【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种超结MOS管的制造方法。
技术介绍
传统的MOSFET(Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor,金属氧化物半导体场效应管)的耐压和导通电阻是一组平衡,当耐压要求较高时,需要衬底的电阻率更低,但是较低的电阻率会导致较高的导通电阻。为了改善此平衡,可以使用超结型结构,使得在提高耐压的同时降低导通电阻。超结型结构是由p型掺杂的柱状区域和n型掺杂的柱状区域组成,当p型掺杂区域的电荷数量同n型掺杂区域的电荷数量相当,达到平衡时,超结效果最佳,其耐压与导通电阻的平衡关系最优。当传统的超结MOSFET通过较高电流密度或者发生雪崩时,原本的电荷平衡会被破坏,多余的电荷会引起局部的电场升高,而电场升高会引发更多的雪崩电流,使得电荷的不平衡态进一步恶化,从而形成负反馈。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是为了克服现有技术的超结型MOS管中通过较高电流密度或发生雪崩时导致电荷平衡恶化而形成负反馈的缺陷,提出了一种超结MOS管的制造方法。一种超结MOS管的制造方法,包括以下步骤:S1、制作超结MOS管的晶圆;S2、对所述晶圆进行辐照;S3、对所述晶圆进行退火。较佳地,在步骤S2中,对所述晶圆采用第一辐照方式或者第二辐照方式进行辐照;所述第一辐照方式包括He辐照方式、质子辐照方式或者H辐照方式;所述第二辐照方式包括电子辐照方式。较佳地,所述超结MOS管的晶圆包括P-body区域和漏端,对所述晶圆进行辐照时,所述超结MOS管的晶圆的辐照区域为P-body区域至所述漏端之间。较佳地,所述第一辐照方式或者所述 ...
【技术保护点】
一种超结MOS管的制造方法,其特征在于,包括以下步骤:S1、制作超结MOS管的晶圆;S2、对所述晶圆进行辐照;S3、对所述晶圆进行退火。
【技术特征摘要】
1.一种超结MOS管的制造方法,其特征在于,包括以下步骤:S1、制作超结MOS管的晶圆;S2、对所述晶圆进行辐照;S3、对所述晶圆进行退火。2.如权利要求1所述的超结MOS管的制造方法,其特征在于,在步骤S2中,对所述晶圆采用第一辐照方式或者第二辐照方式进行辐照;所述第一辐照方式包括He辐照方式、质子辐照方式或者H辐照方式;所述第二辐照方式包括电子辐照方式。3.如权利要求2所述的超结MOS管的制造方法,其特征在于,所述超结MOS管的晶圆包括P-body区域和漏端,对所述晶圆进行辐照时,所述超结MOS管...
【专利技术属性】
技术研发人员:张栋,
申请(专利权)人:上海先进半导体制造股份有限公司,
类型:发明
国别省市:上海;31
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