【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体集成电路,特别是涉及一种D触发器(DFF)的数据保持时间(hold)的测量电路。
技术介绍
如图1所示,是D触发器的数据保持时间的示意图;D触发器101的D端即数据输入端连接数据输入信号DATA,时钟输入端连接时钟输入信号CLOCK,在时钟输入信号CLOCK的上升沿,D触发器101的Q输出端或Q非输出端将根据数据输入信号DATA进行数据切换,但是一个实现条件是数据输入信号DATA必须在时钟输入信号CLOCK的上升沿之后的一个数据保持时间内需要保持不变,输出才为正确值。Hold值即为图1中两根虚线之间延时。由图1可知,当数据输入信号DATA在时钟输入信号CLOCK的上升沿之后的超过hold时间的宽度才变化时,这时输出信号是正确的,即Q输出端输出为时钟输入信号CLOCK的上升沿时数据输入信号DATA的值;而当数据输入信号DATA在时钟输入信号CLOCK的上升沿之后的hold时间的宽度内就变化时,这时输出信号将不正确,即Q输出端输出不再为时钟输入信号CLOCK的上升沿时数据输入信号DATA的值,而是变化后的值。所以在数字设计中,标准单元库内D触发器的数据保持时间是其关键技术指标之一。在单元库设计完成后,需要对其进行测量,从而验证设计、仿真数据库和silicon数据的一致性。但是D触发器的数据保持时间一般在ps的数量级,直接测量比较困难。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提 ...
【技术保护点】
一种D触发器的数据保持时间的测量电路,其特征在于:包括m个D触发器,各所述D触发器的时钟输入端连接时钟输入信号;各所述D触发器的复位清零端都连接复位清零信号;数据输入信号由所述时钟输入信号通过一反相器反相后得到;每一个所述D触发器的Q输出端输出1位正相数据输出信号、Q非输出端输出1位反相数据输出信号,m个所述D触发器的Q输出端共输出m位正相数据输出信号、Q非输出端共输出m位反相数据输出信号;令k为0至m‑1中的任意一个值,第k位正相数据输出信号所对应的所述D触发器为第k位D触发器;第0位D触发器的数据输入端连接所述数据输入信号;k为1至m‑1中的任意一个值时,第k位D触发器的数据输入端通过k个数据缓冲器连接到连接所述数据输入信号;各所述数据缓冲器具有相同的延时;测量时,在各所述D触发器的Q输出端的正相数据输出信号都为“0”的状态下,将所述时钟输入信号由“0”状态切换为“1”状态,通过读取所述m位正相数据输出信号中为状态“0”的个数或者所述m位反相数据输出信号中为状态“1”的个数,将该个数乘以所述数据缓冲器的延时得到所述D触发器的数据保持时间。
【技术特征摘要】
1.一种D触发器的数据保持时间的测量电路,其特征在于:
包括m个D触发器,各所述D触发器的时钟输入端连接时钟输入信号;各所述D
触发器的复位清零端都连接复位清零信号;数据输入信号由所述时钟输入信号通过一
反相器反相后得到;
每一个所述D触发器的Q输出端输出1位正相数据输出信号、Q非输出端输出1
位反相数据输出信号,m个所述D触发器的Q输出端共输出m位正相数据输出信号、Q
非输出端共输出m位反相数据输出信号;
令k为0至m-1中的任意一个值,第k位正相数据输出信号所对应的所述D触发
器为第k位D触发器;第0位D触发器的数据输入端连接所述数据输入信号;k为1
至m-1中的任意一个值时,第k位D触发器的数据输入端通过k个数据缓冲器连接到
连接所述数据输入信号;各所述数据缓冲器具有相同的延时;
测量时,在各所述D触发器的Q输出端的正相数据输出信号都为“0”的状态下,
将所述时钟输入信号由“0”状态切换为“1”状态,通过读取所述m位正相数据输出
信号中为状态“0”的个数或者所述m位反相数据输出信号中为状态“1”的个数,将
该个数乘以所述数据缓冲器的延时得到所述D触发器的数据保持时间。
2.如权利要求1所述的D触发器的数据保持时间的测量电路,其特征在于,还
包括:数据缓冲器的延时测量电路;
所述数据缓冲器的延时测量电路包括n个数据缓冲器,一个两输入的异或门;
所述异或门的一个输入端直接连接所述时钟输入信号,所述异或门的另一个输入
端通过n个所述数据缓冲器连接到所述时钟输入信号;
测量时,在所述时钟输入信号由“0”状态切换为“1”状态之后,读取所述异或
门的输出信号的高电平持续时间,用该高电平持续时间除以n得到所述数据缓冲器的
延时。
3.如权利要求1所述的D触发器的数据保持时间的测量电路,其特征在于,还
包括:数据缓冲器的延时测量电路;
所述数据缓冲器的延时测量电路包括n个数据缓冲器,一个两输入的异或门;
所述异或门的一个输入端直接连接所述数据输入信号,所述异或门的另一个输入
端通过n个所述数据缓冲器连接到所述数据输入信号;
测量时,在所述数据输入信号由“1”状态切...
【专利技术属性】
技术研发人员:赵锋,
申请(专利权)人:上海华虹宏力半导体制造有限公司,
类型:发明
国别省市:上海;31
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