一种基板及其制备方法、成膜设备技术

本发明专利技术涉及显示技术领域，公开了一种基板及其制备方法、成膜设备。所述基板包括取向膜，所述取向膜包括多条第一取向图形，通过所述第一取向图形来形成高度差，以形成取向沟槽，通过控制所述高度差能够提供足够大的锚定能，保证对液晶的取向度，并且完全杜绝机械摩擦存在的静电、颗粒污染等不良，提高产品质量。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示
，特别是涉及一种基板及其制备方法、成膜设备。
技术介绍
液晶显示器(LCD)因具有低功耗、无电离辐射、无图像闪烁等优点，因在当前平板器市场中占据主流地位。液晶显示器的核心材料是液晶，液晶的初始取向排列对其在电场作用下起到的开关作用至关重要，而形成和维持这种初始取向排列依赖的是液晶上下两侧的取向膜(约100nm)。因此，取向膜形成取向的方式是液晶显示技术的重点之一。现有技术中，最通常的取向膜形成取向的方法是：一、机械摩擦取向：通过摩擦布的摩擦在取向膜表面形成取向沟槽，实现取向。但是，这种取向方法存在静电、颗粒污染等不良。二、光取向：通过在分子上挂接感光官能团，使之在光学调控下形成条纹状取向沟槽。这种方法形成的取向沟槽更加精细，并且完全杜绝了机械摩擦造成的静电、颗粒污染等不良。但是，相比机械摩擦取向，光取向方法的锚定能比较小，对液晶的取向度较低。
技术实现思路
本专利技术提供一种基板及其制备方法、成膜设备，用以解决现有的取向膜的取向方法存在的缺陷。为解决上述技术问题，本专利技术实施例中提供一种基板，包括基底和设置在所述基底的表面上的取向膜，所述取向膜包括多条第一取向图形，且在垂直于所述基底的方向上，每一第一取向图形相对所述基底的表面的高度与位于该第一取向图形周边的膜层图形相对所述基底的表面的高度的差值位于预设的数值范围，以形成用于取向的取向沟槽。本专利技术实施例中还提供一种用于制备如上所述的取向膜的成膜设备，所述成膜设备包括至少一组第一喷嘴，每一组第一喷嘴包括多个沿第一方向间隔分布的第一喷嘴；对于每一组第一喷嘴，所述第一喷嘴与所述第一取向图形所在的第一区域的位置一一对应，所述第一取向图形的延伸方向与所述第一方向垂直。本专利技术实施例中还提供一种基板的制备方法，包括制备基板上的取向膜的步骤，所述制备基板上的取向膜的步骤包括：在一基底上形成多条第一取向图形，且在垂直于所述基底的方向上，每一第一取向图形相对所述基底的表面的高度与位于该第一取向图形周边的膜层图形相对所述基底的表面的高度的差值位于预设的数值范围，以形成取向沟槽。本专利技术的上述技术方案的有益效果如下：上述技术方案中，取向膜包括多条第一取向图形，通过所述第一取向图形来形成高度差，以形成取向沟槽，通过控制所述高度差能够提供足够大的锚定能，保证对液晶的取向度，并且完全杜绝机械摩擦存在的静电、颗粒污染等不良，提高产品质量。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1表示本专利技术实施例中基板的结构示意图一；图2表示图1中基板的俯视图；图3和图4表示图1中基板的制作过程示意图；图5表示本专利技术实施例中基板的结构示意图二；图6表示图5中基板的俯视图；图7表示本专利技术实施例中成膜设备的局部结构示意图；图8表示本专利技术实施例中成膜设备的工作过程示意图。具体实施方式对于液晶显示技术，现有技术中通过机械摩擦取向或光取向的方法对取向膜进行取向，但是，机械摩擦取向存在静电、颗粒污染等不良，而光取向存在锚定能小，对液晶的取向度较低的缺陷。针对现有取向方法存在的上述问题，本专利技术提供一种新的取向膜的取向方法，通过形成多条第一取向图形，并设置每一第一取向图形与位于该第一取向图形周边的膜层图形的高度差值位于预设的数值范围，以形成用于取向的取向沟槽，从而能够提供足够大的锚定能，并且完全杜绝机械摩擦存在的静电、颗粒污染等不良。其中，所述多条第一取向图形可以平行设置，相邻的两条第一取向图形之间间隔一定距离，满足对液晶取向的需求即可。下面将结合附图和实施例，对本专利技术的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本专利技术，但不用来限制本专利技术的范围。实施例一图1表示本专利技术实施例中基板的结构示意图一，图2表示图1中基板的俯视图；图5表示本专利技术实施例中基板的结构示意图二，图6表示图5中基板的俯视图。结合图1和图2，以及图1和图5所示，本实施例中提供一种基板，包括基底100和设置在基底100的表面上的取向膜1。取向膜1包括多条第一取向图形10，且在垂直于基底100的方向上，每一第一取向图形10相对基底100的表面的高度与位于该第一取向图形10周边的膜层图形相对基底100的表面的高度的差值位于预设的数值范围，以形成用于取向的取向沟槽20，取向沟槽20也为条状。所述预设的数值范围为10～30nm，一般为20nm。上述技术方案通过设置条状的第一取向图形来形成高度差，以形成取向沟槽，通过控制所述高度差能够提供足够大的锚定能，保证对液晶的取向度，并且完全杜绝机械摩擦存在的静电、颗粒污染等不良。需要说明的是，以下内容中涉及到的膜层图形的高度均是指膜层图形相对基底100的表面的高度。所述基板可以为液晶显示装置的阵列基板或彩膜基板，或其他需要取向膜的显示装置的显示基板。每一第一取向图形10相对基底100的表面可以高于位于该第一取向图形10周边的膜层图形相对基底100的表面，也可以低于位于该第一取向图形10周边的膜层图形相对基底100的表面。相邻的两条第一取向图形10之间的间隔距离可以为30um，即，取向沟槽20的宽度为30um，具体以能够对液晶分子进行取向来设置。本实施例中，结合图1和图2所示，取向膜1还包括填充在相邻的两条第一取向图形10之间的第二取向图形11，且在垂直于基底100的方向上，第一取向图形10相对基底100的表面的高度与第二取向图形11相对基底100的表面的高度的差值位于预设的数值范围，以形成取向沟槽20。具体为：通过控制第一取向图形和第二取向图形的高度关系，可以在相邻的两条第一取向图形之间形成取向沟槽，或在相邻的两条第二取向图形之间形成取向沟槽。在一个具体的实施方式中，参见图1和图2所示，在垂直于基底100的方向上，设置第一取向图形10相对基底100的表面的高度小于第二取向图形11相对基底100的表面的高度，相邻的两条第二取向图形11之间形成用于取向的取向沟槽20。在另一个具体的实施方式中，在垂直于所述基底的方向上，设置所述第一取向图形相对所述基底的表面的高度大于所述第二取向图形相对所述基底的表面的高度，相邻的两条第一取向图形之间形成取向沟槽。第一取向图形10和第二取向图形11可以由聚酰亚胺制得。当然，也可以不制作所述第二取向图形，设置第一取向图形的高度大于周边的已有膜层图形的高度，在相邻的两条第一取向图形之间形成取向沟槽。例如：对于彩膜基板，可以仅在平坦层的表面形成第一取向图形，从而在相邻的两条第一取向图形之间形成取向沟槽。作为另一具体的实施方式，参见图5和图6所示，还可以设置取向膜1还包括膜厚均匀的初始取向膜12，第一取向图形10设置在初始取向膜12上，在相邻的两条第一取向图形10之间形成取向沟槽20。采用上述基板的液晶显示装置，由于保证了对液晶的取向度，并不具有静电、颗粒污染等不良，从而提高了产品的质量。实施例二结合图7和图8所示，本实施例中提供一种用于制备上述的取向膜的成膜设备，所述成膜设备包括至少一组第一喷嘴，每一组第一喷嘴包括多个沿第一方向间隔分布的第一喷嘴本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基板，包括基底和设置在所述基底的表面上的取向膜，其特征在于，所述取向膜包括多条第一取向图形，且在垂直于所述基底的方向上，每一第一取向图形相对所述基底的表面的高度与位于该第一取向图形周边的膜层图形相对所述基底的表面的高度的差值位于预设的数值范围，以形成用于取向的取向沟槽。

【技术特征摘要】
1.一种基板，包括基底和设置在所述基底的表面上的取向膜，其特征在于，所述取向膜包括多条第一取向图形，且在垂直于所述基底的方向上，每一第一取向图形相对所述基底的表面的高度与位于该第一取向图形周边的膜层图形相对所述基底的表面的高度的差值位于预设的数值范围，以形成用于取向的取向沟槽。2.根据权利要求1所述的基板，其特征在于，所述取向膜还包括填充在相邻的两条第一取向图形之间的第二取向图形；在垂直于所述基底的方向上，所述第一取向图形相对所述基底的表面的高度与所述第二取向图形相对所述基底的表面的高度的差值位于所述预设的数值范围。3.根据权利要求2所述的基板，其特征在于，在垂直于所述基底的方向上，所述第一取向图形相对所述基底的表面的高度大于所述第二取向图形相对所述基底的表面的高度；相邻的两条第一取向图形之间形成取向沟槽。4.根据权利要求2所述的基板，其特征在于，在垂直于所述基底的方向上，所述第一取向图形相对所述基底的表面的高度小于所述第二取向图形相对所述基底的表面的高度；相邻的两条第二取向图形之间形成用于取向的取向沟槽。5.一种用于制备权利要求1-4任一项所述的取向膜的成膜设备，其特征在于，所述成膜设备包括至少一组第一喷嘴，每一组第一喷嘴包括多个沿第一方向间隔分布的第一喷嘴；对于每一组第一喷嘴，所述第一喷嘴与所述第一取向图形所在的第一区域的位置一一对应，所述第一取向图形的延伸方向与所述第一方向垂直。6.根据权利要求5所述的成膜设备，其特征在于，所述成膜设备还包括一容器，所述容器具有相互独立的第一容纳腔和第二容纳腔，所述第一容纳腔用于存储制备所述第一取向图形的第一取向溶液，所述第二容纳腔用于存储第一溶剂；所述成膜设备还包括设置在所述容器上的至少一组第二喷嘴，每一组第二喷嘴包括多个沿第一方向间隔分布的第二喷嘴；所述第一喷嘴和第二喷嘴设置在所述容器上，且所述第一喷嘴与所述第一容纳腔连通，所述第二喷嘴与所述第二容纳腔连通，所述第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：张东徽，倪欢，赵婷婷，马小叶，马睿，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，合肥鑫晟光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11