半导体装置及经封装半导体装置制造方法及图纸

一种半导体装置及经封装半导体装置，包含具有表面修整层的可路由的模制引线框架结构。所述可路由的模制引线框架结构包含第一层压层，所述第一层压层包含所述表面修整层、连接到所述表面修整层的导通孔，及覆盖所述导通孔从而使所述表面修整层的顶部表面暴露的第一树脂层。第二层压层包含连接到所述导通孔的第二传导图案、连接到所述第二传导图案的凸块垫，及覆盖所述第一树脂层的一个侧、所述第二传导图案及所述凸块垫的第二树脂层。半导体裸片电连接到所述表面修整层，且囊封物覆盖所述半导体裸片及所述第一树脂层的另一侧。所述表面修整层提供用于将所述半导体裸片连接到所述可路由的模制引线框架结构的可定制且经改进的接合结构。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及电子元件，并且更具体地说，涉及具有可路由囊封的传导衬底的半导体封装。
技术介绍
一般来说，半导体封装经设计以保护集成电路或芯片免于物理损害及外部应力。并且，半导体封装可提供热导路径以有效地移除半导体芯片中产生的热，且可进一步将电连接提供到其它组件，例如印刷电路板。用于半导体封装的材料通常包含陶瓷及/或塑料，且封装技术已从陶瓷扁平封装及双列直插式封装发展为引脚栅阵列及无引线芯片载体封装，以及其它封装。由于对小型化和较高性能的经封装半导体装置的持续需求，需要较精细节距的传导衬底；尤其是支持各种外部互连结构的传导衬底。相应地，希望具有形成包含可路由囊封的传导衬底结构的经封装半导体装置的结构和方法，所述结构例如可路由的微引线框架结构，其支持对小型化和较高性能电子装置的需求。还希望在完成经封装半导体装置的组装之前制造可路由囊封的传导衬底结构或其部分以缩减制造周期时间。另外，使所述结构及方法支持多个外部互连结构将更为有益。另外，还希望使所述结构及方法容易地并入到制造流程中并且使两者具成本效益。
技术实现思路
本技术包含一种经封装半导体装置以及其它特征，所述经封装半导体装置包含具有传导表面修整层的可路由囊封的传导衬底(例如，可路由的模制引线框架)。更具体地说，本文中所描述的实施例促进封装级传导图案的有效路由且在表面修整层与半导体裸片之间提供增强的连接可靠性。对于可路由囊封的传导衬底的一个实施例，表面修整层可在制造过程的初始阶段形成。在可路由囊封的传导衬底的另一实施例中，表面修整层既可在制造过程的初始阶段又可在最后阶段形成。在一些实施例中，传导球在表面修整层于制造过程的初始阶段形成时直接形成于不具有表面修整层的凸块垫上、连接到所述凸块垫或毗邻所述凸块垫以提供球栅阵列封装。另外，当表面修整层于可路由囊封的传导衬底的制造过程的初始及最后阶段中各个阶段形成时，形成于最后阶段的表面修整层可用作输入/输出终端以提供栅格阵列封装。在一些优选实施例中，用于形成可路由的模制引线框架的第一树脂层及第二树脂层的材料以及用于形成囊封半导体裸片的封装体的材料为相同的，或具有相似的热膨胀系数以及其它相似材料属性，进而在装置的制造过程或操作期间有效地抑制翘曲。更具体地说，在一个实施例中，一种半导体装置包括第一层压层，所述第一层压层包含：第一表面修整层；第一传导图案，其包括连接到第一表面修整层的第一部分及与第一表面修整层侧向隔开的第二部分；传导导通孔，其连接到第一传导图案；及第一树脂层，其覆盖第一传导图案、传导导通孔，及第一表面修整层的一部分，其中第一表面修整层暴露于第一树脂层的第一表面中且传导导通孔暴露于第一树脂层的第二表面中。第二层压层邻近于第一层压层而安置，且包含连接到传导导通孔的第二传导图案、连接到第二传导图案的传导垫，及覆盖第一树脂层、第二传导图案及传导垫的至少一部分的第二树脂层，其中传导垫暴露于第二树脂层的第一表面中。半导体裸片电连接到第一表面修整层，囊封物覆盖第一层压层及半导体裸片的至少一部分。在另一实施例中，一种经封装半导体装置包含可路由囊封的传导衬底，其包括囊封在第一树脂层内的第一传导结构、电耦合到第一传导结构且囊封在第二树脂层内的第二传导结构，及安置在第一传导结构的至少部分上的第一表面修整层。第一表面修整层暴露于第一树脂层中且第二传导结构的至少部分暴露于第二树脂层中。半导体裸片电连接到第一表面修整层，囊封物囊封半导体裸片及第一表面修整层。在另一实施例中，制造半导体装置的方法包含提供可路由囊封的传导衬底，可路由囊封的传导衬底包括囊封在第一树脂层内的第一传导结构、电耦合到第一传导结构且囊封在第二树脂层内的第二传导结构，及安置在第一传导结构的至少部分上的第一表面修整层，其中第一表面修整层暴露在第一树脂层中且第二传导结构的至少部分暴露在第二树脂层中。所述方法包含将半导体裸片电连接到第一表面修整层，及形成覆盖半导体裸片及第一表面修整层的囊封物。附图说明为了说明的简单和清楚起见，图中的元件未必按比例绘制，并且相同参考数字在不同图中表示相同元件。另外，为了描述的简单起见省略众所周知的步骤和元件的描述和细节。如本文中所使用，术语“及/或”包含相关联的所列项目中的一或多者的任何及所有组合。另外，本文中所使用的术语仅仅是出于描述特定实施例的目的而并不意图限制本技术。如本文中所使用，除非上下文另外明确指示，否则单数形式也意图包含复数形式。将进一步理解术语“包括(comprises/comprising)”及/或“包含(includes/including)”在用于本说明书时规定所陈述的特征、数目、步骤、操作、元件及/或组件的存在，但是并不排除一个或多个其它特征、数目、步骤、操作、元件、组件及/或其群组的存在或添加。将理解，尽管术语“第一”、“第二”等可在本文中使用以描述各个部件、元件、区、层及/或区段，但这些部件、元件、区、层及/或区段应不受这些术语限制。这些术语仅用于区分一个部件、元件、区、层及/或区段与另一部件、元件、区、层及/或区段。因此，举例来说，下文论述的第一部件、第一元件、第一区、第一层及/或第一区段可被称为第二部件、第二元件、第二区、第二层及/或第二区段而不脱离本技术的教示。参考“一个实施例”或“实施例”意味着结合实施例描述的特定特征、结构或特性包含于本技术的至少一个实施例中。因此，在本说明书通篇的各个位置中短语“在一个实施例中”或“在实施例中”的出现未必全部是指同一实施例，但是在一些情况下可以指同一实施例。此外，特定特征、结构或特性可以任何合适方式组合，如在一或多个实施例中将对于所属领域的一般技术人员是显而易见的。另外，术语“在……时”是指某一动作至少出现在起始动作的持续时间的某一部分内。词语“大约”、“近似”或“基本上”的使用是指元件的值预期为接近一种状态值或位置。然而，众所周知，在本领域中总是存在妨碍值或位置恰好如所陈述的一般的轻微变化。除非另外规定，否则如本文中所使用，词语“在……上面”或“在……上”包含所规定的元件可直接或间接物理接触的定向、放置或关系。应进一步理解，下文中所说明及描述的实施例适当地可具有实施例及/或可在无本文中确切地揭示的任何元件存在的情况下实践。通过参考附图详细描述其示例性实施例，本技术的上述以及其它特征将变得更加显而易见，在附图中：图1A为根据本技术的实施例的说明经封装半导体装置的横截面图；图1B为说明图1A的区的放大横截面图；图2A为根据本技术的另一实施例的说明经封装半导体装置的横截面图；图2B为说明图2A的区的放大横截面图；图2C为根据替代性实施例的说明图2A的区的放大横截面图；图3为根据本技术的另一实施例的说明经封装半导体装置的横截面图；图4为根据本技术的又一实施例的说明经封装半导体装置的横截面图；图5A为说明由(N×M)个单元构成的载体的平面图；图5B为说明由N个单元构成的载体的平面图；图6A到图6J为根据本技术的实施例的依序说明经封装半导体装置的制造方法的横截面图；图7A到图7C为根据本技术的另一个实施例的依序说明经封装半导体装置的制造方法的横截面图；图8A到图8I为根据本技术的另一实施本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置，其特征在于，包括：第一层压层，其包括：第一表面修整层；第一传导图案，其包括连接到所述第一表面修整层的第一部分及与所述第一表面修整层侧向地隔开的第二部分；传导导通孔，其连接到所述第一传导图案；及第一树脂层，其覆盖所述第一传导图案、所述传导导通孔，及所述第一表面修整层的一部分，其中所述第一表面修整层暴露在所述第一树脂层的第一表面中且所述传导导通孔暴露在所述第一树脂层的第二表面中；第二层压层，其邻近于所述第一层压层且包括：第二传导图案，其连接到所述传导导通孔；传导垫，其连接到所述第二传导图案；及第二树脂层，其覆盖所述第一树脂层、所述第二传导图案及所述传导垫的至少一部分，其中所述传导垫暴露在所述第二树脂层的第一表面中；半导体裸片，其电耦合到所述第一表面修整层；及囊封物，其覆盖所述第一层压层及所述半导体裸片的至少一部分。

【技术特征摘要】
2015.09.08 KR 10-2015-0126935;2016.06.03 US 15/1731.一种半导体装置，其特征在于，包括：第一层压层，其包括：第一表面修整层；第一传导图案，其包括连接到所述第一表面修整层的第一部分及与所述第一表面修整层侧向地隔开的第二部分；传导导通孔，其连接到所述第一传导图案；及第一树脂层，其覆盖所述第一传导图案、所述传导导通孔，及所述第一表面修整层的一部分，其中所述第一表面修整层暴露在所述第一树脂层的第一表面中且所述传导导通孔暴露在所述第一树脂层的第二表面中；第二层压层，其邻近于所述第一层压层且包括：第二传导图案，其连接到所述传导导通孔；传导垫，其连接到所述第二传导图案；及第二树脂层，其覆盖所述第一树脂层、所述第二传导图案及所述传导垫的至少一部分，其中所述传导垫暴露在所述第二树脂层的第一表面中；半导体裸片，其电耦合到所述第一表面修整层；及囊封物，其覆盖所述第一层压层及所述半导体裸片的至少一部分。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述传导垫的表面在所述第二树脂层中的开口内凹陷；且所述半导体装置进一步包括连接到所述传导垫的传导凸块。3.根据权利要求1所述半导体装置，其特征在于，所述第一表面修整层包括镍/金(Ni/Au)、银(Ag)或铜(Cu)中的一种；且所述第一表面修整层及所述半导体裸片由导线电耦合。4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，进一步包括连接到所述传导垫的第二表面修整层。5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中所述第二表面修整层包括镍/金(Ni/Au)、银(Ag)或锡(Sn)中的一种。6.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第一表面修整层包括铜(Cu)；且所述第一表面修整层及所述半导体裸片由传导凸块电耦合；且所述第一树脂层、所述第二树脂层及所述囊封物包括模制化合物材料。7.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第一树脂层、所述第二树脂层及所述囊封物包括具有相似热膨胀系数的模制化合物材料。8.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第一表面修整层基本上与所述第一树脂层共面；且所述第一传导图案的所述第二部分的表面在所述第一树脂层的所述第一表面下方凹陷。9.一种经封装半导体装置，其特征在于，包括：可路由囊封的传导衬底，其包括：第一传导结构，其囊封在第一树脂层内；第二传导结构，其电耦合到所述第一传导结构且囊封在第二树脂层内；及第一表面修整层，其安置在所述第一传导结构的至少部分上，其中：所述第一表面修整层暴露在所述第一树脂层中；且所述第二传导结构的至少部分暴露在所述第二树脂层中；半导体裸片，其电耦合到所述第一表面修整层；及囊封物，其囊封所述半导体裸片及所述第一表面修整层。10.根据权利要求9所述的经封装半导体装置，其特征在于，所述第一传导结构包括连接到第一传导图案的传导导通孔；所述第二传导结构包括连接到传导凸块的第二传导图案；且所述第一表面...

【专利技术属性】
技术研发人员：班文贝，金本吉，金锦雄，权杰督，江详烨，
申请(专利权)人：艾马克科技公司，
类型：新型
国别省市：美国;US