EUV掩模和通过使用EUV掩模的制造方法技术

本发明专利技术实施例提供了一种光刻掩模。光刻掩模包括：含有低热膨胀材料(LTEM)的衬底。反射结构设置在衬底上方。覆盖层设置在反射结构上方。吸收层设置在覆盖层上方。吸收层含有折射率在从约0.95至约1.01的范围内和消光系数大于约0.03的材料。本发明专利技术实施例涉及EUV掩模和通过使用EUV掩模的制造方法。

【技术实现步骤摘要】
优先权数据本申请要求于2014年11月26日提交的标题为“EUVMaskandManufacturingMethodbyUsingtheSame”的临时专利申请第62/084,608号的优先权，其全部内容通过引用结合于此作为参考。
本专利技术实施例涉及EUV掩模和通过使用EUV掩模的制造方法。
技术介绍
半导体集成电路(IC)产业经历了指数式发展。IC材料和设计中的技术进步已经产生了数代的IC，其中每代IC都具有比上一代IC更小和更复杂的电路。在IC发展过程中，部件密度(即，每一芯块面积上互连器件的数量)通常已经增加而几何尺寸(即，使用制造工艺可以制造的最小的组件(或线))却已减小。通常这种按比例缩小工艺通过提高生产效率和降低相关成本而带来益处。这种按比例缩小已经增加了处理和制造IC的复杂度。为了实现这些进步，需要IC处理和制造中的类似发展。例如，对实施更高分辨率光刻工艺的需要增长了。一种光刻技术是极紫外光刻(EUVL)。其他技术包括X-射线光刻、离子束投影光刻、电子束投影光刻和多个电子束无掩模光刻。EUVL采用使用极紫外(EUV)区中的光的扫描仪，极紫外(EUV)区中的波长为约1-100nm。一些EUV扫描仪提供4X缩小投影印刷，类似于一些光学扫描仪，除了EUV扫描仪使用反射而不是折射光学器件，即，反射镜代替透镜。EUV扫描仪在形成于反射掩模上的吸收层(“EUV”掩模吸收件)上提供期望的图案。目前，在用于制造集成电路的EUVL中采用二元强度掩模(BIM)。除了EUVL采用EUV区中的光(即，在13.5nm处)之外，EUVL非常类似于光学光刻，类似之处在于其需要掩模以印刷晶圆。在13.5nm左右的波长处，所有材料都高度吸收。因此，使用反射光学器件而不是折射光学器件。多层(ML)结构作为EUV空白掩模。然而，常规的EVU掩模及其制造仍具有缺陷。例如，EVU掩模具有吸收层。传统的EUV掩模吸收层可以导致较大的投影移位(aerialimageshifts)，这是不期望的。作为另一个实例，EUV掩模通常需要薄膜，其可以用作保护罩以保护EUV掩模免受损坏和/或污染粒子的影响。然而，根据特定的传统制造工艺的薄膜的制造可能导致薄膜变得扭曲、损坏或以其他方式受到破坏，从而使得薄膜不可用。因此，虽然EUV光刻系统和工艺通常已经满足它们的预期目的，但是它们没有在所有方面都尽如人意。需要一种EUV光刻方法系统以解决上述问题。
技术实现思路
根据本专利技术的一些实施例，提供了一种光刻掩模，包括：衬底，含有低热膨胀材料(LTEM)；反射结构，设置在所述衬底上方；覆盖层，设置在所述反射结构上方；以及吸收层，设置在所述覆盖层上方，其中，所述吸收层含有具有在从约0.95至约1.01的范围内的折射率和大于约0.03的消光系数的材料。根据本专利技术的另一些实施例，提供了一种晶圆制造工艺，包括：在衬底上方形成材料层；在所述材料层上方形成光刻胶层；以及在光刻工艺中使用极紫外(UV)掩模图案化所述光刻胶层，其中，所述UV掩模包括：衬底，含有低热膨胀材料(LTEM)；反射结构，设置在所述衬底上方；覆盖层，设置在所述反射结构上方；和吸收层，设置在所述覆盖层上方，其中，所述吸收层含有具有在从约0.95至约1.01的范围内的折射率和大于约0.03的消光系数的材料。根据本专利技术的又一些实施例，提供了一种制造光刻掩模的方法，包括：在低热膨胀材料(LTEM)衬底上方形成反射结构；在所述反射结构上方形成覆盖层；以及在所述覆盖层上方形成吸收层，其中，所述吸收层含有具有在从约0.95至约1.01的范围内的折射率和大于约0.03的消光系数的材料。附图说明当结合附图进行阅读时，根据下面详细的描述可以更好地理解本专利技术的方面。应该强调的是，根据工业中的标准实践，各个部件没有被按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各种部件的尺寸可以被任意地增大或减小。图1是根据一些实施例构建的光刻系统的示意图。图2是根据一些实施例构建的EUV掩模的剖视图。图3至图4是示出不同EUV掩模的投影移位的图。图5是根据一些实施例的制造EUV掩模的方法的流程图。图6是根据一些实施例的晶圆的简化的顶视图。图7至图14是根据一些实施例的示出EUV掩模薄膜的制造的各个器件的简化的截面侧视图。图15是根据一些实施例的形成EUV掩模薄膜的方法的流程图。具体实施方式以下公开内容提供了许多用于实现本专利技术的不同特征的不同实施例或实例。以下将描述组件和布置的具体实例以简化本专利技术。当然，这些仅仅是实例并且不旨在限制。例如，在以下描述中，在第二部件上方或上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件直接接触的实施例，也可以包括形成在第一部件和第二部件之间的附加部件使得第一部件和第二部件不直接接触的实施例。此外，本专利技术可以在各个实例中重复参考标号和字符。这种重复是为了简化和清楚的目的，并且其本身并不表示所论述多个实施例和/或配置之间的关系。而且，为便于描述，在此可以使用诸如“在...之下”、“在...下方”、“下部”、“在...之上”、“上部”等的空间相对术语，以描述如图所示的一个元件或部件与另一(或另一些)元件或部件的关系。除了图中所示的方位外，空间相对位置术语旨在包括器件在使用或操作中的不同方位。器件可以以其他方式定向(旋转90度或在其他方位上)，而本文使用的空间相对描述符可以同样地作相应的解释。图1是根据一些实施例构建的光刻系统10的示意图。光刻系统10也可通常称为扫描仪，可操作扫描仪以利用相应的辐射源和曝光模式实施光刻曝光工艺。在本实施例中，光刻系统10是设计为通过EUV光曝光光刻胶层的极紫外(EUV)光刻系统。光刻胶层是对EUV光敏感的材料。EUV光刻系统10采用辐射源12产生以EUV光，诸如具有介于约1nm和约100nm之间的范围内的波长的EUV光。在一个特定的实例中，辐射源12产生具有集中在约13.5nm的波长的EUV光。因此，辐射源12也被称为紫外辐射源12。光刻系统10还采用了照明器14。在各个实施例中，该照明器14包括各种折射光学组件，诸如单透镜或具有多个透镜的透镜系统(波带板)或者可选地反射光学器件(以用于EUV光刻系统)，诸如单反射镜或具有多个反射镜的反射镜系统，以将光从辐射源12导向至掩模台16，特别是导向至固定在掩模台16上的掩模18。在本实施例本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光刻掩模，包括：衬底，含有低热膨胀材料(LTEM)；反射结构，设置在所述衬底上方；覆盖层，设置在所述反射结构上方；以及吸收层，设置在所述覆盖层上方，其中，所述吸收层含有具有在从约0.95至约1.01的范围内的折射率和大于约0.03的消光系数的材料。

【技术特征摘要】
2014.11.26 US 62/084,608;2015.06.11 US 14/736,6691.一种光刻掩模，包括：
衬底，含有低热膨胀材料(LTEM)；
反射结构，设置在所述衬底上方；
覆盖层，设置在所述反射结构上方；以及
吸收层，设置在所述覆盖层上方，其中，所述吸收层含有具有在从约
0.95至约1.01的范围内的折射率和大于约0.03的消光系数的材料。
2.根据权利要求1所述的光刻掩模，其中，所述吸收层的材料的折射
率在从0.975至1的范围内。
3.根据权利要求2所述的光刻掩模，其中，所述吸收层的材料的折射
率在从0.985至0.995的范围内。
4.根据权利要求1所述的光刻掩模，其中，所述吸收层的消光系数在
从0.4至0.54的范围内。
5.根据权利要求1所述的光刻掩模，其中，所述吸收层的材料包括镭、
Al、Te、Cu或Ge之一。
6.根据权利要求1所述的光刻掩模，还包括：缓冲层，设置在所述覆
盖层和所述吸收层之间，其中，所述缓冲层和所述吸收层具有不同的蚀刻
...

【专利技术属性】
技术研发人员：石志聪，游信胜，陈政宏，严涛南，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71