本发明专利技术公开了一种有机电致发光显示面板及其制备方法,该有机电致发光显示面板包括:基板;薄膜晶体管层,位于所述基板上,包括源电极层、漏电极层和栅电极层;平坦化层,位于所述薄膜晶体管层上,具有贯穿所述平坦化层的第一过孔;绝缘层,位于所述平坦化层上,具有贯穿所述绝缘层且与所述第一过孔对应的第二过孔;阳极层,位于所述绝缘层上,包括依次层叠于所述绝缘层上的金属反射层和透明导电氧化物层,所述阳极层通过所述第一过孔和所述第二过孔与所述薄膜晶体管的漏电极层电性连接;发光层,位于所述阳极层上;阴极层,位于所述发光层上。上述有机电致发光显示面板不仅能够减少制备步骤,而且具有较高的可靠性。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及显示
,具体地说,涉及一种有机电致发光显示面板及其制备方法。
技术介绍
有机电致发光(OrganicLightEmittingDiode,OLED)显示面板具有功耗低、轻便、亮度高、视野宽和反应快等特点,使其能够广泛应用于便携式电子设备、穿戴式电子设备、车载电子设备等诸多领域中。OLED显示面板根据出光方向不同可分为顶发射型有机电致发光显示面板(TEOLED)和底发射型有机电致发光显示面板(BEOLED),其中,顶发射型OLED显示面板是指光从面板顶部向外出射的显示面板,由于顶发射型OLED显示面板具有更高的开口率,并能够满足高分辨率和大尺寸的要求,因而具有更好的应用前景。现有的OLED显示面板通常包括基板、依次层叠于基板上的薄膜晶体管层、平坦化层、电致发光元件和盖板等,电致发光元件包括阳极层、发光层和阴极层。对于顶发射型OLED显示面板,为提高显示面板的出光效率,阳极层通常采用具有反射功能的反射阳极,在显示过程中将发光层向下出射的光向上反射出去。反射阳极通常为金属反射层,例如银金属层,由于银很容易与氧化性的物质发生反应,同时金属反射层的平坦度对其反射效果也有很大的影响,因此,改善反射阳极的性能对提高OLED显示面板的性能至关重要。
技术实现思路
针对现有技术中存在的问题,本专利技术一方面提供一种有机电致发光显示面板,包括:基板;薄膜晶体管层,位于所述基板上,包括源电极层、漏电极层和栅电极层;平坦化层,位于所述薄膜晶体管层上,具有贯穿所述平坦化层的第一过孔;绝缘层,位于所述平坦化层上,具有贯穿所述绝缘层且与所述第一过孔对应的第二过孔;阳极层,位于所述绝缘层上,包括依次层叠于所述绝缘层上的金属反射层和透明导电氧化物层,所述阳极层通过所述第一过孔和所述第二过孔与所述薄膜晶体管的漏电极层电性连接;发光层,位于所述阳极层上;阴极层,位于所述发光层上。本专利技术另一方面提供一种有机电致发光显示面板的制备方法,包括以下步骤:提供一基板;在所述基板上形成薄膜晶体管层,包括源电极层、漏电极层和栅电极层;在所述薄膜晶体管层上形成平坦化层,在所述平坦化层上形成贯穿所述平坦化层的第一过孔;在所述平坦化层上形成绝缘层,在所述绝缘层上形成贯穿所述绝缘层且与所述第一过孔对应的第二过孔;在所述绝缘层上形成阳极层,包括依次层叠于所述绝缘层上的金属反射层和透明导电氧化物层,所述阳极层通过所述第一过孔和所述第二过孔与所述薄膜晶体管的漏电极层电性连接;在所述阳极层上形成发光层;在所述发光层上形成阴极层。与现有技术相比,本专利技术提供的有机电致发光显示面板及其制备方法至少具有以下有益效果:本专利技术的有机电致发光显示面板中,位于阳极层与平坦化层之间的绝缘层能够避免平坦化层中的氧化物与金属反射层的材料反应,同时,省去绝缘层与金属反射层之间的氧化铟锡层,避免了氧化铟锡层与漏电极层中铝金属层直接接触而发生电化学腐蚀的风险,具有较高的可靠性。附图说明图1是现有的有机电致发光显示面板的截面示意图。图2是图1的有机电致发光显示面板的局部截面示意图。图3是本专利技术实施例的有机电致发光显示面板的截面示意图。图4是图3的有机电致发光显示面板的局部截面示意图。图5A~图5E是本专利技术实施例的有机电致发光显示面板的制备过程示意图。具体实施方式现在将参考附图更全面地描述示例实施方式。然而,示例实施方式能够以多种形式实施,且不应被理解为限于在此阐述的实施方式;相反,提供这些实施方式使得本专利技术更全面和完整,并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。在图中相同的附图标记表示相同或类似的结构,因而将省略对它们的重复描述。本专利技术中所描述的表达位置与方向的词,均是以附图为例进行的说明,但根据需要也可以做出改变,所做改变均包含在本专利技术保护范围内。本专利技术的附图仅用于示意相对位置关系,某些部位的层厚采用了夸示的绘图方式以便于理解,附图中的层厚并不代表实际层厚的比例关系。首先参照图1和图2,图1是现有的有机电致发光显示面板的截面示意图,图2是图1的有机电致发光显示面板的位于虚线框内的局部截面示意图。现有的有机电致发光显示面板包括:基板10′、薄膜晶体管层、绝缘层40′、平坦化层30′和电致发光元件和封装层60′。薄膜晶体管层位于基板10′上,包括源电极层21′、漏电极层22′和栅电极层23′,其中,漏电极层22′包括依次层叠的第一钛(Ti)金属层222′、铝金属层223′、第二钛金属层224′。绝缘层40′位于薄膜晶体管层上,具有贯穿绝缘层40′的第二过孔41′,该绝缘层40′设置于薄膜晶体管层和平坦化层30′之间,用于阻隔水氧透过,防止水氧侵蚀电致发光元件中的有机材料。平坦化层30′位于绝缘层40′上,具有贯穿平坦化层30′的第一过孔31′,该第一过孔31′与第二过孔41′相对应。电致发光元件位于平坦化层30′上,且被像素定义层54′限定出多个子像素区域,包括阳极层51′、发光层52′和阴极层53′,其中,阳极层51′为具有反射功能的反射阳极,包括依次层叠的第一氧化铟锡(ITO)层511′、银金属层512′和第二氧化铟锡层513′,银金属层512′除具有导电功能外,还具有反射功能,该阳极层51′通过第二过孔41′和第一过孔31′与薄膜晶体管层的漏电极层22′电性连接。上述有机电致发光显示面板存在以下问题:(1)该有机电致发光显示面板的制备过程包括:在薄膜晶体管层的漏电极层22′制备完毕后,依次制备具有第二过孔41′的绝缘层40′、制备具有第一过孔31′的平坦化层30′、刻蚀(ASH)、制备阳极层51′。由于在平坦化层30′制作完成后,位于下层的第二过孔41′中很容易会有平坦化层30′材料的微残留,影响阳极层51′与漏电极层22′的接触电阻,因此需要增加一步刻蚀工艺,以除去该微残留,但是该刻蚀工艺很容易导致平坦化层30′的表面粗糙度增加,制备阳极层51′后,影响该阳极层51′的平坦度,进而降低其反射率。(2)阳极层51′的位于下层的第一氧化铟锡层511′与漏电极层22′的铝金属层223′之间隔有第二钛金属层224′,如果第二钛金属层224′成膜过程中有孔洞、微裂缝裂纹或颗粒,很容易使第一氧化铟锡层511′与铝金属层223′直接接触,进而发生电化学腐蚀。(3)银金属层512′与平坦化层30′之间隔有第一氧化铟锡层511′,如果第一氧化铟锡层511′成膜过程中有孔洞、微裂缝裂纹或颗粒,会导致银金属层512′与平坦化层30′直接接触,平坦化层30′通常是由有机物质经镀膜形成的有机层,该有机层中含有的硫(S)或其他氧化性物质具有较强的氧化能力,很容易与银金属层512′中的银发生化学反应,使其氧化,进而影响阳极层51′的导电性能和反射性能。基于上述问题,本专利技术一方面提供一种有机电致发光显示面板。图3是本专利技术实施例的有机电致发光显示面板的截面示意图,图4是图3的有机电致发光显示面板的位于虚线框内的局部截面示意图,参照图3和图4,本专利技术的有机电致发光显示面板包括:基板10、薄膜晶体管层、平坦化层30、绝缘层40、阳极层51、发光层52、阴极层53。基板10可以是刚性基板,也可以是柔性基板以实现柔性显示功能。本专利技术不限制刚性基板和柔性基板的类型,可选地,刚性基板是玻璃基板或石英基板本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种有机电致发光显示面板,其特征在于,包括:基板;薄膜晶体管层,位于所述基板上,包括源电极层、漏电极层和栅电极层;平坦化层,位于所述薄膜晶体管层上,具有贯穿所述平坦化层的第一过孔;绝缘层,位于所述平坦化层上,具有贯穿所述绝缘层且与所述第一过孔对应的第二过孔;阳极层,位于所述绝缘层上,包括依次层叠于所述绝缘层上的金属反射层和透明导电氧化物层,所述阳极层通过所述第一过孔和所述第二过孔与所述薄膜晶体管的漏电极层电性连接;发光层,位于所述阳极层上;阴极层,位于所述发光层上。
【技术特征摘要】
1.一种有机电致发光显示面板,其特征在于,包括:基板;薄膜晶体管层,位于所述基板上,包括源电极层、漏电极层和栅电极层;平坦化层,位于所述薄膜晶体管层上,具有贯穿所述平坦化层的第一过孔;绝缘层,位于所述平坦化层上,具有贯穿所述绝缘层且与所述第一过孔对应的第二过孔;阳极层,位于所述绝缘层上,包括依次层叠于所述绝缘层上的金属反射层和透明导电氧化物层,所述阳极层通过所述第一过孔和所述第二过孔与所述薄膜晶体管的漏电极层电性连接;发光层,位于所述阳极层上;阴极层,位于所述发光层上。2.根据权利要求1所述的有机电致发光显示面板,其特征在于,所述金属反射层为银金属层或银合金金属层。3.根据权利要求1所述的有机电致发光显示面板,其特征在于,所述透明导电氧化物层为氧化铟锡层。4.根据权利要求1所述的有机电致发光显示面板,其特征在于,所述漏电极层包括依次层叠的第一钛金属层、铝金属层和第二钛金属层。5.根据权利要求1所述的有机电致发光显示面板,其特征在于,所述绝缘层为无机绝缘层。6.根据权利要求5所述的有机电致发光显示面板,其特征在于,所述绝缘层为氮化硅层。7.根据权利要求1所述的有机电致发...
【专利技术属性】
技术研发人员:何水,林鸿,袁永,
申请(专利权)人:厦门天马微电子有限公司,天马微电子股份有限公司,
类型:发明
国别省市:福建;35
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