TFT阵列基板、液晶显示面板和显示装置制造方法及图纸

一种TFT阵列基板，包括多条交叉设置的栅线和数据线，以及由各栅线和各数据线限定的多个像素单元，每个像素单元包括薄膜晶体管和像素电极，TFT阵列基板还设有平坦层和阻挡层，平坦层覆盖在各像素单元上，阻挡层设置在平坦层上，且阻挡层包括阻挡部，阻挡部位于薄膜晶体管的上方，阻挡部用于阻止TFT阵列基板与彩膜基板之间的间隙物移动。本发明专利技术的TFT阵列基板能阻止间隙物移动，在不减小开口率的情况下提升了间隙物的稳定性，同时避免了漏光等不良现象。本发明专利技术还涉及一种液晶显示面板和显示装置。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及液晶显示
，特别涉及一种TFT阵列基板、液晶显示面板和显示装置。
技术介绍
随着科技的发展，轻薄、省电的信息产品已经充斥着我们的生活，而显示器则在其间扮演了相当重要的角色，无论是手机、个人数字助理或是笔记型计算机等，均需要显示装置作为人机沟通的平台。显示装置用于图像显示的主要部件为液晶显示面板。图1是现有的液晶显示面板的局部剖视结构示意图。如图1所示，液晶显示面板20包括彩膜基板21和TFT阵列基板22，彩膜基板21与TFT阵列基板22对盒设置，彩膜基板21或TFT阵列基板22上设有间隙物23(PhotoSpacer；PS)，间隙物23连接于彩膜基板21与TFT阵列基板22之间。对于大尺寸或分辨率高的液晶显示面板20，为了减小负载，需要在TFT阵列基板22上设置一层厚度为2um的平坦层221，因此，间隙物23的一端连接在彩膜基板21上，间隙物23的另一端连接在平坦层221上。当彩膜基板21或TFT阵列基板22受压时，间隙物23由于压力的作用会向外滑动，造成液晶显示面板20发生漏光。为了防止漏光不被看到，现有的做法是增加黑矩阵(BM)在间隙物23周围的遮挡面积，但黑矩阵的遮挡面积增大，会减小像素的开口率。
技术实现思路
本专利技术的目的在于，提供了一种TFT阵列基板，能阻止间隙物移动，在不减小开口率的情况下提升了间隙物的稳定性，同时避免了漏光等不良现象。本专利技术解决其技术问题是采用以下的技术方案来实现的。一种TFT阵列基板，包括多条交叉设置的栅线和数据线，以及由各栅线和各数据线限定的多个像素单元，每个像素单元包括薄膜晶体管和像素电极，TFT阵列基板还设有平坦层和阻挡层，平坦层覆盖在各像素单元上，阻挡层设置在平坦层上，且阻挡层包括阻挡部，阻挡部位于薄膜晶体管的上方，阻挡部用于阻止TFT阵列基板与彩膜基板之间的间隙物移动。在本专利技术的较佳实施例中，上述阻挡层还包括阻挡部和固定部，固定部呈长条形，并沿着栅线的长度方向设置，阻挡部的一侧与固定部连接。在本专利技术的较佳实施例中，上述阻挡部呈环形，阻挡部围成的区域形成容置腔，容置腔用于容置间隙物。在本专利技术的较佳实施例中，上述薄膜晶体管的源极和漏极处于容置腔的下方。在本专利技术的较佳实施例中，上述阻挡部包括第一阻挡块、第二阻挡块、第三阻挡块和第四阻挡块，第一阻挡块、第二阻挡块、第三阻挡块和第四阻挡块呈矩阵排列，且第一阻挡块和第二阻挡块的一侧连接在固定部上，第一阻挡块、第二阻挡块、第三阻挡块和第四阻挡块用于承载间隙物。在本专利技术的较佳实施例中，上述阻挡部包括第一阻挡块和第二阻挡块，第一阻挡块设置于薄膜晶体管的源极上方，第二阻挡块设置于薄膜晶体管的漏极上方，第一阻挡块和第二阻挡块用于承载间隙物。在本专利技术的较佳实施例中，上述阻挡层由金属材料制成。本专利技术的目的在于，提供了一种液晶显示面板，能阻止间隙物移动，在不减小开口率的情况下提升了间隙物的稳定性，同时避免了漏光等不良现象。一种液晶显示面板，包括彩膜基板和上述的TFT阵列基板，彩膜基板与TFT阵列基板对盒设置，彩膜基板或TFT阵列基板上设有间隙物，间隙物连接于彩膜基板与TFT阵列基板的阻挡部之间。本专利技术的目的在于，提供了一种显示装置，能阻止间隙物移动，在不减小开口率的情况下提升了间隙物的稳定性，同时避免了漏光等不良现象。一种显示装置，包括上述的液晶显示面板。本专利技术TFT阵列基板，包括多条交叉设置的栅线和数据线，以及由各栅线和各数据线限定的多个像素单元，每个像素单元包括薄膜晶体管和像素电极，TFT阵列基板还设有平坦层和阻挡层，平坦层覆盖在各像素单元上，阻挡层设置在平坦层上，且阻挡层包括阻挡部，阻挡部位于薄膜晶体管的上方，阻挡部用于阻止TFT阵列基板与彩膜基板之间的间隙物移动。当TFT阵列基板受压时，阻挡层能阻止间隙物移动，在不减小开口率的情况下提升了间隙物的稳定性，同时避免了漏光等不良现象。上述说明仅是本专利技术技术方案的概述，为了能够更清楚了解本专利技术的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本专利技术的上述和其他目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举较佳实施例，并配合附图，详细说明。附图说明图1是现有的液晶显示面板的局部剖视结构示意图；图2是本专利技术第一实施例的液晶显示面板的局部剖视结构示意图；图3是本专利技术第一实施例的TFT阵列基板的局部俯视结构示意图；图4是本专利技术第二实施例的液晶显示面板的局部剖视结构示意图；图5是本专利技术第二实施例的TFT阵列基板的局部俯视结构示意图；图6是本专利技术第三实施例的液晶显示面板的局部剖视结构示意图；图7是本专利技术第三实施例的TFT阵列基板的局部俯视结构示意图；图8为本专利技术TFT阵列基板的制作方法的流程示意图。具体实施方式为更进一步阐述本专利技术为达成预定专利技术目的所采取的技术手段及功效，以下结合附图及较佳实施例，对依据本专利技术提出的TFT阵列基板、液晶显示面板和显示装置的基本的具体实施方式、结构、特征及其功效，详细说明如下:有关本专利技术的前述及其它
技术实现思路
、特点及功效，在以下配合参考图式的较佳实施例的详细说明中将可清楚呈现。通过具体实施方式的说明，当可对本专利技术为达成预定目的所采取的技术手段及功效得以更加深入且具体的了解，然而所附图式仅是提供参考与说明之用，并非用来对本专利技术加以限制。图2是本专利技术第一实施例的液晶显示面板的局部剖视结构示意图。如图2所示，在本实施例中，液晶显示面板10包括彩膜基板11和TFT阵列基板12，彩膜基板11与TFT阵列基板12对盒设置，彩膜基板11或TFT阵列基板12上设有间隙物13(PhotoSpacer；PS)，间隙物13连接于彩膜基板11与TFT阵列基板12之间。图3是本专利技术第一实施例的TFT阵列基板的局部俯视结构示意图。如图2和3所示，在本实施例中，TFT阵列基板12包括设置在基板121上的多条交叉设置的栅线和数据线，以及由各栅线和各数据线限定的多个像素单元。各栅线沿着水平方向设置，各数据线沿着垂直方向设置，每个像素单元包括薄膜晶体管和像素电极107。在本实施例中，薄膜晶体管包括与栅线连接的栅极101、与数据线连接的源极104、和与像素电极107连接的漏极105(图3为未示出)；栅极101设置在基板121上，基板121上还设有覆盖栅极101，并使栅极101与源极104和漏极105绝缘的栅极绝缘层102；栅极绝缘层102与源极104和漏极105之间设有半导体层103，用于通过提供给栅极101的栅极101电压在源极104与漏极105之间形成导电沟道；基板121上还设有绝缘保护层106、平坦层108和阻挡层109，绝缘保护层106覆盖在源极104和漏极105上，平坦层108覆盖在各像素单元上，阻挡层109设置在平坦层108上，且阻挡层109包括阻挡部1091和固定部1092，阻挡部1091的一侧连接在固定部1092上，阻挡部1091位于薄膜晶体管的上方，阻挡部1091用于阻止间隙物13移动。在本实施例中，栅极101、源极104、漏极105和阻挡部1091由金属材料制成。具体地，如图3所示，固定部1092呈长条形，并沿着栅线的长度方向设置。阻挡部1091呈环形，阻挡部1091的形状可自由设定，优选地，阻挡部1091的形状与间隙物13的截面形状相同，同为六边形，但并不以此为限本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种TFT阵列基板，包括多条交叉设置的栅线和数据线，以及由各该栅线和各该数据线限定的多个像素单元，每个该像素单元包括薄膜晶体管和像素电极，其特征在于，该TFT阵列基板还设有平坦层和阻挡层，该平坦层覆盖在各该像素单元上，该阻挡层设置在该平坦层上，且该阻挡层包括阻挡部，该阻挡部位于该薄膜晶体管的上方，该阻挡部用于阻止TFT阵列基板与彩膜基板之间的间隙物移动。

【技术特征摘要】
1.一种TFT阵列基板，包括多条交叉设置的栅线和数据线，以及由各该栅线和各该数据线限定的多个像素单元，每个该像素单元包括薄膜晶体管和像素电极，其特征在于，该TFT阵列基板还设有平坦层和阻挡层，该平坦层覆盖在各该像素单元上，该阻挡层设置在该平坦层上，且该阻挡层包括阻挡部，该阻挡部位于该薄膜晶体管的上方，该阻挡部用于阻止TFT阵列基板与彩膜基板之间的间隙物移动。2.如权利要求1所述的TFT阵列基板，其特征在于，该阻挡层还包括阻挡部和固定部，该固定部呈长条形，并沿着栅线的长度方向设置，该阻挡部的一侧与该固定部连接。3.如权利要求2所述的TFT阵列基板，其特征在于，该阻挡部呈环形，该阻挡部围成的区域形成容置腔，该容置腔用于容置该间隙物。4.如权利要求3所述的TFT阵列基板，其特征在于，该薄膜晶体管的源极和漏极处于该容置腔的下方。5.如权利要求2所述的TFT阵列基板，其特征在于，该阻挡部包括第...

【专利技术属性】
技术研发人员：蒋隽，黄清英，
申请(专利权)人：昆山龙腾光电有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32