半导体装置的制造方法、半导体装置、及引线框架制造方法及图纸

本发明专利技术的实施方式提供一种能抑制引线发生多余变形的半导体装置的制造方法、半导体装置、及引线框架。实施方式的半导体装置的制造方法包括如下步骤：一面挤压第1内引线，一面使推压构件压抵于第2内引线的布线部的上表面而使布线部的至少一部分变形，且将第1内引线的延伸方向上的端部与布线部之间的连结部切断并且使布线部与端部相离；搭载半导体芯片；形成第1及第2接合线；形成密封树脂层；将支撑部与第1及第2外引线之间的连结部切断。

【技术实现步骤摘要】
[相关申请案]本申请案享受以日本专利申请2015-181479号(申请日：2015年9月15日)为基础申请案的优先权。本申请案通过参照该基础申请案而包含基础申请案的全部内容。
本专利技术的实施方式涉及一种半导体装置的制造方法、半导体装置、及引线框架。
技术介绍
在具有包含外引线和内引线的引线、及半导体芯片的半导体装置中，利用接合线将半导体芯片的电极垫与内引线之间电连接。因此，电极垫与外引线之间的距离越长则越须要使内引线从外引线较长地延伸到电极垫附近。长的内引线在半导体装置的制造过程中容易变形。如果内引线发生变形，那么会出现如下情况：例如，半导体芯片容易从内引线剥落，或者在进行线接合时接合线与内引线之间发生连接不良。
技术实现思路
本专利技术的实施方式提供一种能抑制引线的多余变形的半导体装置的制造方法、半导体装置、及引线框架。实施方式的半导体装置的制造方法包括如下步骤：一面挤压引线框架的第1内引线一面将推压构件压抵于布线部的上表面而使布线部的至少一部分变形，将端部与布线部之间的连结部切断且使布线部与端部相离，该引线框架包含包括第1外引线和从第1外引线延伸的第1内引线的第1引线、包括第2外引线和从第2外引线延伸的第2内引线的第2引线、及连结于第1外引线及第2外引线的支撑部，第2内引线包含与第1内引线的延伸方向上的端部连结的布线部；将包括第1电极垫和第2电极垫的半导体芯片搭载于引线框架上；形成将第1电极垫与第1引线电连接的第1接合线和将第2电极垫与第2引线电连接的第2接合线；形成对第1内引线、第2内引线、半导体芯片、第1接合线、及第2接合线进行密封的密封树脂层；及将支撑部与第1外引线及第2外引线之间的连结部切断。附图说明图1是表示引线框架的构造例的平面示意图。图2是表示图1所示的引线框架的一部分的放大图。图3是用于说明引线框架加工步骤的截面示意图。图4是用于说明引线框架加工步骤的截面示意图。图5是表示半导体装置的构造例的平面示意图。图6是表示图5所示的半导体装置的一部分的放大图。图7是表示图5所示的半导体装置的一部分的构造例的截面示意图。具体实施方式以下，参照图式对实施方式进行说明。图式中记载的各构成要素的厚度与平面尺寸的关系、各构成要素的厚度的比率等有时会与实物不同。而且，实施方式中，对于实质性相同的构成要素标注相同符号且适当省略说明。作为半导体装置的制造方法例，参照图1至图7针对TSOP(ThinSmallOutlinePackeage：TSOP，薄型小尺寸安装)型半导体装置的制造方法例进行说明。半导体装置的制造方法例包括引线框架准备步骤、引线框架加工步骤、芯片搭载步骤、线接合步骤、树脂密封步骤、镀敷步骤、修整成型(T/F)步骤。各步骤的顺序并不限于所述列举顺序。图1是表示引线框架的构造例的平面示意图。图1表示包含X轴和与X轴正交的Y轴的引线框架的X-Y平面。引线框架准备步骤中，如图1所示，准备具有多个引线11和支撑多个引线11的支撑部12的引线框架1。引线框架1是搭载半导体芯片等元件的金属板。作为引线框架1，可列举例如采用铜、铜合金、或者42合金等铁与镍的合金等的引线框架。引线框架1预先由冲压加工等得到加工。多个引线11各自包含外引线和从该外引线延伸的内引线。内引线是在树脂密封步骤后支撑于密封树脂层的部分。外引线是在树脂密封步骤后从密封树脂层突出的部分。多个引线11的外引线各自例如沿着Y轴并排设置于X-Y平面。作为多个引线11，可列举例如输入输出信号(IO)、数据选通信号(DQS)、引线使能信号(RE)、就绪/忙碌信号(RB)、芯片使能信号(CE)、地址锁存使能信号(ALE)、写入使能信号(WE)、写入保护信号(RP)、或者零商信号(ZQ)等信号用引线、或者电源(VCC)、电源(VPP)、电源(VSS)等电源用引线等。作为所述信号，也可使用差动信号。多个引线11也可具有未连接(NC)的引线。各种引线的排列顺序可根据半导体装置的规格或样式等设定。支撑部12是以包围多个引线11的方式设置。支撑部12分别连结于多个引线11的外引线。另外，支撑部12也可支撑多个半导体装置的引线。图2是表示图1所示的引线框架的一部分(区域100的一部分)的放大图。图2中，作为多个引线11的内引线，图示出内引线111、内引线112、内引线113、内引线114。内引线111及内引线112例如是信号用引线。内引线113及内引线114例如是电源用引线。此时，在内引线111与内引线112之间设有内引线113，由此，能抑制内引线111的信号与内引线112的信号之间的干扰。内引线114具有与内引线111至内引线113的延伸方向上的端部连结的布线部115。即，内引线111至内引线113是由内引线114及支撑部12固定。布线部115的形状只要为能将内引线111至内引线113与内引线114连结的形状则无特别限制。如图2所示，内引线111的延伸方向上的端部与布线部115之间的连结部的宽度优选的是比内引线111的最大宽度窄。同样，优选的是内引线112的延伸方向上的端部与布线部115之间的连结部的宽度比内引线112的最大宽度窄。优选的是内引线113的延伸方向上的端部与布线部115之间的连结部的宽度比内引线113的最大宽度窄。所述连结部也可为连结着的内引线的宽度最窄的区域。所述连结部的宽度例如可通过利用压制加工或者激光加工等在所述连结部形成凹口116而进行调整。图3是用于对引线框架加工步骤进行说明的截面示意图。图3表示包含引线框架1的Y轴和与X轴及Y轴正交的Z轴的Y-Z截面。Z轴相当于引线框架1的厚度方向。图3中，作为一例而图示出包含内引线113在内的截面。在引线框架加工步骤中，将引线框架1载置于具有沟槽51a的平台51上，利用挤压构件52对于内引线113的延伸方向上的端部与布线部115之间的连结部的两端(内引线113及内引线114)进行挤压。此时，使布线部115重叠于沟槽51a。接着，使推压构件53沿着Z轴向平台51侧下降，使推压构件53压抵布线部115的上表面而使布线部115的至少一部分变形。内引线113的延伸方向上的端部与布线部115之间的连结部比内引线113的最大宽度窄，所以比其他区域更易切断。因此，如果使布线部115变形，那么能将内引线113的延伸方向上的端部与布线部115之间的连结部切断并且能使布线部115与内引线113的延伸方向上的端部相离。同样，将内引线111及内引线112与布线部115之间的连结部切断并且使布线部115与内引线111及内引线112的延伸方向上的端部相离。就切断连结部后的布线部115而言，设成为当从与X-Y平面垂直的方向观察时邻接于内引线111至内引线113的延伸方向上的端部。而且，就切断连结部后的布线部115而言，当从与Y-Z截面垂直的方向观察时以沿着包含内引线114的厚度方向在内的截面而与内引线111至内引线113相离的方式弯曲。变形后的布线部115的形状并无特别限定，可如图3所示，布线部115具有与内引线111至内引线113的延伸方向平行的区域。利用以上步骤，使内引线111的一部分至内引线114的一部分彼此分离。同样，仍利用所述步骤使其他连结着的内引线的一部分彼此本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置的制造方法，其特征在于包括如下步骤：一面挤压引线框架的第1内引线，一面将推压构件压抵于所述布线部的上表面而使所述布线部的至少一部分变形，将所述端部与所述布线部之间的连结部切断，并且使所述布线部远离所述端部，该引线框架包含包括第1外引线和从所述第1外引线延伸的所述第1内引线的第1引线、包括第2外引线和从所述第2外引线延伸的第2内引线的第2引线、及连结于所述第1外引线和所述第2外引线的支撑部，所述第2内引线包含与所述第1内引线的延伸方向上的端部连结的布线部；将包括第1电极垫和第2电极垫的半导体芯片搭载于所述引线框架上；形成将所述第1电极垫与所述第1引线电连接的第1接合线、和将所述第2电极垫与所述第2引线电连接的第2接合线；形成对所述第1内引线、所述第2内引线、所述半导体芯片、所述第1接合线、及所述第2接合线进行密封的密封树脂层；及将所述支撑部与所述第1外引线及所述第2外引线之间的连结部切断。

【技术特征摘要】
2015.09.15 JP 2015-1814791.一种半导体装置的制造方法，其特征在于包括如下步骤：一面挤压引线框架的第1内引线，一面将推压构件压抵于所述布线部的上表面而使所述布线部的至少一部分变形，将所述端部与所述布线部之间的连结部切断，并且使所述布线部远离所述端部，该引线框架包含包括第1外引线和从所述第1外引线延伸的所述第1内引线的第1引线、包括第2外引线和从所述第2外引线延伸的第2内引线的第2引线、及连结于所述第1外引线和所述第2外引线的支撑部，所述第2内引线包含与所述第1内引线的延伸方向上的端部连结的布线部；将包括第1电极垫和第2电极垫的半导体芯片搭载于所述引线框架上；形成将所述第1电极垫与所述第1引线电连接的第1接合线、和将所述第2电极垫与所述第2引线电连接的第2接合线；形成对所述第1内引线、所述第2内引线、所述半导体芯片、所述第1接合线、及所述第2接合线进行密封的密封树脂层；及将所述支撑部与所述第1外引线及所述第2外引线之间的连结部切断。2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：所述推压构件是将所述半导体芯片搭载于所述引线框架上的芯片接合装置上所设的多个接合头中的一个接合头。3.根据权利要求1或者权利要求2所述的半导体装...

【专利技术属性】
技术研发人员：石井齐，
申请(专利权)人：株式会社东芝，
类型：发明
国别省市：日本;JP