沉积掩模和制造沉积掩模的方法技术

公开了沉积掩模和制造沉积掩模的方法。该方法包括在基构件上形成光刻胶图案，该光刻胶图案具有多个倒锥形光学图案和由光学图案限定的光学开口；在光学开口中以及在光学图案上形成掩模材料层；移除光学图案和形成在光学图案上的掩模材料层，留下形成在光学开口中的掩模材料层；以及移除基构件。

【技术实现步骤摘要】
相关申请的交叉引用于2015年9月9日在韩国知识产权局提交的第10-2015-0127581号、标题为“沉积掩模和制造沉积掩模的方法”的韩国专利申请通过引用完整地并入本文。
实施方式涉及沉积掩模和制造沉积掩模的方法。
技术介绍
发光显示装置中的有机发光显示装置可以是自发光显示装置，有机发光显示装置例如由于其宽视角、高对比度和快响应速度而可成为下一代显示装置。有机发光显示装置可包括位于彼此面对的电极之间的中间层，例如发光层。电极和中间层可利用多种方法形成。这些方法之一可以是沉积方法。
技术实现思路
各实施方式可通过提供制造沉积掩模的方法来实现，该方法包括：在基构件上形成光刻胶图案，该光刻胶图案具有多个倒锥形光学图案和由光学图案限定的光学开口；在光学开口中以及在光学图案上形成掩模材料层；移除光学图案和形成在光学图案上的掩模材料层，留下形成在光学开口中的掩模材料层；以及移除基构件。光学图案中的每个可具有接触基构件的第一表面和面对第一表面的第二表面，光学图案中的每个可包括从第二表面朝着第一表面变窄并具有弯曲侧表面的第一光学图案，以及从第一光学图案朝着第一表面变窄并具有从第一光学图案的弯曲侧表面延伸的弯曲侧表面的第二光学图案，并且拐点可位于第一光学图案的弯曲侧表面与第二光学图案的弯曲侧表面之间的边界处。光学图案中的每个可在第二表面处具有最大宽度并且在第一表面处具有最小宽度，并且最大宽度与最小宽度之间的差值可以是3μm或大于3μm。掩模材料层可具有1至20μm的厚度。形成掩模材料层可包括利用沉积方法将金属材料或无机材料沉积在具有光刻胶图案的基构件上。在形成掩模材料层的步骤中，形成在光学开口中的掩模材料层可与形成在光学图案上的掩模材料层分离。光学图案中的每个还可包括位于第一光学图案的弯曲侧表面中的分离槽，该分离槽被定位成高于掩模材料层。第一光学图案的弯曲侧表面可包括从光学图案中的每个的第二表面连续的第一侧表面、第二侧表面、第三侧表面和第四侧表面，拐点可分别位于第一侧表面与第二侧表面之间的边界处、第二侧表面与第三侧表面之间的边界处，以及第三侧表面与第四侧表面之间的边界处，并且分离槽可由第二侧表面和第三侧表面限定。形成光刻胶图案可包括图案化形成在基构件上的光刻胶材料层，并且光刻胶材料层可包括负性光刻胶材料，该负性光刻胶材料可包括粘合剂、光敏剂、溶剂，以及响应于光照射而捕捉由光敏剂产生的自由基的添加剂。添加剂可以被添加的重量为光敏剂重量的5至30％。。各实施方式可通过提供制造沉积掩模的方法来实现，该方法包括：在基构件上形成光刻胶图案，该光刻胶图案具有多个倒锥形光学图案和由光学图案限定的光学开口；在光学开口中形成掩模材料层；移除光学图案，留下形成在光学开口中的掩模材料层；以及移除基构件，其中光学图案中的每个具有接触基构件的第一表面和面对第一表面的第二表面，光学图案中的每个包括从第二表面朝着第一表面变窄的第一光学图案，以及从第一光学图案朝着第一表面变窄的第二光学图案，第一光学图案具有弯曲侧表面，第二光学图案具有从第一光学图案的弯曲侧表面延伸的弯曲侧表面，拐点位于第一光学图案的弯曲侧表面与第二光学图案的弯曲侧表面之间的边界处。光学图案中的每个可在第二表面处具有最大宽度并且在第一表面处具有最小宽度，并且最大宽度与最小宽度之间的差值可以是3μm或大于3μm。基构件可包括金属衬底，并且形成掩模材料层可包括利用镀层法将金属材料镀层到基构件的表面上。掩模材料层可具有1至20μm的厚度。形成光刻胶图案可包括图案化形成在基构件上的光刻胶材料层，并且光刻胶材料层可包括负性光刻胶材料，该负性光刻胶材料可包括粘合剂、光敏剂、溶剂，以及响应于光的照射而捕捉由光敏剂产生的自由基的添加剂。各实施方式可通过提供沉积掩模来实现，该沉积掩模包括具有不平坦的第一表面和面对第一表面的平坦的第二表面的阻挡部，以及被阻挡部围绕的多个图案开口，其中多个图案开口中的每个包括在阻挡部的第一表面与第二表面之间彼此连接的第一开口和第二开口，第一开口从阻挡部的第一表面朝着阻挡部的第二表面变窄，第一开口具有弯曲侧表面，以及第二开口从第一开口朝着阻挡部的第二表面变窄，第二开口具有从第一开口的弯曲侧表面延伸的弯曲侧表面，以及拐点位于第一开口的弯曲侧表面与第二开口的弯曲侧表面之间的边界处。多个图案开口中的每个可在阻挡部的第一表面处具有最大宽度并在阻挡部的第二表面处具有最小宽度，最大宽度与最小宽度之间的差值可以是3μm或大于3μm，并且阻挡部可具有1至20μm的厚度。阻挡部的第一表面可以是凸出的表面。阻挡部可包括金属材料或无机材料。由连接第一开口的位于阻挡部的第一表面处的弯曲侧表面和第二开口的位于阻挡部的第二表面处的弯曲侧表面的虚拟平面，与平行于阻挡部的第一表面的虚拟平面形成的锥角可以是45度或小于45度。附图说明通过参照附图详细描述示例性实施方式，特征将对本领域技术人员变得显而易见，在附图中：图1示出了根据一个实施方式的、置于掩模框架上的沉积掩模的立体图；图2示出了图1的沉积掩模的平面图；图3示出了沿图2的线I-I'截取的剖视图；图4示出了用于描述利用图1的沉积掩模来执行的沉积工艺的沉积装置的配置；图5和图6示出了根据各种实施方式的沉积掩模的剖视图；图7至图11示出了制造图1至图3的沉积掩模的方法的剖视图；图12至图14示出了制造图5的沉积掩模的方法的剖视图；图15和图16示出了制造图6的沉积掩模的方法的剖视图；以及图17至图20示出了制造图1至图3的沉积掩模的方法的剖视图。具体实施方式在下文中，现将参照附图更全面地描述示例性实施方式；然而，示例性实施方式可体现为不同的形式并且不应解释为受限于本文中所阐述的实施方式。相反地，提供这些实施方式将使本公开全面且完整，并且将示例性实现方案充分地传达给本领域技术人员。在附图中，为了清晰地说明，可放大层和区域的尺寸。还将理解，当层被称为位于另一层或者衬底“上”时，其可以直接位于另一层或者衬底上，或者也可存在插入的层。而且，将理解，当层被称为位于另一层“下”时，该层可以直接位于另一层下，并且也可以存在一个或多个插入的层。此外，还将理解，当层被称为在两个层“之间”时，其可以是在两个层之间仅有的层，或者也可以存在一个或多个插入的层。在整个说明书中，相同的附图标记表示相同的部件。将理解，虽然可在本文中使用“第一”、“第二”、“第三”等术语来描述各种元件、部件、区域、层和/或部分，但是这些元件、部件、区域、层和/或部分不应受限于这些术语。这些术语仅用于将一个元件、部件、区域、层或部分与另一元件、部件、区域、层或部分区分开。因此，下面所讨论的第一元件、第一部件、第一区域、第一层或第一部分可称为第二元件、第二部件、第二区域、第二层或第二部分。在下文中，将参照附图描述实施方式。图1示出了根据一个实施方式的沉积掩模100的立体图。参照图1，根据当前实施方式的沉积掩模100可置于掩模框架5上并通过焊接与掩模框架5耦接，并且可形成掩模组件。掩模框架5可形成掩模组件的外部框架，并且可规定形状为在其中心部分中具有框架开口5a的四边形带状。掩模框架5可支承沉积掩模100并且可通过焊接与沉积掩模100耦接。掩模框架本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造沉积掩模的方法，所述方法包括：在基构件上形成光刻胶图案，所述光刻胶图案具有多个倒锥形的光学图案和由所述光学图案限定的光学开口；在所述光学开口中以及在所述光学图案上形成掩模材料层；移除所述光学图案和形成在所述光学图案上的所述掩模材料层，留下形成在所述光学开口中的所述掩模材料层；以及移除所述基构件。

【技术特征摘要】
2015.09.09 KR 10-2015-01275811.一种制造沉积掩模的方法，所述方法包括：在基构件上形成光刻胶图案，所述光刻胶图案具有多个倒锥形的光学图案和由所述光学图案限定的光学开口；在所述光学开口中以及在所述光学图案上形成掩模材料层；移除所述光学图案和形成在所述光学图案上的所述掩模材料层，留下形成在所述光学开口中的所述掩模材料层；以及移除所述基构件。2.如权利要求1所述的方法，其中，所述光学图案中的每个具有接触所述基构件的第一表面和面对所述第一表面的第二表面；所述光学图案中的每个包括第一光学图案和第二光学图案，其中所述第一光学图案从所述第二表面朝着所述第一表面变窄并具有弯曲侧表面，以及所述第二光学图案从所述第一光学图案朝着所述第一表面变窄并具有从所述第一光学图案的所述弯曲侧表面延伸的弯曲侧表面；以及拐点位于所述第一光学图案的所述弯曲侧表面与所述第二光学图案的所述弯曲侧表面之间的边界处。3.如权利要求2所述的方法，其中，所述光学图案中的每个在所述第二表面处具有最大宽度并且在所述第一表面处具有最小宽度，以及所述最大宽度与所述最小宽度之间的差值为3μm或大于3μm。4.如权利要求1所述的方法，其中所述掩模材料层具有1至20μm的厚度。5.如权利要求1所述的方法，其中，形成所述掩模材料层的步骤
\t包括利用沉积方法将金属材料或无机材料沉积在具有所述光刻胶图案的所述基构件上。6.如权利要求1所述的方法，其中，在形成所述掩模材料层的步骤中，形成在所述光学开口中的所述掩模材料层与形成在所述光学图案上的所述掩模材料层分离。7.如权利要求2所述的方法，其中，所述光学图案中的每个还包括位于所述第一光学图案的所述弯曲侧表面中的分离槽，所述分离槽被定位成高于所述掩模材料层。8.如权利要求7所述的方法，其中，所述第一光学图案的所述弯曲侧表面包括从所述光学图案中的每个的所述第二表面连续的第一侧表面、第二侧表面、第三侧表面和第四侧表面；拐点分别位于所述第一侧表面与所述第二侧表面之间的边界处、所述第二侧表面与所述第三侧表面之间的边界处、以及所述第三侧表面与所述第四侧表面之间的边界处；以及所述分离槽由所述第二侧表面和所述第三侧表面限定。9.如权利要求1所述的方法，其中，形成所述光刻胶图案包括图案化形成在所述基构件上的光刻胶材料层，以及所述光刻胶材料层包括负性光刻胶材料，所述负性光刻胶材料包含粘合剂、光敏剂、溶剂和添加剂，所述添加剂响应于光的照射而捕捉由所述光敏剂产生的自由基。10.如权利要求9所述的方法，其中，所述添加剂被添加的重量为所述光敏剂重量的5至30％。11.一种制造沉积掩模的方法，所述方法包括：在基构件上形成光刻胶图案，所述光刻胶图案具有多个倒锥形光学图案和由所述光学图案限定的光学开口；在...

【专利技术属性】
技术研发人员：姜勋，甘范修，张宗燮，全祐奭，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR