发光元件的制造方法技术

技术编号:14881008 阅读:104 留言:0更新日期:2017-03-24 03:39
提供发光效率优异的发光元件的制造方法。一种发光元件的制造方法,所述发光元件具有阳极、阴极、设置于阳极和阴极之间的发光层、以及密封层,所述制造方法包括:使用中心金属为铱原子的铱络合物等通过涂布法形成发光层的工序;形成阳极或阴极的工序;和形成密封层的工序,从形成发光层的工序的开始时起至形成密封层的工序的结束时为止的期间中,制造中的发光元件暴露于臭氧时的臭氧浓度的平均值:Appb与时间:B分钟满足式(1‑1),0≤A×B≤1000 (1‑1)。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及发光元件的制造方法
技术介绍
有机电致发光元件(以下也称作“发光元件”)由于发光效率高、驱动电压低,因而能够适宜地用于显示器和照明的用途,正在积极地进行研究开发。该发光元件具备发光层、电荷传输层等有机层。通过使用对于在发光元件的制造中可以使用的溶剂为可溶性的材料,能够通过以喷墨印刷法为代表的涂布法形成有机层,因此研究了使用可溶性的材料的发光元件的制造方法。在发光层中使用了显示来自三重态激发态的发光(磷光发光)的金属络合物的发光元件显示比在发光层中使用了显示来自单重态激发态的发光(荧光发光)的荧光材料的发光元件更高的发光效率。因此,研究了使用对于在发光元件的制造中可使用的溶剂为可溶性的金属络合物的发光元件的制造方法。例如,在专利文献1中记载了一种发光元件的制造方法,其包括:使用作为显示磷光发光的金属络合物的铱络合物通过涂布法成膜出发光层的工序;对所成膜的发光层进行退火的工序;以及,在经退火的发光层上蒸镀阴极的工序。现有技术文献专利文献专利文献1:美国专利申请公开第2006/0040136号说明书
技术实现思路
专利技术要解决的问题然而,通过上述的方法制造的发光元件的发光效率并不充分。因此,本专利技术的目的在于,提供发光效率优异的发光元件的制造方法。用于解决问题的手段本专利技术人发现,在具有阳极、阴极、使用铱络合物或包含由铱络合物衍生的结构单元的高分子化合物通过涂布法形成的发光层和密封层的发光元件中,从形成发光层的工序的开始时起至形成密封层的工序的结束时为止的期间中的制造中的发光元件暴露于臭氧时的、臭氧浓度的平均值与时间之积的值影响发光元件的发光效率,由此完成了本专利技术。本专利技术提供以下的[1]~[6]。[1]一种发光元件的制造方法,所述发光元件具有阳极、阴极、设置于阳极和阴极之间的发光层、以及密封层,所述制造方法包括:使用中心金属为铱原子的铱络合物或者包含由中心金属为铱原子的铱络合物衍生的结构单元的高分子化合物通过涂布法形成发光层的工序;形成阳极或阴极的工序;和形成密封层的工序,其中,从形成发光层的工序的开始时起至形成密封层的工序的结束时为止的期间中,制造中的发光元件暴露于臭氧时的臭氧浓度的平均值:Appb与制造中的发光元件暴露于臭氧时的时间:B分钟满足式(1-1),0≤A×B≤1000(1-1)。[2]如[1]所述的发光元件的制造方法,其中,所述A与所述B满足式(1-2),0≤A×B≤100(1-2)。[3]如[1]或[2]所述的发光元件的制造方法,其中,所述A满足式(2-1),0≤A≤30(2-1)。[4]如[1]~[3]中任一项所述的发光元件的制造方法,其中,所述B满足式(3-0),0≤B≤1000(3-0)。[5]如[1]~[4]中任一项所述的发光元件的制造方法,其中,所述的从形成发光层的工序的开始时起至形成密封层的工序的结束时为止的期间在使用化学过滤器的环境下进行。[6]如[1]~[5]中任一项所述的发光元件的制造方法,其中,所述铱络合物为式(4)所示的铱络合物,式中,n1表示1以上的整数,n2表示0以上的整数,n1+n2为3,E1和E2各自独立地表示碳原子或氮原子,需要说明的是,E1和E2中的至少一者为碳原子,环R1表示五元环或六元环的芳香族杂环,这些环可具有取代基,在该取代基存在有多个的情况下,它们相同或不同,可以相互键合并与各自所键合的原子一起形成环,在环R1存在有多个的情况下,它们相同或不同,需要说明的是,在环R1为六元环的芳香族杂环的情况下,E1为碳原子,环R2表示五元环或六元环的芳香族烃环、或者五元环或六元环的芳香族杂环,这些环可具有取代基,在该取代基存在有多个的情况下,它们相同或不同,可以相互键合并与各自所键合的原子一起形成环,在环R2存在有多个的情况下,它们相同或不同,需要说明的是,在环R2为六元环的芳香族杂环的情况下,E2为碳原子,A1-G1-A2表示阴离子性的二齿配体,A1和A2各自独立地表示碳原子、氧原子或氮原子,这些原子是构成环的原子或不是构成环的原子,G1表示单键、或者与A1和A2一起形成二齿配体的原子团,在A1-G1-A2存在有多个的情况下,它们相同或不同。专利技术的效果根据本专利技术,可以提供发光效率优异的发光元件的制造方法。另外,根据本专利技术的优选的实施方式,可以提供亮度寿命优异的发光元件的制造方法。附图说明图1显示臭氧浓度的平均值:Appb与时间:B分钟之积的值、与归一化后的发光效率的关系,分别表示:相对于发光元件1的发光元件C1和发光元件C2(将发光元件1的发光效率归一化为1.00)、相对于发光元件2的发光元件3和发光元件C3(将发光元件2的发光效率归一化为1.00)、相对于发光元件4的发光元件5和发光元件C4(将发光元件4的发光效率归一化为1.00)、相对于发光元件6的发光元件7、发光元件8和发光元件C5(将发光元件6的发光效率归一化为1.00)、相对于发光元件9的发光元件10、发光元件C6和发光元件C7(将发光元件9的发光效率归一化为1.00)、相对于发光元件11的发光元件C8(将发光元件11的发光效率归一化为1.00)、以及相对于发光元件12的发光元件C9和发光元件C10(将发光元件12的发光效率归一化为1.00)。具体实施方式以下,对于本专利技术的适宜的实施方式进行详细说明。<共通的术语的说明>在本说明书中共通使用的术语只要没有特别记载就是以下的含义。Me表示甲基,Et表示乙基,Bu表示丁基,i-Pr表示异丙基,t-Bu表示叔丁基。氢原子也可以为氘原子,还可以为氕原子。表示金属络合物的式中,表示与中心金属的键合的实线是指共价键或配位键。“高分子化合物”是指具有分子量分布且聚苯乙烯换算的数均分子量为1×103~1×108的聚合物。高分子化合物可以是嵌段共聚物、无规共聚物、交替共聚物、接枝共聚物中的任一种,也可以为其它的形态。若聚合活性基团原样残留,则在将高分子化合物用于发光元件的制作时发光特性或亮度寿命有可能下降,因而高分子化合物的末端基团优选为稳定的基团。该末端基团优选为与主链进行共轭键合的基团,例如可以举出:经由碳-碳键与芳基或一价杂环基键合的基团。“低分子化合物”是指没有分子量分布且分子量为1×104以下的化合物。“结构单元”是指在高分子化合物中存在有1个以上的单元。“烷基”可以是直链和支链中的任一种。直链的烷基的碳原子数不包括取代基的碳原子数在内,通常为1~50,优选为3~30,更优选为4~20。支链的烷基的碳原子数不包括取代基的碳原子数在内,通常为3~50,优选为3~30,更优选为4~20。烷基可以具有取代基,烷基例如可以举出:甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基、异丁基、叔丁基、戊基、异戊基、2-乙基丁基、己基、庚基、辛基、2-乙基己基、3-丙基庚基、癸基、3,7-二甲基辛基、2-乙基辛基、2-己基癸基、十二烷基、以及这些基团中的氢原子被环烷基、烷氧基、环烷氧基、芳基、氟原子等取代后的基团,例如可以举出三氟甲基、五氟乙基、全氟丁基、全氟己基、全氟辛基、3-苯丙基、3-(4-甲基苯基)丙基、3-(3,5-二己基苯基)丙基、6-乙氧基己基。“环烷基”的碳原子数不包括取代基的碳原子数在内,通常为3~50,优选为3~30,更优选为4~20。环烷基本文档来自技高网...
发光元件的制造方法

【技术保护点】
一种发光元件的制造方法,所述发光元件具有阳极、阴极、设置于阳极和阴极之间的发光层、以及密封层,所述制造方法包括:使用中心金属为铱原子的铱络合物或者包含由中心金属为铱原子的铱络合物衍生的结构单元的高分子化合物通过涂布法形成发光层的工序;形成阳极或阴极的工序;和形成密封层的工序,其中,从形成发光层的工序的开始时起至形成密封层的工序的结束时为止的期间中,制造中的发光元件暴露于臭氧时的臭氧浓度的平均值:A ppb与制造中的发光元件暴露于臭氧时的时间:B分钟满足式(1‑1),0≤A×B≤1000   (1‑1)。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.07.16 JP 2014-145618;2014.12.25 JP 2014-261991.一种发光元件的制造方法,所述发光元件具有阳极、阴极、设置于阳极和阴极之间的发光层、以及密封层,所述制造方法包括:使用中心金属为铱原子的铱络合物或者包含由中心金属为铱原子的铱络合物衍生的结构单元的高分子化合物通过涂布法形成发光层的工序;形成阳极或阴极的工序;和形成密封层的工序,其中,从形成发光层的工序的开始时起至形成密封层的工序的结束时为止的期间中,制造中的发光元件暴露于臭氧时的臭氧浓度的平均值:Appb与制造中的发光元件暴露于臭氧时的时间:B分钟满足式(1-1),0≤A×B≤1000(1-1)。2.如权利要求1所述的发光元件的制造方法,其中,所述A与所述B满足式(1-2),0≤A×B≤100(1-2)。3.如权利要求1或2所述的发光元件的制造方法,其中,所述A满足式(2-1),0≤A≤30(2-1)。4.如权利要求1~3中任一项所述的发光元件的制造方法,其中,所述B满足式(3-0),0≤B≤1000(3-0)。5.如权利要求1~4中任一项所述的发光元件的制造方法,其中,所述的从形成发光层的工序的开始时...

【专利技术属性】
技术研发人员:吉田完柿本秀信
申请(专利权)人:住友化学株式会社
类型:发明
国别省市:日本;JP

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