温度压力传感器模块及其制备方法技术

技术编号:14870168 阅读:63 留言:0更新日期:2017-03-21 02:22
本发明专利技术公开了一种温度压力传感器模块及其制备方法,该方法包括:1)将热敏电阻粘于内芯上,并且将热敏电阻的引脚贴合与内芯的镀金引线的一端上、固化处理;2)将压力传感器芯片粘于内芯上,且将压力传感器芯片通过金丝连于镀金引线的一端上,进行固化处理以制得内芯结构件;3)将内芯结构件置于内芯的一端的内腔中,且将硅胶灌注内腔中、固化处理;4)将上盖焊于内芯结构件的顶端以封闭热敏电阻与压力传感器芯片;5)将导线的一端焊接于镀金引线的另一端上,且将导线的另一端穿过底筒的通孔,将底筒焊于上盖上以封闭内芯结构件的末端;6)将环氧胶通过通孔向内腔中灌胶、固化处理。该温度压力传感器模块结构小巧、功能多样化、可靠性高。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及传感器
,具体地,涉及一种温度压力传感器模块及其制备方法
技术介绍
近年来,物联网、智能手机、汽车电子等产业的快速发展,加速了对传感器产品的需求。传感器产品的发展也在低功耗、可靠性、稳定性、低成本、小型化、微型化、复合型等技术和经济指标方面提出了更高的要求。目前,温度压力传感器模块虽然传感性能十分优越,但是仍存在较大的缺陷,要么是结构较大,功能单一;要么是可靠性差。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种温度压力传感器模块及其制备方法,通过该方法制得的温度压力传感器模块结构小巧、功能多样化,并且可靠性高。为了实现上述目的,本专利技术提供了本专利技术提供了一种温度压力传感器模块的制备方法,包括:1)将热敏电阻粘接于内芯上,并且将所述热敏电阻的引脚贴合与内芯的镀金引线的一端上,然后进行固化处理;2)将压力传感器芯片粘接于所述内芯上,并且将所述压力传感器芯片通过金丝连接于所述镀金引线的一端上,然后进行固化处理以制得内芯结构件;3)将所述内芯结构件置于所述内芯的一端的内腔中,并且将硅胶灌注所述内腔中,然后进行固化处理;4)将上盖焊接于所述内芯结构件的顶端以封闭所述热敏电阻与压力传感器芯片;5)将导线的一端焊接于所述镀金引线的另一端上,并且将导线的另一端穿过底筒的通孔,然后将所述底筒焊接于所述上盖上以封闭所述内芯结构件的末端;6)将环氧胶通过所述通孔向所述内腔中灌胶,然后进行固化处理以制得温度压力传感器模块。本专利技术还提供了一种温度压力传感器模块,该温度压力传感器模块通过上述的方法制备而得。通过上述技术方案,本专利技术通过首先将热敏电阻、压力传感器芯片安装并焊接于内芯上,接着将内芯结构件安装于所述内芯的内腔中并向内腔中灌注硅胶,再接着上盖焊接内芯结构件的顶端,然后将导线焊接于镀金引线(6)上并且将导线穿过底筒的通孔并将底筒焊接于所述上盖上,最后将环氧胶灌注至通孔中以固定和保护导线。本专利技术通过上述各步骤的协同作用,使得制得的温度压力传感器模块在体积小巧化的前提下仍具有优异的可靠性高,并且功能多样化。本专利技术的其他特征和优点将在随后的具体实施方式部分予以详细说明。附图说明附图是用来提供对本专利技术的进一步理解,并且构成说明书的一部分,与下面的具体实施方式一起用于解释本专利技术,但并不构成对本专利技术的限制。在附图中:图1是本专利技术制得的温度压力传感器模块的结构示意图;图2是图1中底筒的结构示意图;图3是图1中上盖的结构示意图;图4是图3的右视图;图5是内芯的结构示意图;图6是图5的左视图;图7是内芯装配的平面示意图;图8内芯与上盖的装配示意图。附图标记说明1、底筒2、上盖3、内芯4、压力传感器芯片5、热敏电阻6、镀金引线7、引脚8、金丝9、玻璃釉10、硅胶11、通孔12、导线13、环氧胶A、底筒与上盖的焊接处B、上盖的贯穿孔内缘锥角C、内芯与上盖的焊接处具体实施方式以下对本专利技术的具体实施方式进行详细说明。应当理解的是,此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本专利技术,并不用于限制本专利技术。本专利技术提供了一种温度压力传感器模块的制备方法,包括:1)将热敏电阻5粘接于内芯3上,并且将热敏电阻5的引脚7贴合与内芯3的镀金引线6的一端上,然后进行固化处理;2)将压力传感器芯片4粘接于内芯3上,并且将压力传感器芯片4通过金丝8连接于镀金引线6的一端上,然后进行固化处理以制得内芯结构件;3)将内芯结构件置于内芯3的一端的内腔中,并且将硅胶10灌注内腔中,然后进行固化处理;4)将上盖2焊接于内芯结构件的顶端以封闭热敏电阻5与压力传感器芯片4;5)将导线12的一端焊接于镀金引线6的另一端上,并且将导线12的另一端穿过底筒1的通孔11,然后将底筒1焊接于上盖2上以封闭内芯结构件的末端;6)将环氧胶13通过通孔11向内腔中灌胶,然后进行固化处理制得温度压力传感器模块(如图1所示)。本专利技术通过首先将热敏电阻5、压力传感器芯片4安装并焊接于内芯3上,接着将内芯结构件安装于所述内芯3的内腔中并向内腔中灌注硅胶10,再接着上盖2焊接内芯结构件的顶端,然后将导线12焊接于镀金引线6上并且将导线12穿过底筒1的通孔11并将底筒1焊接于所述上盖2上,最后将环氧胶13灌注至通孔11中以固定和保护导线12。本专利技术通过上述各步骤的协同作用,使得制得的温度压力传感器模块在体积小巧化的前提下仍具有优异的可靠性高,并且功能多样化。在本专利技术的步骤1)中,固化处理的具体条件可以在宽的范围内选择,但是为了使得热敏电阻5能够更牢固地粘接于内芯3上,优选地,在步骤1)中,固化处理至少满足以下条件:固化温度为100-150℃,固化时间为1-2h。同时,在本专利技术的步骤1)中,粘结的具体方式可以是本领域中任何一种常规的粘结方式,但是为了便于操作,优选地,步骤1)中粘结通过绝缘环氧胶进行。在本专利技术的步骤1)中,固化处理的具体条件可以在宽的范围内选择,但是为了使得压力传感器芯片4能够更牢固地粘接于内芯3上,优选地,在步骤2)中,固化处理至少满足以下条件:固化温度为100-150℃,固化时间为1-2h。同时,在本专利技术的步骤2)中,粘结的具体方式可以是本领域中任何一种常规的粘结方式,但是为了便于操作,优选地,步骤2)中粘结通过绝缘环氧胶进行。在本专利技术的步骤3)中,固化处理可以是自然固化,也可以通过采用额外加热的方式进行固化,考虑到硅胶10的固化需要一个循序渐进的过程以使得凝固后的硅胶10具有更优异的理化性质,优选地,在步骤3)中,固化处理为自然固化。为了防止气泡对硅胶10的影响,优选地,在所述步骤4)中,所述方法还包括对硅胶10进行排泡处理。在本专利技术的步骤6)中,固化处理的具体条件可以在宽的范围内选择,但是为了环氧胶13能够充分地固化,优选地,在步骤6)中,固化处理至少满足以下条件:固化温度为100-120℃,固化时间为1-2h。在本专利技术中,为了保证每根导线12之间的绝缘性,优选地,在步骤5)之前,该制备方法还包括:将导线12的外包层去除并上锡,然后套上热缩套管,最后对热缩套管进行热风处理。同时,为了清除步骤1)中的焊接焊渣,优选地,在步骤1)之后,该方法还包括:将内芯3与热敏电阻5通过酒精进行清洗。同时,为了清除步骤2本文档来自技高网...
温度压力传感器模块及其制备方法

【技术保护点】
一种温度压力传感器模块的制备方法,其特征在于,包括:1)将热敏电阻(5)粘接于内芯(3)上,并且将所述热敏电阻(5)的引脚(7)贴合与内芯(3)的镀金引线(6)的一端上,然后进行固化处理;2)将压力传感器芯片(4)粘接于所述内芯(3)上,并且将所述压力传感器芯片(4)通过金丝(8)连接于所述镀金引线(6)的一端上,然后进行固化处理以制得内芯结构件;3)将所述内芯结构件置于所述内芯(3)的一端的内腔中,并且将硅胶(10)灌注所述内腔中,然后进行固化处理;4)将上盖(2)焊接于所述内芯结构件的顶端以封闭所述热敏电阻(5)与压力传感器芯片(4);5)将导线(12)的一端焊接于所述镀金引线(6)的另一端上,并且将导线(12)的另一端穿过底筒(1)的通孔(11),然后将所述底筒(1)焊接于所述上盖(2)上以封闭所述内芯结构件的末端;6)将环氧胶(13)通过所述通孔(11)向所述内腔中灌胶,然后进行固化处理制得温度压力传感器模块。

【技术特征摘要】
1.一种温度压力传感器模块的制备方法,其特征在于,包括:
1)将热敏电阻(5)粘接于内芯(3)上,并且将所述热敏电阻(5)的
引脚(7)贴合与内芯(3)的镀金引线(6)的一端上,然后进行固化处理;
2)将压力传感器芯片(4)粘接于所述内芯(3)上,并且将所述压力
传感器芯片(4)通过金丝(8)连接于所述镀金引线(6)的一端上,然后
进行固化处理以制得内芯结构件;
3)将所述内芯结构件置于所述内芯(3)的一端的内腔中,并且将硅胶
(10)灌注所述内腔中,然后进行固化处理;
4)将上盖(2)焊接于所述内芯结构件的顶端以封闭所述热敏电阻(5)
与压力传感器芯片(4);
5)将导线(12)的一端焊接于所述镀金引线(6)的另一端上,并且将
导线(12)的另一端穿过底筒(1)的通孔(11),然后将所述底筒(1)焊
接于所述上盖(2)上以封闭所述内芯结构件的末端;
6)将环氧胶(13)通过所述通孔(11)向所述内腔中灌胶,然后进行
固化处理制得温度压力传感器模块。
2.根据权利要求1所述的制备方法,其中,在步骤1)中,所述固化处
理至少满足以下条件:固化温度为100-150℃,固化时间为1-2h;
优选地,步骤1)中所述粘结通过绝缘环氧胶进行;
更优选地,在步骤2)中,所述固化处理至少满足以下条件:固化温度
为100-150℃,固化时间为1-2h;
进一步优选地,步骤2)中所述粘结通过绝缘环氧胶进行。
3.根据权利要求1所述的制备方法,其中,在步骤3)中,所述固化处
理为自...

【专利技术属性】
技术研发人员:洪火锋周宗明白卫星赵影李明何宏玉
申请(专利权)人:安徽华东光电技术研究所
类型:发明
国别省市:安徽;34

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