层叠体及半导体元件搭载用基板以及它们的制造方法技术

技术编号:14874273 阅读:201 留言:0更新日期:2017-03-23 21:54
一种层叠体,其是通过至少具有如下工序的制造方法制造出的,即:准备第一中间层叠体的工序,该第一中间层叠体具有载体基板和金属层,该载体基板在内部含有支承体,该金属层形成在该载体基板的至少一个面且能够剥离;通过在所述第一中间层叠体的不成为产品的部分形成从所述第一中间层叠体的表面至少到达所述载体基板中的所述支承体的第一孔,制作带有所述第一孔的第二中间层叠体的工序;在所述第二中间层叠体的形成有所述第一孔的所述表面上,自所述表面侧按照绝缘材料和金属箔的顺序层叠配置绝缘材料以及金属箔,一边对所述第二中间层叠体、所述绝缘材料以及所述金属箔进行加热一边沿着它们的层叠方向进行加压,从而制作在所述第一孔中填充有所述绝缘材料的第三中间层叠体的工序;以及使用药液对所述第三中间层叠体进行处理的工序。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种层叠体及半导体元件搭载用基板以及它们的制造方法
技术介绍
近年来,在电子设备、通信设备以及个人计算机等中广泛使用的半导体封装体越发加快高功能化以及小型化。与此相伴地,要求半导体封装体中的印刷线路板以及半导体元件搭载用基板的薄型化。通常,印刷线路板以及半导体元件搭载用基板是通过在支承基板上层叠作为电路图案的层(以下也仅称为“电路图案层”。)和绝缘材料而制作的。在以薄型化为目的想不使用支承基板地制造印刷线路板以及半导体元件搭载用基板的情况下,若使用原有的制造装置,则经常发生印刷线路板以及半导体元件搭载用基板被折断、印刷线路板以及半导体元件搭载用基板被卷绕于输送机。因此,难以使用原有的制造装置来制造以薄型化为目的的印刷线路板以及半导体元件搭载用基板。作为解决上述那样的问题的方法,例如,在专利文献1中公开有下述方法:在不锈钢等刚性较高的支承基板(载体基板)上形成有能够在后面的工序中剥离的铜的层的层叠体上,通过图案镀法形成电路图案,并层叠环氧树脂涂覆玻璃纤维这样的绝缘层,然后进行加热以及加压处理,最后将支承基板剥离、除去,从而制造薄型的印刷线路板。如上述那样,在刚性较高的支承基板上层叠电路图案和绝缘材料,最后将支承基板剥离、除去,由此,即使是原有的制造装置,也能够制造薄型的印刷线路板以及半导体元件搭载用基板。现有技术文献专利文献专利文献1:日本特表昭59-500341号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题但是,在利用专利文献1所记载的方法来制造薄型的印刷线路板以及半导体元件搭载用基板时,为了形成电路图案而使用的药液容易从层叠体的端部以及加工孔的端部渗入到载体基板和能够剥离的金属层之间的界面。其结果,存在以下问题点:剥离载体基板后得到的层叠体的外观不良、在剥离载体基板之后成为最外层的上述金属层的厚度不均匀。另外,为了抑制上述药液的渗入,考虑提高载体基板和能够剥离的金属层之间的剥离强度。但是,这样的高剥离强度会导致在剥下载体基板时层叠体发生破损、翘曲。因此,为了抑制药液的渗入而对载体基板和能够剥离的金属层的剥离强度进行调整的做法会导致在制造薄型的印刷线路板以及半导体元件搭载用基板中成品率较低。本专利技术是鉴于上述情况而做成的,其目的在于提供一种层叠体、用该层叠体制作的半导体元件搭载用基板以及它们的制造方法,该层叠体是通过如下方式制作的,即,在具有载体基板和在该载体基板上形成的能够剥离的金属层的中间层叠体上层叠金属箔以及绝缘材料,根据需要最后将载体基板除去,该层叠体能够抑制药液向载体基板和能够剥离的金属层之间的界面的渗入。用于解决问题的方案本专利技术人为了解决上述的课题而进行了深入研究,其结果发现,在制造层叠体时,通过在使用药液进行处理的工序之前在最终不成为产品的部分设置规定的孔并向该孔中填充绝缘材料,在使用药液进行处理时发生的药液的渗入变少,从而完成了本专利技术。即,本专利技术如下所述。[1]一种层叠体,其中,其是通过至少具有如下工序的制造方法制造出的,即:准备第一中间层叠体的工序,该第一中间层叠体具有载体基板和金属层,该载体基板在内部含有支承体,该金属层形成在该载体基板的至少一个面且能够剥离;通过在所述第一中间层叠体的不成为产品的部分形成从所述第一中间层叠体的表面至少到达所述载体基板中的所述支承体的第一孔,制作带有所述第一孔的第二中间层叠体的工序;在所述第二中间层叠体的形成有所述第一孔的所述表面上,自所述表面侧按照绝缘材料和金属箔的顺序层叠配置绝缘材料以及金属箔,一边对所述第二中间层叠体、所述绝缘材料以及所述金属箔进行加热一边沿着它们的层叠方向进行加压,从而制作在所述第一孔中填充有所述绝缘材料的第三中间层叠体的工序;以及使用药液对所述第三中间层叠体进行处理的工序。[2]根据[1]所述的层叠体,其中,所述第一孔的端部与所述层叠体的端部之间的距离在50mm以内。[3]根据[1]或[2]所述的层叠体,其中,所述制造方法在制作所述第三中间层叠体的工序和使用所述药液进行处理的工序之间具有设置对位用的第二孔的工序,且在制作所述第二中间层叠体的工序中,至少在距所述第二孔的端部的距离大于距所述层叠体的端部的距离的位置,以及距所述第二孔的端部的距离和距所述层叠体的端部的距离相等的位置和/或距所述层叠体的端部的距离大于距所述第二孔的端部的距离的位置设置所述第一孔。[4]根据[3]所述的层叠体,其中,在距所述第二孔的端部的距离和距所述层叠体的端部的距离相等的位置和/或距所述层叠体的端部的距离大于距所述第二孔的端部的距离的位置设置的所述第一孔的端部与所述第二孔的所述端部之间的距离在50mm以内。[5]根据[1]~[4]中任一项所述的层叠体,其中,所述制造方法还具有在使用所述药液进行处理的工序之后从所述第三中间层叠体除去所述载体基板的工序。[6]根据[1]~[5]中任一项所述的层叠体,其中,所述第一孔的截面面积为0.002mm2以上8mm2以下,且所述第一孔的数量为在100mm见方的区域内存在三个以上。[7]根据[1]~[6]中任一项所述的层叠体,其中,所述载体基板的厚度为30μm~250μm。[8]根据[1]~[7]中任一项所述的层叠体,其中,所述金属层的厚度为20μm以下。[9]根据[1]~[8]中任一项所述的层叠体,其中,所述载体基板和所述金属层之间的界面的剥离强度为1N/m~50N/m。[10]根据[1]~[9]中任一项所述的层叠体,其中,使用所述药液进行处理的工序是将在利用激光加工形成了非通孔时产生的胶渣除去的工序。[11]根据[1]~[10]中任一项所述的层叠体,其中,使用所述药液进行处理的工序是对所述金属箔的表面实施镀敷的工序。[12]根据[1]~[11]中任一项所述的层叠体,其中,使用所述药液进行处理的工序是利用减成法用所述金属箔形成电路图案的工序。[13]根据[1]~[12]中任一项所述的层叠体,其中,所述第一中间层叠体是通过在所述支承体的一个面或者两个面层叠具有载体金属箔和比所述载体金属箔薄的金属箔的带载体金属箔的金属箔而制作成的层叠体。[14]根据[13]所述的层叠体,其中,所述带载体金属箔的金属箔中的金属箔的厚度为5μm以下。[15]根据[13]或[14]所述的层叠体,其中,所述带载体金属箔的金属箔是具有载体铜箔和比所述载体铜箔薄的铜箔的带载体铜箔的铜箔。[16]根据[1]~[15]中任一项所述的层叠体,其中,所述支承体的厚度为5μm~200μm。[17]根据[1]~[16]中任一项所述的层叠体,其中,所述支承体为绝缘材料。[18]根据[1]~[17]中任一项所述的层叠体,其中,所述绝缘材料为预浸料。[19]根据[1]~[18]中任一项所述的层叠体,其中,所述金属箔是铜箔。[20]一种具有积层结构的层叠体,其中,该层叠体是通过具有一个或者两个以上如下工序的制造方法制造出的,即,在[1]~[19]中任一项所述的层叠体的一个面或者两个面层叠配置金属箔以及绝缘材料,一边对所述层叠体、所述金属箔以及所述绝缘材料进行加热一边沿着它们的层叠方向进行加压的工序。[21]一种半导体元件搭载用基板,其中,该半导体元件搭载用基板是通过具有如下工序的制造方法制造出的,即,利用减成法在[1]~[20]中任一项所述的层叠本文档来自技高网...
层叠体及半导体元件搭载用基板以及它们的制造方法

【技术保护点】
一种层叠体,其中,其是通过至少具有如下工序的制造方法制造出的,即:准备第一中间层叠体的工序,该第一中间层叠体具有载体基板和金属层,该载体基板在内部含有支承体,该金属层形成在该载体基板的至少一个面且能够剥离;通过在所述第一中间层叠体的不成为产品的部分形成从所述第一中间层叠体的表面至少到达所述载体基板中的所述支承体的第一孔,制作带有所述第一孔的第二中间层叠体的工序;在所述第二中间层叠体的形成有所述第一孔的所述表面上,自所述表面侧按照绝缘材料和金属箔的顺序层叠配置绝缘材料以及金属箔,一边对所述第二中间层叠体、所述绝缘材料以及所述金属箔进行加热一边沿着它们的层叠方向进行加压,从而制作在所述第一孔中填充有所述绝缘材料的第三中间层叠体的工序;以及使用药液对所述第三中间层叠体进行处理的工序。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.07.18 JP 2014-1477031.一种层叠体,其中,其是通过至少具有如下工序的制造方法制造出的,即:准备第一中间层叠体的工序,该第一中间层叠体具有载体基板和金属层,该载体基板在内部含有支承体,该金属层形成在该载体基板的至少一个面且能够剥离;通过在所述第一中间层叠体的不成为产品的部分形成从所述第一中间层叠体的表面至少到达所述载体基板中的所述支承体的第一孔,制作带有所述第一孔的第二中间层叠体的工序;在所述第二中间层叠体的形成有所述第一孔的所述表面上,自所述表面侧按照绝缘材料和金属箔的顺序层叠配置绝缘材料以及金属箔,一边对所述第二中间层叠体、所述绝缘材料以及所述金属箔进行加热一边沿着它们的层叠方向进行加压,从而制作在所述第一孔中填充有所述绝缘材料的第三中间层叠体的工序;以及使用药液对所述第三中间层叠体进行处理的工序。2.根据权利要求1所述的层叠体,其中,所述第一孔的端部与所述层叠体的端部之间的距离在50mm以内。3.根据权利要求1或2所述的层叠体,其中,所述制造方法在制作所述第三中间层叠体的工序和使用所述药液进行处理的工序之间具有设置对位用的第二孔的工序,且在制作所述第二中间层叠体的工序中,至少在距所述第二孔的端部的距离大于距所述层叠体的端部的距离的位置,以及距所述第二孔的端部的距离和距所述层叠体的端部的距离相等的位置和/或距所述层叠体的端部的距离大于距所述第二孔的端部的距离的位置设置所述第一孔。4.根据权利要求3所述的层叠体,其中,在距所述第二孔的端部的距离和距所述层叠体的端部的距离相等的位置和/或距所述层叠体的端部的距离大于距所述第二孔的端部的距离的位置设置的所述第一孔的端部与所述第二孔的所述端部之间的距离在50mm以内。5.根据权利要求1~4中任一项所述的层叠体,其中,所述制造方法还具有在使用所述药液进行处理的工序之后从所述第三中间层叠体除去所述载体基板的工序。6.根据权利要求1~5中任一项所述的层叠体,其中,所述第一孔的截面面积为0.002mm2以上8mm2以下,且所述第一孔的数量为在100mm见方的区域内存在三个以上。7.根据权利要求1~6中任一项所述的层叠体,其中,所述载体基板的厚度为30μm~250μm。8.根据权利要求1~7中任一项所述的层叠体,其中,所述金属层的厚度为20μm以下。9.根据权利要求1~8中任一项所述的层叠体,其中,所述载体基板和所述金属层之间的界面的剥离强度为1N/m~50N/m。10.根据权利要求1~9中任一项所述的层叠体,其中,使用所述药液进行处理的工序是将在利用激光加工形成了非通孔时产生的胶渣除去的工序。11.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员:加藤祯启小柏尊明中岛洋一市川崇章川下和晃
申请(专利权)人:三菱瓦斯化学株式会社
类型:发明
国别省市:日本;JP

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