熔丝结构制造技术

本发明专利技术提供了一种熔丝结构，包括：电介质层和熔丝，其中该熔丝采用折叠绕弯的布图方式设置于该电介质层上。本发明专利技术的熔丝结构的益处至少在于：可以增加熔丝结构所占据的空间位置，增加熔丝有效长度，增加熔丝的熔断可靠性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及适用于各种芯片制造工艺的新型的熔丝结构，且尤其涉及一种适用于芯片精度修正的熔丝结构。
技术介绍
随着对集成电路高性能指标的要求越来越高,集成电路面临高精度的要求日趋明显,修调技术是实现高精度集成电路的必要手段。修调技术广泛应用于对D/A和A/D转换器的精度、V/F转换器的频率、有源滤波器的零点频率、运算放大器的失调电压和各种高精度基准源等的微调。采用熔丝结构作为高精度修调的方式，成本比较低廉，主要需要考虑熔丝结构所占据面积和熔断熔丝的可靠性问题。
技术实现思路
本专利技术提出了一种全新的蛇形或叠层熔丝结构，用于大幅提升熔丝熔断可靠性，保证芯片精度的修正准确。具体的，本专利技术提供了一种熔丝结构，包括：电介质层和熔丝，其中该熔丝采用折叠绕弯的布图方式设置于该电介质层上。较佳地，在上述的熔丝结构中，该折叠绕弯的布图方式是使该熔丝弯折后所形成的两段熔丝之间的夹角在0-180度之间，且弯折部位呈弧线或折线。较佳地，在上述的熔丝结构中，该熔丝电介质层上的熔丝弯折多次。较佳地，在上述的熔丝结构中，该电介质层包括彼此叠置的多个电介质层，其中每个电介质层上的熔丝的至少一端处设置有对接孔，且相邻两个电介质层上的熔丝经由该对接孔实现串联。较佳地，在上述的熔丝结构中，该相邻两个电介质层的用于实现熔丝串联的对接孔定位于彼此平行的水平面上的相同水平位置。较佳地，在上述的熔丝结构中，该熔丝通过沉积、光刻、刻蚀、溅射、电镀和喷涂中的一种方式形成于该电介质层的一侧表面上。较佳地，在上述的熔丝结构中，该电介质层为铝层或者多晶层。较佳地，在上述的熔丝结构中，该熔丝结构适用于芯片精度修正。综上，本专利技术的熔丝结构可以增加熔丝长度，扩大熔丝整体结构占据的空间体积，大幅提升熔丝熔断可靠性，保证芯片精度的修正准确。应当理解，本专利技术以上的一般性描述和以下的详细描述都是示例性和说明性的，并且旨在为如权利要求所述的本专利技术提供进一步的解释。附图说明包括附图是为提供对本专利技术进一步的理解，它们被收录并构成本申请的一部分，附图示出了本专利技术的实施例，并与本说明书一起起到解释本专利技术原理的作用。附图中：图1a示出了折叠绕弯的布图方式的第一实施例。图1b示出了折叠绕弯的布图方式的第二实施例。图1c示出了折叠绕弯的布图方式的第三实施例。图1d示出了折叠绕弯的布图方式的第四实施例。图2示出了叠置结构的实施例。具体实施方式现在将详细参考附图描述本专利技术的实施例。现在将详细参考本专利技术的优选实施例，其示例在附图中示出。在任何可能的情况下，在所有附图中将使用相同的标记来表示相同或相似的部分。此外，尽管本专利技术中所使用的术语是从公知公用的术语中选择的，但是本专利技术说明书中所提及的一些术语可能是申请人按他或她的判断来选择的，其详细含义在本文的描述的相关部分中说明。此外，要求不仅仅通过所使用的实际术语，而是还要通过每个术语所蕴含的意义来理解本专利技术。首先参考图1a-图1d。本专利技术的熔丝结构100主要包括电介质层101和熔丝102。特别是，该熔丝102采用折叠绕弯的布图方式设置于该电介质层101上，从而增加了相同面积下熔丝结构所占据的空间。该电介质层101可以是铝层或者多晶层。此外，该熔丝102例如可以通过沉积、光刻、刻蚀、溅射、电镀和喷涂中的一种方式形成于该电介质层101的一侧表面上。更具体的，如果电介质层101采用多晶层，则可以采用诸如多晶淀积、光刻多晶、刻蚀多晶等工艺形成熔丝102于该多晶层上；或者，若电介质层101采用铝层，则可以采用诸如溅射、光刻、刻蚀等工艺形成熔丝102于该铝层上。具体的，上述的折叠绕弯的布图方式是使该熔丝102(例如熔丝图形的中位线)弯折后所形成的两段熔丝之间的夹角在0-180度之间的各种角度。比如，图1a所示的实施例中的夹角例如是135度，且图1b、图1c和图1d所示的实施例中的多处夹角均为90度。此外，弯折的部位优选呈弧线或折线。此外，图1a所示的实施例中的熔丝102仅包含一次弯折，图1b所示的实施例中包含两次弯折。在图1c和图1d所示的实施例中，熔丝电介质层101上的熔丝102弯折多次。现在转到图2，该图示出了包含多个电介质层的叠置结构的实施例。在图2所示的实施例中，该电介质层101包括彼此叠置的三个电介质层。每个电介质层101上的熔丝102的至少一端处设置有对接孔103。这样，相邻两个电介质层101上的熔丝102经由该对接孔103实现串联。较佳地，在图2所示的实施例中，该相邻两个电介质层101的用于实现熔丝102串联的对接孔103定位于彼此平行的水平面上的相同水平位置，如图2所示的两个对接孔103那样。这样，可以更方便地实现跨层的对接。综上，本专利技术的用于芯片精度修正的熔丝结构的特点主要在于以下两方面：1)折叠绕弯(蛇形)的熔丝平面结构，以及2)通过串联多层的方式形成叠层熔丝结构。本专利技术的上述两项技术特征的益处至少在于：可以增加熔丝结构所占据的空间位置，增加熔丝有效长度，增加熔丝的熔断可靠性。本领域技术人员可显见，可对本专利技术的上述示例性实施例进行各种修改和变型而不偏离本专利技术的精神和范围。因此，旨在使本专利技术覆盖落在所附权利要求书及其等效技术方案范围内的对本专利技术的修改和变型。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种熔丝结构，其特征在于，包括：电介质层和熔丝，其中所述熔丝采用折叠绕弯的布图方式设置于所述电介质层上。

【技术特征摘要】
1.一种熔丝结构，其特征在于，包括：电介质层和熔丝，其中所述熔丝采用折叠绕弯的布图方式设置于所述电介质层上。2.如权利要求1所述的熔丝结构，其特征在于，所述折叠绕弯的布图方式是使所述熔丝弯折后所形成的两段熔丝之间的夹角在0-180度之间，且弯折部位呈弧线或折线。3.如权利要求2所述的熔丝结构，其特征在于，所述熔丝电介质层上的熔丝弯折多次。4.如权利要求1所述的熔丝结构，其特征在于，所述电介质层包括彼此叠置的多个电介质层，其中每个电介质层上的熔丝的至少一端处设置有对...

【专利技术属性】
技术研发人员：汪义，
申请(专利权)人：上海岭芯微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31