较高」或「顶部」，以描述图示的一个元件对于另一元件的相对关系。能理解的是，如果将图示的装置翻转使其上下颠倒，则所叙述在「较低」侧的元件将会成为在「较高」侧的元件。在此，「约」、「大约」的用语通常表示在一给定值或范围的20％之内，较佳是10％之内，且更佳是5％之内。在此给定的数量为大约的数量，意即在没有特定说明的情况下，仍可隐含「约」、「大约」的含义。本揭露实施例利用由多个发光二极管芯片一体成形(formedinonepiece)的发光组件来制造发光二极管片封装体，以简化制造步骤并降低生产成本，且发光组件具有多个分开的发光区。此发光组件亦可称为晶圆级封装(WaferLevelChipScalePackaging)的发光组件。参见图1A-1E，其为本揭露的一些实施例的发光二极管芯片封装体100在其制造方法中各阶段的侧视图或剖面图。首先，参见图1A，图1A为本揭露的一些实施例的发光二极管芯片封装体100在制造过程中其中一阶段的侧视图。发光二极管芯片封装体100包括基板102，发光组件104设于此基板102上，基板102上具有金属端子结构120(俗称为金手指结构)，以及与金属端子120电性连接的电性连接区122。此外，基板102上不属于金属端子120和电性连接区122的部分为不具导电性的绝缘区123。基板102可包括陶瓷材质基板、金属基板或其它任何适合的散热基板。金属端子120可包括多个铜垫，在铜垫的表面上通常会电镀一层金以增进其导电能力。电性连接区122固定于基板102上，发光组件104通过电性连接区122而电性连接至其他外部导电元件(未绘示)。绝缘区123的材料包括聚亚酰胺、苯环丁烯(butylcyclobutene,BCB)、聚对二甲苯(parylene)、萘聚合物(polynaphthalenes)、氟碳化物(fluorocarbons)、丙烯酸酯(acrylates)或前述的组合，除绝缘的效果外，亦提供保护设置于基板102内的线路或其他元件(未绘示)。参见图1B，图1B为图1A的发光二极管芯片封装体100的剖面线1B-1B'所绘示的剖面图。如图1B所示，上述发光组件104由多个发光二极管芯片，例如4个发光二极管芯片106A、106B、106C及106D一体成形(formedinonepiece)而组成，或者，亦可称此发光组件104为晶圆级封装(WaferLevelChipScalePackaging)的发光组件104。虽然图式中显示4个发光二极管芯片，但本揭露的实施例并不限于此，发光组件104也可以由2个发光二极管芯片或更多发光二极管芯片组成。这些发光二极管芯片106A、106B、106C及106D可各自独立的包括紫外光发光二极管芯片、蓝光发光二极管芯片、绿光发光二极管芯片、红光发光二极管芯片或其它任何需要的发光二极管芯片，并且分别对应至互相隔开的发光区108A、108B、108C及108D。发光组件104通过设置于基板102内部的导线(未显示)与金属端子120电性连接。在本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光二极管芯片封装体，包括：一基板，具一金属端子；以及一发光组件由多个发光二极管芯片一体成形，且该发光组件具有多个互相隔开的发光区，该发光组件设于该基板上且电性连接于该金属端子。

【技术特征摘要】
2015.09.21 TW 1041310941.一种发光二极管芯片封装体，包括：一基板，具一金属端子；以及一发光组件由多个发光二极管芯片一体成形，且该发光组件具有多个互相隔开的发光区，该发光组件设于该基板上且电性连接于该金属端子。2.一种发光二极管芯片封装体，包括：一基板，具一金属端子；以及一发光组件，该发光组件为晶圆级封装，其中该发光组件具有多个互相隔开的发光区，该发光组件设于该基板上且电性连接于该金属端子。3.如权利要求1或2所述的发光二极管芯片封装体，其中该发光组件包括一第一电极及一第二电极，其中该第一电极与该第二电极位于该发光组件的同一侧边缘。4.如权利要求3所述的发光二极管芯片封装体，其中该第一电极与该第二电极位于多个发光区的同一个发光区上或不同的发光区上。5.如权利要求1或2所述的发光二极管芯片封装体，其中所述发光区的一间距大于0且小于50um。6.如权利要求1或2所述的发光...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈怡君，林志豪，
申请(专利权)人：隆达电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71