探针结构及其制造方法技术

本发明专利技术提出一种探针结构及其制造方法，探针结构包含一探针本体，探针本体包含一针尖部，针尖部包含一端面、二坡面与至少三凸块，二坡面分别自端面的二侧朝远离端面的方向延伸，至少三凸块凸设于端面，各凸块与端面的连接处形成有导角，且相邻二凸块之间的间距大于或等于150微米。此外，本发明专利技术亦提出一种探针结构的制造方法。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种探针结构及其制造方法，特别涉及一种应用于集成电路测试的探针结构及其制造方法。
技术介绍
近年来，集成电路(integratedcircuit)的应用已逐渐普及，在集成电路制作完成后，为了能筛选出不良品，通常会通过测试装置将测试信号传送至集成电路来测试其功能是否符合预期，以控管集成电路的出厂良率。于此，现有的测试技术可藉由探针装置直接与待测集成电路上的焊垫或是输出入垫(I/Opad)直接接触，藉由测试装置经探针发送测试信号至集成电路进行检测，再由探针将测试结果回送至测试装置进行分析。探针本身由低电阻率的合金所制成，因此其电阻值一般而言非常小。因此当测试电流流过的时候，电流通过探针时所仍会产生的相当的热能，在一般情况下，测试电流流过探针所产生的热能并不会损害探针或者集成电路本身。然而一旦通过探针的电流超过探针本身所设计的耐受值时，并不至于对则探针本身将被加热到高温，导致探针本身或是待测元件集成电路因此受到热伤害。传统探针仅具有一针尖端，当测试电流流过时，所有电流均集中在探针的针尖端，此时探针的针尖端附近容易成为局部产生的高温区容易而在测试过程中损坏探针本身，甚至是损坏集成电路。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术的目的在于提供一种探针结构及探针结构的制造方法，能够通过凸块分流的方式，解决现在技术的探针在进行测试时容易过热的问题。本专利技术提出一种探针结构，其包含一探针本体，探针本体包含一针尖部，针尖部包含一端面、二坡面与至少三凸块，二坡面分别自端面的二侧朝远离端面的方向延伸，至少三凸块凸设于端面，各凸块与端面的连接处形成有导角，且相邻二凸块之间的间距大于或等于150微米。本专利技术另提出一种探针结构，包含一探针本体与一金属片。探针本体包含一针尖部，针尖部包含一端面与二坡面，二坡面分别自端面的二侧朝远离端面的方向延伸。金属片包含一侧表面与至少三凸块，至少三凸块凸设于侧表面，各凸块与侧表面的连接处形成有导角，且相邻二凸块之间的间距大于或等于150微米。其中金属片固接于针尖部的其中一坡面，且所述至少三凸块均凸出于端面。本专利技术更提出一种探针结构的制造方法，包含：提供一金属棒体，所述金属棒体为实心且具有一第一端与一第二端；以线切割方式斜切所述第一端，而于所述第一端形成相对的二坡面；及以线切割方式沿所述二坡面的交会处进行切割，而于所述二坡面的交会处形成至少三凸块，各所述凸块的底部形成有导角，且相邻二所述凸块之间的间距大于或等于150微米。本专利技术另提出一种探针结构的制造方法，包含：提供一金属棒体，金属棒体为实心且具有一第一端与一第二端；以线切割方式斜切第一端，而于第一端形成相对的二坡面；焊接一金属片于其中一坡面，且金属片的一部分凸出于第一端；以线切割方式对金属片凸出于第一端的部分进行切割，而于金属片的所述部分形成朝金属棒体的轴向凸出的至少三个凸块，各凸块的底部形成有导角，且相邻二凸块之间的间距大于或等于150微米。综上所述，本专利技术上述提出的探针结构及探针结构的制造方法可通过凸块分流的方式，解决现在技术的探针在进行测试时容易过热的问题。以下结合附图和具体实施例对本专利技术进行详细描述，但不作为对本专利技术的限定。附图说明图1A为本专利技术的探针结构示意图；图1B为本专利技术的另一探针结构示意图；图2为本专利技术第一实施例的针尖部的立体示意图；图3为本专利技术第一实施例的针尖部的侧视示意图；图4为本专利技术第一实施例的针尖部的前视示意图；图5为本专利技术第二实施例的针尖部的立体示意图；图6为本专利技术第二实施例的针尖部的侧视示意图；图7为本专利技术第二实施例的针尖部的前视示意图；图8为本专利技术第三实施例的针尖部的侧视示意图；图9为本专利技术第三实施例的针尖部的前视示意图；图10为根据本专利技术的探针结构的制造方法流程图；图11为根据本专利技术的另一探针结构的制造方法流程图。其中，附图标记10、90探针结构11、91探针本体111、211、311、911针尖部111a、211a、311a端面111b、211b、311b坡面111c、211c、311c坡面1111、2111、3111凸块112、912针尾部113、913第一区段114第二区段33金属片331a侧表面W1、W2、W3间距R1导角θ1第一夹角θ2第二夹角θ3第三夹角步骤S01提供一金属棒体步骤S02以线切割方式于金属棒体的一端形成二坡面步骤S03以线切割方式于二坡面交会处形成至少三凸块步骤T01提供一金属棒体步骤T02以线切割方式于金属棒体的一端形成二坡面步骤T03焊接一金属片于其中一坡面步骤T04以线切割方式于金属片的边缘形成至少三凸块具体实施方式下面结合附图对本专利技术的结构原理和工作原理作具体的描述：请参照图1A，为本专利技术的探针结构示意图，所揭露的探针结构10包含探针本体11，探针本体11包含针尖部111、针尾部112、第一区段113与第二区段114。针尾部112直接连接于针尖部111，第一区段113的二端则分别连接于针尾部112与第二区段114。针尾部112与第一区段113定义了一第一夹角θ1，其是在150度至175度的范围间。第一区段113与第二区段114定义了一第二夹角θ2，其是在75度至105度的范围间。本实施例的针尖部111、针尾部112、第一区段113与第二区段114为一体成形的实心结构。另请参照图1B，为本专利技术的另一探针结构的示意图，所揭露的探针结构90包含探针本体91，探针本体91包含针尖部911、针尾部912及第一区段913。针尾部912的一端直接连接于针尖部911，另一端连接于第一区段913。针尾部912与第一区段913定义了一第三夹角θ3，其在110度至135度的范围间。此外，针尖部911、针尾部912与第一区段913为一体成形的实心结构。为方便陈述，以下各实施例以探针结构10为基础来说明，在此需特别说明，以下各实施例同样亦可实现于探针结构90上。请进一步参照图2至图4，分别为本专利技术第一实施例的针尖部立体示意图、侧视示意图与前视示意图。本实施例的针尖部111包含一端面111a、坡面111b、坡面111c与至少三个凸块1111。坡面111b与坡面111c分别自端面111a的二侧朝远离端面111a的方向延伸。至少三凸块1111凸设于端面111a，且各个凸块1111与端面111a的连接处形成有导角R1。相邻二凸块1111之间的间距W1大于或等于150微米。当探针结构10应用于集成电路的测试时，凸块1111必须插入金属焊垫中。由于金属焊垫表面常常形成有氧化层，因此凸块1111的抗压强度必须够高始足以令其穿过硬度较高的氧化层。本实施例的各个凸块1111与端面111a的连接处均行成有导角R1，如此一来，在凸块1111穿透金属焊垫表面的过程中，凸块1111与端面111a的连接处便不容易因为应力集中而发生破坏。进一步来说，本案的一根探针结构10是对应单一个金属焊垫，因此探针结构10的所有凸块1111是同时对应单一个金属焊垫。此外，探针结构10于集成电路测试过程中，电流纵使会先被各个凸块1111分流，然后再自端面111a汇入探针本体11。然而电流流经凸块1111时仍会因欧姆定律而发热，倘若凸块1111彼此间的间距W1过近，则凸块1111之间可能会有散热不良的现象产生。以黄铜合金制成的探针本体11本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种探针结构，其特征在于，包含：一探针本体，包含一针尖部，所述针尖部包含一端面、二坡面与至少三凸块，所述二坡面分别自所述端面的二侧朝远离所述端面的方向延伸，所述至少三凸块凸设于所述端面，各所述凸块与所述端面的连接处形成有导角，且相邻二所述凸块之间的间距大于或等于150微米。

【技术特征摘要】
2015.09.21 TW 1041311951.一种探针结构，其特征在于，包含：一探针本体，包含一针尖部，所述针尖部包含一端面、二坡面与至少三凸块，所述二坡面分别自所述端面的二侧朝远离所述端面的方向延伸，所述至少三凸块凸设于所述端面，各所述凸块与所述端面的连接处形成有导角，且相邻二所述凸块之间的间距大于或等于150微米。2.一种探针结构，其特征在于，包含：一探针本体，包含一针尖部，所述针尖部包含一端面与二坡面，所述二坡面分别自所述端面的二侧朝远离所述端面的方向延伸；及一金属片，所述金属片包含一侧表面与至少三凸块，所述至少三凸块凸设于所述侧表面，各所述凸块与所述端面的连接处形成有导角，且相邻二凸块之间的间距大于或等于150微米；其中所述金属片固接于所述针尖部的其中一所述坡面，且所述至少三凸块凸出于所述端面。3.根据权利要求1或2所述的探针结构，其特征在于，各所述凸块的整体外观为矩形锥状。4.根据权利要求1或2所述的探针结构，其特征在于，各所述凸块的整体外观为矩形柱状。5.根据权利要求1或2所述的探针结构，其特征在于，所述二坡面分别为二平面。6.根据权利要求1或2所述的探针结构，其特征在于，所述二坡面分别为一平面与一曲面。7.根据权利要求1或2所述的探针结构，其特征在于，各所述凸块的外表面镀有一低电阻层，所述低电阻层的材质为金、银、石墨烯、铱、钯或钴。8.根据权利要求1或2所述的探针结构，其特征在于，所述探针本体更包含一针尾部、一第一区段与一第二区段，所述针尾部连接于所述针尖部，所述第一区段的二端分别连...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡锦溢，陈建宏，余陈志，
申请(专利权)人：旺矽科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71