一种黑矩阵制造方法技术

本发明专利技术公开了一种黑矩阵制造方法，其主要步骤为：清洗ITO电极和玻璃基板，在ITO电极上涂布PR，干燥后形成PR膜层；在PR膜层上放置掩模板，紫外线曝光后，采用稀释的碱性溶液进行显影，形成PR图形；在形成有PR图形的ITO电极上形成黑色涂层，并干燥黑色涂层；从玻璃基板方向照射紫外线，活性化PR图形；清洗并剥离PR图形和PR图形上的黑色涂层，最终得到黑矩阵。本发明专利技术的黑矩阵制造方法工序简单，能够制造出高品质要求的黑矩阵图形。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于黑矩阵制造方法
，具体涉及一种工序简单的黑矩阵制造方法。
技术介绍
一般来说，为了显示全彩，平板显示器件LCD和FED在ITO透明导电膜上形成三色颜料或三色荧光体图形。这样的三色颜料或三色荧光体图形之间形成黑矩阵，其作用是提高显示器件画面的对比度和色纯度。传统的FED是吸收从阴极尖放射出来的外光。而LCD为显示全彩采用彩色滤光膜，形成三色颜料图形，并且图形之间存在黑矩阵，从而提高对比度，且能切断薄膜晶体管的外部光。传统的平板显示器件中，在玻璃基板上形成黑矩阵的方法较多。如：把负胶和负胶上的黑色涂层同时剥离的方法，电化学沉积方法，光中和法等。但存在品质低，制造工序复杂的问题。
技术实现思路
本专利技术的目的是解决上述问题，提供一种制备高品质黑矩阵的黑矩阵制造方法。为解决上述技术问题，本专利技术的技术方案是：一种黑矩阵制造方法，包括以下步骤：步骤一、清洗ITO电极和玻璃基板，在ITO电极上涂布PR，干燥后形成PR膜层；步骤二、在PR膜层上放置掩模板，紫外线曝光后，采用稀释的碱性溶液进行显影，形成PR图形；步骤三、在形成有PR图形的ITO电极上形成黑色涂层，并干燥黑色涂层；步骤四、从玻璃基板方向照射紫外线，活性化PR图形；步骤五、清洗并剥离PR图形和PR图形上的黑色涂层，最终得到黑矩阵。在步骤一中，采用超音波清洗ITO电极和玻璃基板。在步骤三中，采用旋涂法在ITO电极上形成黑色涂层。优选的，所述黑色涂层为碳石墨材料。本专利技术相比于现有技术具有如下有益效果：本专利技术的黑矩阵制造方法工序简单，能够制造出高品质要求的黑矩阵图形。附图说明图1是本专利技术黑矩阵制造方法的流程示意图。附图标记说明：2、玻璃基板；4、ITO电极；6、PR膜层；6a、PR图形；8、黑色涂层；8a、黑矩阵；10、掩模板。具体实施方式下面结合附图和具体实施例对本专利技术做进一步的说明：如图1所示，本专利技术提供一种黑矩阵制造方法，包括以下步骤：步骤一、采用超音波清洗清洗ITO电极4和玻璃基板2，在ITO电极4上涂布PR，干燥后形成PR膜层6；步骤二、在PR膜层6上放置掩模板10，紫外线曝光后，采用稀释的碱性溶液进行显影，形成PR图形6a；步骤三、采用旋涂法在形成有PR图形6a的ITO电极4上形成黑色涂层8，并干燥黑色涂层8；黑色涂层8为碳石墨材料；步骤四、从玻璃基板2方向照射紫外线，活性化PR图形6a，并放置在碱性溶液中，碱性溶液重量百分比为0.01％-10％，可以为氢氧化钙等无机碱性物质，也可以是氨水，氨络物类等有机碱性物质；步骤五、清洗并剥离PR图形6a和PR图形6a上的黑色涂层8，最终得到黑矩阵8a。通过以下实施例说明本专利技术的制造方法：实施例1步骤一、采用超音波清洗清洗ITO电极4和玻璃基板2，在ITO电极4上旋涂PR，转速为5000rpm，最后在烘箱里干燥5分钟，温度为100℃，形成PR膜层6；步骤二、在PR膜层6上放置掩模板10，紫外线曝光15秒，采用稀释的碱性溶液进行显影30秒，形成PR图形6a；步骤三、采用旋涂法在形成有PR图形6a的ITO电极4上形成黑色涂层8，转速为700rpm；步骤四、从玻璃基板2方向照射紫外线，活性化PR图形6a，并放置在重量百分比为1.5％的氢氧化钙溶液中75秒；步骤五、用蒸馏水清洗并剥离PR图形6a和PR图形6a上的黑色涂层8，最终得到黑矩阵8a。实施例2步骤一、采用超音波清洗清洗ITO电极4和玻璃基板2，在ITO电极4上旋涂PR，转速为3000rpm，最后在烘箱里干燥7分钟，温度为90℃，形成PR膜层6；步骤二、在PR膜层6上放置掩模板10，紫外线曝光11秒，采用稀释的碱性溶液进行显影50秒，形成PR图形6a；步骤三、采用旋涂法在形成有PR图形6a的ITO电极4上形成黑色涂层8，转速为300rpm；步骤四、从玻璃基板2方向照射紫外线，活性化PR图形6a，并放置在重量百分比为9.3％的氨水中10秒；步骤五、喷射蒸馏水清洗并剥离PR图形6a和PR图形6a上的黑色涂层8，最终得到黑矩阵8a。本专利技术的黑矩阵制造方法，工序简单，能够制造出高品质要求的黑矩阵图形。本领域的普通技术人员将会意识到，这里所述的实施例是为了帮助读者理解本专利技术的原理，应被理解为本专利技术的保护范围并不局限于这样的特别陈述和实施例。本领域的普通技术人员可以根据本专利技术公开的这些技术启示做出各种不脱离本专利技术实质的其它各种具体变形和组合，这些变形和组合仍然在本专利技术的保护范围内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种黑矩阵制造方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一、清洗ITO电极(4)和玻璃基板(2)，在ITO电极(4)上涂布PR，干燥后形成PR膜层(6)；步骤二、在PR膜层(6)上放置掩模板(10)，紫外线曝光后，采用稀释的碱性溶液进行显影，形成PR图形(6a)；步骤三、在形成有PR图形(6a)的ITO电极(4)上形成黑色涂层(8)，并干燥黑色涂层(8)；步骤四、从玻璃基板(2)方向照射紫外线，活性化PR图形(6a)；步骤五、清洗并剥离PR图形(6a)和PR图形(6a)上的黑色涂层(8)，最终得到黑矩阵(8a)。

【技术特征摘要】
1.一种黑矩阵制造方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一、清洗ITO电极(4)和玻璃基板(2)，在ITO电极(4)上涂布PR，干燥后形成PR膜层(6)；步骤二、在PR膜层(6)上放置掩模板(10)，紫外线曝光后，采用稀释的碱性溶液进行显影，形成PR图形(6a)；步骤三、在形成有PR图形(6a)的ITO电极(4)上形成黑色涂层(8)，并干燥黑色涂层(8)；步骤四、从玻璃基板(2)方向照射紫外线，活性化P...

【专利技术属性】
技术研发人员：郎丰伟，任海，
申请(专利权)人：四川虹视显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：四川;51