衬底处理设备制造技术

本发明专利技术提供一种衬底处理设备，包含：管，其提供内部空间，在所述内部空间中处理衬底；衬底支撑部分，其在管的内部空间中以多层堆叠多个衬底；气体供应部分，其将处理气体供应到多个衬底；排气部分，其安置成面向气体供应部分以吸收处理气体；以及流动调节部分，其具有沿着在气体供应部分与排气部分之间的管的圆周形成的喷洒开口以喷洒调节气体，并且能够通过调节处理气体的流动控制供应到衬底的上表面的处理气体的量，可以改进衬底处理过程的效率。

【技术实现步骤摘要】

本文中所揭示的本专利技术涉及衬底处理设备，并且更具体地说涉及能够通过调节处理气体的流动控制供应到衬底的上表面的处理气体的量的衬底处理设备。
技术介绍
通常，衬底处理设备可以分类为单晶片型衬底处理设备和分批型衬底处理设备，在单晶片型衬底处理设备中衬底处理过程在一个衬底上执行，在分批型衬底处理设备中衬底处理过程同时在多个衬底上执行。单晶片型衬底处理设备具有的优势在于其结构简单。然而，单晶片型衬底处理设备可能在生产率方面退化。因此，由于大批量生产能力，分批型衬底处理设备是受欢迎的。分批型衬底处理设备可以包含：处理室，以用于接收和处理在水平方向上堆叠成多层的衬底；处理气体供应喷嘴，以用于将处理气体供应到处理室中；以及排气管线，以用于排空处理室。使用此类分批型衬底处理设备的衬底处理过程可以如下执行：首先，将多个衬底运载到处理室中；接下来，经由排气管线排空处理室的内部并且经由处理气体供应喷嘴将处理气体供应到处理室中；接下来，从处理气体供应喷嘴喷洒的处理气体在衬底之间传递并且通过排气开口流动到排气管线中同时薄膜形成于衬底上。然而，在常规的衬底处理设备中，一些处理气体可能不会通过衬底的上表面而是沿着衬底的圆周移动以吸收到排气管线中。也就是说，沿着衬底的圆周移动的处理气体可能实际上未参与处理过程而是吸收到排气管线中。因此，处理气体可能被浪费并且衬底上的处理过程的效率可能降低。<相关技术文档>专利文档1：第10-1463592B1号韩国专利此
技术介绍
章节中所揭示的以上信息仅用于增强对专利技术背景的理解，且因此其可含有并不形成所属领域的技术人员已知的现有技术的信息。
技术实现思路
技术问题本专利技术提供能够调节处理气体的流动的衬底处理设备。本专利技术提供能够改进衬底处理过程的效率的衬底处理设备。参考以下详细描述及附图，本专利技术的其它目标将变得显而易见。技术解决方案本专利技术的实施例可以包含：管，其提供内部空间，在所述内部空间中处理衬底；衬底支撑部分，其在管的内部空间中以多层堆叠多个衬底；气体供应部分，其将处理气体供应到多个衬底；排气部分，其安置成面向气体供应部分以吸收处理气体；以及流动调节部分，其具有沿着在气体供应部分与排气部分之间的管的圆周形成的喷洒开口以喷洒调节气体。本专利技术的一些实施例可进一步包含其中容纳有管的外部管，并且流动调节部分可以安置在管与外部管之间。本专利技术的其它实施例可以包含多个隔板，均沿着衬底的加载方向安置在衬底之间以划分处理空间，以用于处理多个衬底中的每一个，并且多个喷洒开口可以形成于在对应于处理空间中的每一个的不同高度处的管上。流动调节部分可以包含：管道，其安装在管的外表面上以提供流动空间用于调节气体移动到喷洒开口；以及调节气体供应线路，其连接到管道以供应调节气体。流动调节部分可以包含安置在管道的内部的喷洒单元以在对应于处理空间中的每一个且连接到调节气体供应线路的管道的内部喷洒调节气体。喷洒开口可以形成于管的两侧上并且可以安置成面向彼此。喷洒开口以缝隙的形状形成或者以安置在线路中的多个孔的形状形成。喷洒开口可以随着从气体供应部分到排气部分而在宽度上发生改变。多个喷洒开口根据高度可具有不同面积。多个喷洒开口安置在与喷洒气体供应部分的处理气体的多个喷洒嘴中的每一个相同的高度处。有利效果根据本专利技术的示例性实施例，可以通过在衬底处理设备上包含流动调节部分来调节处理气体的流动。也就是说，流动调节部分可以从沿着衬底的圆周的移动到朝向衬底的中心部分的移动调节处理气体的流动。因此，大部分处理气体可以参与衬底的处理过程并且浪费的处理气体的量可以减小。因此，可以改进衬底处理过程的效率。附图说明图1是根据本专利技术的一个实施例的衬底处理设备的结构的视图。图2是说明根据本专利技术的一个实施例的气体供应部分和流动调节部分的视图。图3是说明根据本专利技术的一个实施例的流动调节部分的透视图。图4是说明根据本专利技术的一个实施例的喷洒开口和管道的视图。图5是说明根据本专利技术的一个实施例的流动调节部分的操作的视图。图6是说明根据本专利技术的另一个实施例的流动调节部分的透视图。具体实施方式在下文中，参考附图更加详细地描述本专利技术的示例性实施例。然而，本专利技术可以许多不同形式实施，并且不应被解释为限于本文所阐述的实施例。实际上，提供这些实施例是为了使得本专利技术将是透彻并且完整的，且这些实施例将把本专利技术的范围完整地传达给所属领域的技术人员。为了本专利技术的详细描述可以放大附图。附图中相同的附图标记表示相同的元件。图1是根据本专利技术的一个实施例的衬底处理设备的结构的视图；图2是说明根据本专利技术的一个实施例的气体供应部分和流动调节部分的视图；图3是说明根据本专利技术的一个实施例的流动调节部分的透视图；图4是说明根据本专利技术的一个实施例的喷洒开口和管道的视图；图5是说明根据本专利技术的一个实施例的流动调节部分的操作的视图；以及图6是说明根据本专利技术的另一个实施例的流动调节部分的透视图。参考图1和图2，根据本专利技术的一个实施例的衬底处理设备100可以包含：管111，其提供内部空间，在所述内部空间中处理衬底S；衬底支撑部分170，其在管111的内部空间中以多层堆叠多个衬底S；气体供应部分130，其将处理气体供应到多个衬底S；排气部分140，其安置成面向气体供应部分130以吸收处理气体；以及流动调节部分190，其具有沿着在气体供应部分130与排气部分140之间的管111的圆周形成的喷洒开口191以喷洒调节气体。此处，根据本专利技术的一个实施例的衬底处理设备100可以是外延设备以在衬底S上形成外延层。在选择性外延生长(SelectiveEpitaxialGrowth，SEG)过程在衬底S上进展的情况下，处理气体可供应到全部处理空间。处理气体可以包含原料气体、蚀刻气体、掺杂剂气体和运载气体中的至少一种，并且气体可以各种比率混合和供应以控制衬底S上的薄膜的厚度。由于气体具有不同的分子量，处理气体的流动可以根据比率改变。因此，处理气体的流或流动可以是用于确定选择性外延生长中的衬底S上的薄膜的厚度和组成的关键因素。喷洒到衬底S的处理气体可例如沿着衬底S的圆周且沿着衬底S的下表面以及沿着衬底S的上表面移动。因此，仅供应到衬底S的上表面的处理气体的一些部分可实际上参与衬底S的处理过程并且气体的其它部分可能实际上未参与衬底S的处理过程。因此，可以包含流动调节部分190以调节处理气体的流以控制待供应到衬底S的上表面的更多的处理气体。腔室120可以矩形筒管的形状或圆筒的形状形成。腔室120可以包含上部主体121和下部主体122，并且上部主体121的下部部分和下部主体122的上部部分彼此连通。下部主体122的侧面部分可具有允许衬底S的传入和传出的入口。因此，衬底S可通过入口加载到腔室120中。并且加载在下部主体122的内部的衬底S可以向上移动以在上部主体121中得到处理。因此，下部主体122的内部可以形成加载空间，在所述加载空间中加载有衬底S，并且上部主体121的内部可以形成用于衬底S的处理空间。然而，腔室120的结构和形状可能不限于上文所述并且可以有各种可能。外部管112可以圆筒形状形成，并且可安置在下部主体122的上侧处，或者可以安置在上部主体121的内部处，所述下部主体的上部部分可以打开。用于容纳管111的空间可以形成在本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种衬底处理设备，其特征在于，包括：管，其提供内部空间，在所述内部空间中处理衬底；衬底支撑部分，其在所述管的所述内部空间中以多层堆叠所述衬底；气体供应部分，其将处理气体供应到所述衬底；排气部分，其安置成面向所述气体供应部分以吸收所述处理气体；以及流动调节部分，其具有沿着在所述气体供应部分与所述排气部分之间的所述管的圆周形成的喷洒开口以喷洒调节气体。

【技术特征摘要】
2015.09.11 KR 10-2015-01289701.一种衬底处理设备，其特征在于，包括：管，其提供内部空间，在所述内部空间中处理衬底；衬底支撑部分，其在所述管的所述内部空间中以多层堆叠所述衬底；气体供应部分，其将处理气体供应到所述衬底；排气部分，其安置成面向所述气体供应部分以吸收所述处理气体；以及流动调节部分，其具有沿着在所述气体供应部分与所述排气部分之间的所述管的圆周形成的喷洒开口以喷洒调节气体。2.根据权利要求1所述的衬底处理设备，其特征在于，进一步包括，外部管，在所述外部管中容纳所述管，其中所述流动调节部分安置在所述管与所述外部管之间。3.根据权利要求1或权利要求2所述的衬底处理设备，其特征在于，所述衬底支撑部分进一步包括：多个隔板，均沿着所述衬底的加载方向安置在所述衬底之间以划分处理空间，以用于处理所述衬底中的每一个；以及所述喷洒开口形成于对应于所述处理空间中的每一个的不同高度处的所述管上。4.根据权利要求1所述的衬底处理设备，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：玄俊镇，诸成泰，宋炳奎，金龙基，金劲勋，金苍乭，申良湜，金哉佑，
申请(专利权)人：株式会社EUGENE科技，
类型：发明
国别省市：韩国;KR