半导体封装结构制造技术

本发明专利技术实施例公开了一种低成本的半导体封装结构。其中，该半导体封装结构包括：半导体封装。该半导体封装包括：半导体晶粒，具有第一表面及相对于该第一表面的第二表面；封装基底，设置在该半导体晶粒的该第一表面上；模塑料，围绕该半导体晶粒与该封装基底；以及重分布层结构，设置在该模塑料上，该封装基底设置在并电性耦接在该半导体晶粒与该重分布层结构之间。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及封装
，尤其涉及一种半导体封装结构。
技术介绍
于半导体封装产业中，业界期望降低半导体晶粒的封装成本。为了达到该期望，已开发了各式封装结构设计。倒装芯片封装结构为当前使用的一种封装结构设计。在倒装芯片封装结构中，由多个焊料凸块(solderbump)形成的半导体晶粒(也被称作“集成电路芯片”或“芯片”)一般直接接合至封装基底的多个金属接垫。该多个焊料凸块固定至半导体晶粒的I/O(Input/output，输入/输出)接垫。在封装期间，“翻转”半导体晶粒以便焊料凸块形成半导体晶粒与封装基底之间的电性互连。由于倒装芯片封装技术显著地缩短了半导体晶粒与封装基底之间的互连路径，因此倒装芯片封装技术能够提供比早期的线接合技术更快速度的电性能。为了确保电子产品的小型化和多功能性，期望一种小尺寸、高速运行以及具有高功能的半导体封装。相应地，半导体晶粒需要将更多的I/O接垫放进更小的区域内，并且需要使用封装基底来作为扇出层(fanoutlayer)。但是，为了响应I/O接垫的增长，于封装基底中形成复杂的多层互连结构。如此，显著地增加了封装基底的尺寸与制造成本，同时降低了封装基底的良品率。这些导致了半导体封装结构的稳定性、良品率及生产量的减少，同时增加了半导体封装结构的制造成本。因此，本领域期望一种创新的半导体封装结构。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术实施例提供了一种半导体封装结构，可以降低成本。本专利技术实施例提供了一种半导体封装结构，包括：第一半导体封装，包括：第一半导体晶粒，具有第一表面及相对于该第一表面的第二表面；第一封装基底，设置在该第一半导体晶粒的该第一表面上；第一模塑料，围绕该第一半导体晶粒与该第一封装基底；以及第一重分布层结构，设置在该第一模塑料上，该第一封装基底设置在并电性耦接在该第一半导体晶粒与该第一重分布层结构之间。其中，该第一半导体晶粒包括：互连结构，该互连结构之一表面即为该第一半导体晶粒的该第一表面。其中，该互连结构为一重分布层结构。其中，该第一封装基底通过第一导电结构电性耦接至该第一半导体晶粒，并且该第一导电结构嵌入于设置在该第一封装基底与该第一半导体晶粒之间的底部填充材料层中。其中，该第一封装基底通过第二导电结构电性耦接至该第一重分布层结构。其中，该第一封装基底直接接触该第一重分布层结构。其中，该第一半导体封装进一步包括：第三导电结构，设置在该第一重分布层结构上并且电性耦接至该第一重分布层结构，其中该第一重分布层结构位于该第一封装基底与第三导电结构之间。其中，该第一半导体封装进一步包括：通孔，穿过该第一模塑料并电性耦接至该第一重分布层结构。其中，该第一半导体封装进一步包括：第一保护层，设置在该第一半导体晶粒的该第二表面及该第一模塑料的上方；以及黏合层，设置在该第一保护层与该第一半导体晶粒之间。其中，该第一半导体封装进一步包括：散热器，设置在该第一保护层的上方；以及导热界面材料层，设置在该第一保护层与该散热器之间。其中，该第一半导体封装进一步包括：第一保护层，设置在该第一半导体晶粒的该第二表面及该第一模塑料的上方；黏合层，设置在该第一保护层与该第一半导体晶粒之间，并且被该第一模塑料围绕；第二保护层，设置在该第一保护层与该黏合层之间，用于保护该黏合层。其中，还包括：第二半导体封装，设置在该第一半导体封装上，并且包括：第二半导体晶粒，设置在该第一模塑料的上方；第二封装基底，设置在该第二半导体晶粒与该第一模塑料之间，并且电性耦接在该第二半导体晶粒与该第一封装基底之间；以及第二模塑料，覆盖该第二半导体晶粒与该第二封装基底。其中，该第一半导体封装进一步包括：第四导电结构，嵌入于该第一模塑料中，并且电性耦接在该第二封装基底与该第一封装基底之间。其中，该第四导电结构包括：铜柱，焊球，或者由焊料覆盖的铜球。其中，该第二半导体封装进一步包括：第五导电结构，设置在该第二封装基底上并且电性耦接在该第二封装基底与该第四导电结构之间。其中，该第一半导体晶粒在该第一重分布层结构上的投影与该第二半导体封装在该第一重分布层结构上的投影是分隔开的或者重叠的。其中，该第一半导体封装为片上系统封装，且该第二半导体封装为动态随机存取存储器封装。本专利技术实施例的有益效果是：以上的半导体封装结构，将封装基底设置在半导体晶粒与重分布层结构之间，并与重分布层结构一起来作为半导体封装结构的扇出层，因此可以降低封装基底中的互连层的数量，从而简化半导体封装的结构。附图说明通过阅读接下来的详细描述与参考附图所做的实施例，可以更容易地理解本专利技术，其中：图1A为根据本专利技术一些实施例的半导体封装结构的剖面示意图；图1B为根据本专利技术一些实施例的半导体封装结构的剖面示意图；图1C为根据本专利技术一些实施例的半导体封装结构的剖面示意图；图1D为根据本专利技术一些实施例的半导体封装结构的剖面示意图；图2A为根据本专利技术一些实施例的具有通孔的半导体封装结构的剖面示意图；图2B为根据本专利技术一些实施例的具有通孔的半导体封装结构的剖面示意图；图2C为根据本专利技术一些实施例的具有通孔的半导体封装结构的剖面示意图；图2D为根据本专利技术一些实施例的具有通孔的半导体封装结构的剖面示意图；图2E为根据本专利技术一些实施例的具有通孔的半导体封装结构的剖面示意图；图2F为根据本专利技术一些实施例的具有通孔的半导体封装结构的剖面示意图；图3A为根据本专利技术一些实施例的具有散热器的半导体封装结构的剖面示意图；图3B为根据本专利技术一些实施例的具有散热器的半导体封装结构的剖面示意图；图3C为根据本专利技术一些实施例的具有散热器的半导体封装结构的剖面示意图；图4A为根据本专利技术一些实施例的具有PoP(Package-on-Package，封装上封装)结构的半导体封装结构的剖面示意图；图4B为根据本专利技术一些实施例的具有PoP结构的半导体封装结构的剖面示意图；图4C为根据本专利技术一些实施例的具有PoP结构的半导体封装结构的剖面示意图；图4D为根据本专利技术一些实施例的具有PoP结构的半导体封装结构的剖面示意图；图4E为根据本专利技术一些实施例的具有PoP结构的半导体封装结构的剖面示意图；图5A为根据本专利技术一些实施例的具有PoP结构的半导体封装结构的剖面示意图；图5B为根据本专利技术一些实施例的具有PoP结构的半导体封装结构的剖面示意图；图5C为根据本专利技术一些实施例的具有PoP结构的半导体封装结构的剖面示意图；图5D为根据本专利技术一些实施例的具有PoP结构的半导体封装结构的剖面示意图；图5E为根据本专利技术一些实施例的具有PoP结构的半导体封装结构的剖面示意图。具体实施方式以下描述为预期的实现本专利技术的模式。该描述仅用于说明本专利技术的一般原理，而不应视为限制。本专利技术的范围仅通过参考所附的权利要求来确定。通过参考特定实施例及参考确定的附图来描述本专利技术，但是本专利技术不限制于此，并且本专利技术仅受权利要求的限制。描述的附图仅为原理图而非限制。在附图中，出于说明目的而跨大了某些元件的尺寸并且元件并非按比例绘制。尺寸及相对尺寸不对应本专利技术实践中的实际尺寸。本专利技术实施例涉及一种高成本效应的扇出(fanout)的倒装芯片封装结构，并且该封装结构具有嵌入的封装基底。图1A为根据本专利技术一些实施例的半导体封装结构10a的剖面示意图。在一些实施例中本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体封装结构，其特征在于，包括：第一半导体封装，包括：第一半导体晶粒，具有第一表面及相对于该第一表面的第二表面；第一封装基底，设置在该第一半导体晶粒的该第一表面上；第一模塑料，围绕该第一半导体晶粒与该第一封装基底；以及第一重分布层结构，设置在该第一模塑料上，该第一封装基底设置在并电性耦接在该第一半导体晶粒与该第一重分布层结构之间。

【技术特征摘要】
2015.09.16 US 62/219,240;2015.12.09 US 62/264,949;1.一种半导体封装结构，其特征在于，包括：第一半导体封装，包括：第一半导体晶粒，具有第一表面及相对于该第一表面的第二表面；第一封装基底，设置在该第一半导体晶粒的该第一表面上；第一模塑料，围绕该第一半导体晶粒与该第一封装基底；以及第一重分布层结构，设置在该第一模塑料上，该第一封装基底设置在并电性耦接在该第一半导体晶粒与该第一重分布层结构之间。2.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，该第一半导体晶粒包括：互连结构，该互连结构之一表面即为该第一半导体晶粒的该第一表面。3.根据权利要求2所述的半导体封装结构，其特征在于，该互连结构为重分布层结构。4.根据权利要求1所述的半导体封装结构，该第一封装基底通过第一导电结构电性耦接至该第一半导体晶粒，并且该第一导电结构嵌入于设置在该第一封装基底与该第一半导体晶粒之间的底部填充材料层中。5.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，该第一封装基底通过第二导电结构电性耦接至该第一重分布层结构。6.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，该第一封装基底直接接触该第一重分布层结构。7.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，该第一半导体封装进一步包括：第三导电结构，设置在该第一重分布层结构上并且电性耦接至该第一重分布层结构，其中该第一重分布层结构位于该第一封装基底与第三导电结构之间。8.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，该第一半导体封装进一步包括：通孔，穿过该第一模塑料并电性耦接至该第一重分布层结构。9.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，该第一半导体封装进一步包括：第一保护层，设置在该第一半导体晶粒的该...

【专利技术属性】
技术研发人员：林子闳，连锜晋，刘乃玮，彭逸轩，蕭景文，黄伟哲，
申请(专利权)人：联发科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71