半导体装置封装件及制造其之方法制造方法及图纸

一种半导体装置封装件包括一载体、设置于所述载体之一顶表面上之一墙、一盖体，及一传感器元件。该盖体包括自所述盖体之一底表面突出之一部分，其中所述盖体之所述突出部分接触所述墙之一顶表面以界定一空间。所述传感器元件位于所述空间中。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体装置封装件及制造其之方法。明确地说，本专利技术涉及具有微型机电系统(micro-electro-mechanicalsystems,MEMS)装置之半导体装置封装件及其制造方法。
技术介绍
相较于传统集成电路封装要求，MEMS装置(诸如MEMS晶粒)之封装要求更为复杂。举例而言，声音传感器封装应包括一孔隙(aperture)以允许音波之传输，同时阻挡灰尘、电磁干扰(electromagneticinterference,EMI)、及其他环境影响。对于封装MEMS装置之一种方式是将一金属盖置于MEMS装置上方，以保护MEMS装置不受环境影响，像是EMI及污染(像是灰尘及水)。然而，此方式可导致，例如，金属盖之侧壁及其上或其中设有MEMS装置之衬底之侧壁间有相对大的距离，以避免在分割期间锯片直接切割到金属盖之状况，使得锯片快速损耗。据此，金属盖可影响到封装件的大小，因此，具有金属盖的封装件不适用于希望高度缩减尺寸的消费者应用。此外，以金属盖覆盖封装件，像是藉由拾放技术，增加制造过程的时间及材料成本。
技术实现思路
在一实施例中，一半导体装置封装件包括一载体、设置于所述载体之一顶表面上之一墙、一盖体，及一传感器元件。该盖体包括自所述盖体之一底表面突出之一部分，其中所述盖体之所述突出部分接触所述墙之一顶表面以界定一空间。所述传感器元件位于所述空间中。在一实施例中，一半导体装置封装件包括具有至少一衬垫之一载体、所述载体上之一主动组件、一盖体、及一导电层。所述盖体包括一延伸部分、耦接至所述延伸部分之一顶部分、及耦接至所述延伸部分及所述顶部分之一加强元件。所述导电层设置于所述盖体之一下表面。所述盖体及所述载体形成一围绕所述主动组件之容纳空间，且所述导电层电连接至若干衬垫中之至少一者。在一实施例中，一制造半导体装置封装件之方法包括(a)提供一载体；(b)将一墙置于所述载体之一顶表面上；(c)将一传感器元件置于所述载体上；及(d)将一盖体置于所述墙上。所述盖体包括自所述盖体之一底表面突出之一延伸部分，其中所述盖体之所述延伸部分接触所述墙之一顶表面。附图说明图1A为根据本专利技术的一实施例的半导体装置封装件的截面图；图1B为根据本专利技术的一实施例的半导体装置封装件的截面图；图1C为根据本专利技术的一实施例的半导体装置封装件的截面图；图2为根据本专利技术的一实施例的半导体装置封装件的截面图；图3A为根据本专利技术的一实施例的半导体装置封装件的截面图；图3B为根据本专利技术的一实施例的半导体装置封装件的上视图；图4A为根据本专利技术的一实施例的半导体装置封装件的透视图；图4B为根据本专利技术的一实施例的半导体装置封装件的截面图；图5A、5B、及5C说明根据本专利技术的一实施例的制造流程；图6A、6B、及6C说明根据本专利技术的一实施例的制造流程；图7A、7B、7C、及7D说明根据本专利技术的一实施例的制造流程；贯穿图式及详细描述使用共同参考数字以指示相同或类似元件。本专利技术的实施例将从结合附图进行的以下详细描述更显而易见。具体实施方式因为外壳、金属盖及外罩增加半导体封装件的尺寸，这种外壳或外罩的使用是避免于小的半导体装置内实施。本专利技术说明适用于较小的MEMS装置封装件制造之技术，其亦可减少制造成本。图1A展示本专利技术的一实施例的半导体装置封装件1a的截面图。半导体封装件1a包括载体10、传感器元件11及盖体12。在一或多个实施例中，盖体10为预先模制引线框，其包括晶粒衬垫10a及引线10b。在一或多个实施例中，引线框为铜或铜合金，或包含铜或铜合金。在其他实施例中，引线框包括铁、铁合金、镍、镍合金、或其他金属或金属合金中之一者或组合物。在一或多个实施例中，引线框以银或铜层所涂布。在一或多个实施例中，载体10为衬底。衬底例如是印刷电路板(PCB)，像是纸件基础铜箔层压板(paper-basedcopperfoillaminate)、复合铜箔层压板、或聚合物浸渍玻璃纤维基础铜箔层压板(polymer-impregnatedglass-fiber-basedcopperfoillaminate)。衬底可包括核心层，其由双马来酰亚胺三嗪(bismaleimide-triazine,BT)树脂或玻璃强化环氧基树脂复合物(例如FR-4复合物)制成。在一或多个实施例中，载体10为半导体晶粒。半导体晶粒可例如是专用集成电路(ASIC)晶粒。传感器元件11为主动组件，或包含主动组件。传感器元件11设置于载体10之晶粒衬垫10a之顶表面10a1上。如图1A之实施例所示，传感器元件11藉由焊线接合连接至引线10b。在另一实施例中，传感器元件11藉由倒装芯片接合电连接至晶粒衬垫10a。盖体12位于载体10之金属引线10b中之一者之顶表面10b1上。盖体12及载体10一同界定一空间以容纳传感器元件11及保护传感器元件11。在一或多个实施例中，盖体12为塑料盖体(例如液态结晶聚合物)。相较于金属盖，塑料盖体12可较少消耗锯片而被切割，故无须提供额外空间以允许锯片在分割期间避免塑料盖体12(对于金属盖而言，则导致较大的封装件尺寸)。故，在图1A之实施例中，盖体12之侧壁121及载体10之侧壁101在分割后为共面。在一或多个实施例中，盖体12之侧壁121在分割后实质上垂直于盖体12之上表面122。图1B展示本专利技术的一实施例的半导体装置封装件1b的截面图。除了图1A中之盖体12在图1B中由墙13及盖体14替换之外，半导体装置封装件1b类似于图1A中所示之半导体装置封装件1a。墙13设置于载体10之引线10b中之一者之顶表面10b1上。墙13可包括像是热固性聚合物或具有散布于其中之填充物之环氧基树脂。盖体14可包括类似于图1A之盖体12所讨论之材料。盖体14设置于墙13上。墙13之上表面为实质上平坦，使得盖体14易于设置在墙13上。盖体14、墙13及载体10共同界定一空间以容纳传感器元件11且保护传感器元件11。墙13具有高度H1。为容纳连接传感器元件11至引线之导线之回路高度，墙13是相对高的，如此一来，墙13对于环境压力而言是脆弱的。例如，墙上的压力依序致使墙13与盖体14之交点处之压力，其致使墙13之上缘或角落变得易碎。这样的易碎性导致半导体装置封装件1b之故障。图1C展示本专利技术的一实施例的半导体装置封装件1c的截面图。除了图1B中之墙13替换为两个堆栈的墙元件之外(在此为两个堆栈的PCB15a,15b)，半导体封装件1c类似于图1B所示之半导体装置封装件1b。在其他实施例中，额外堆栈的PCB包括两个堆栈PCB15a,15b。堆栈PCB15a,15b、盖体14及载体10共同界定一空间以容纳传感器元件11且保护传感器元件11。相较于图1B的实施例之墙13，堆栈PCB15a,15b可具有相对更稳固的结构。例如，PCB15a,15b中之一者上的压力不会致使PCB15b与盖体14之交点处之压力足以在PCB15b之上缘或角落处造成易碎性。即使堆栈PCB15a,15b可改善可靠性，制造成本及复杂度会因其之使用而增加。图2展示本专利技术的一实施例的半导体装置封装件2的截面图。半导体装置封装件2包括载体20、墙21、盖体22、及传感器元件23。在一或多个实施例中，载体20为引线框，其包括晶粒衬垫2本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置封装件，其包含：一载体；一墙，其设置于所述载体之一顶表面上；一盖体，其包括自所述盖体之一底表面突出之一部分，所述盖体之所述突出部分接触所述墙之一顶表面以界定一空间；及一传感器元件，其设置于所述空间中。

【技术特征摘要】
2015.09.16 US 14/855,6841.一种半导体装置封装件，其包含：一载体；一墙，其设置于所述载体之一顶表面上；一盖体，其包括自所述盖体之一底表面突出之一部分，所述盖体之所述突出部分接触所述墙之一顶表面以界定一空间；及一传感器元件，其设置于所述空间中。2.根据权利要求1所述的半导体装置封装件，其中所述墙之一侧表面及所述墙之一底表面界定小于90度之一角度。3.根据权利要求2所述的半导体装置封装件，其中所述墙之所述侧表面及所述墙之所述底表面所界定之所述角度在大约78度至大约83度的范围内。4.根据权利要求1所述的半导体装置封装件，其中所述盖体之所述突出部分具有一第一侧表面及相对于所述第一侧表面之一第二侧表面，且其中所述盖体之所述突出部分之所述第二侧表面实质上与所述墙之一侧表面共面。5.根据权利要求1所述的半导体装置封装件，其中所述突出部分之一侧表面及所述盖体之所述底表面界定大于90度之一角度。6.根据权利要求5所述的半导体装置封装件，其中所述突出部分之所述侧表面及所述盖体之所述底表面所界定之所述角度在大约93度至大约97度的范围内。7.根据权利要求1所述的半导体装置封装件，其进一步包含在所述盖体之所述突出部分之一侧表面及所述盖体之所述底表面上之一导电层。8.根据权利要求7所述的半导体装置封装件，其进一步包含至少一导电元件，其设置于所述墙内且电连接至所述导电层。9.根据权利要求1所述的半导体装置封装件，其进一步包含在所述盖体之一顶表面上之一导电层。10.根据权利要求1所述的半导体装置封装件，其进一步包含一加强元件，其接触所述盖体之所述底表面及所述盖体之所述突出部分。1...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄敬涵，詹勋伟，赖律名，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71