本发明专利技术公开了一种制备低硅Beta沸石的方法,所述合成方法先将硝酸铝置于高温炉中,焙烧制备氧化铝;再将无机碱、铝源、硅源、模板剂和水混合,搅拌成硅铝凝胶;然后再加入与前面得到的氧化铝,干燥直至水分完全蒸发;最后将干胶装入反应器上部,反应器底部加入定量的水,晶化合成出Beta沸石。本发明专利技术方法合成的Beta沸石为低硅铝比沸石,结晶度高,不仅有效避免了杂晶的产生而且操作简单易行。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种Beta沸石的合成方法,特别是涉及一种低硅铝比Beta沸石的合成方法,属于分子筛催化材料合成领域。
技术介绍
Beta沸石是由Mobil公司于1967年首次合成,由于长期未能解决其结构测定问题,所以很长一段时间未能引起人们足够的重视。直至1988年揭示了其特有的三维结构特征,Beta沸石又引起人们的兴趣。Beta沸石具有良好的热和水热稳定性,适度的酸性和热稳定性及疏水性,而且是唯一具有交叉十二元环通道体系的大孔高硅分子筛,其催化过程中表现出烃类反应不易结焦和使用寿命长的特点,在烃类加氢裂解、加氢异构化、烷烃芳构化、烷基化以及烷基转移反应等方面表现出优异的催化性能,是十分重要的催化材料。目前,常规方法合成的Beta沸石的氧化物硅铝比一般在20~200,且易于合成;但要合成硅铝比低于20的富铝Beta沸石,却比较困难。富铝Beta沸石由于其硅铝比相对较低,具有更高的酸密度,在某些催化反应中可以表现出更高的催化反应效率,是一种重要的催化材料。CN101096275A,一种富铝Beta沸石的合成方法,公开了一种Beta沸石的合成方法。其合成步骤是:1.用含有铝源的水溶液或酸溶液浸渍硅源,搅拌至凝固,用或者不用氨水处理后老化脱水,经过研磨后,在600~1400℃下焙烧,得到硅铝源;2.再将四乙基铵阳离子化合物和氢氟酸混合,在常压且不高于130℃或者真空条件下,蒸发掉部分水分;3.将硅铝源加入浓缩的四乙基氢氧化铵和氢氟酸混合液中,再将得到的反应混合物进行水热晶化并回收晶化产物。该专利虽然可以合成出低硅铝比的Beta沸石,但是其合成过程比较繁琐。CN101096274A,一种富铝Beta沸石的制备方法,公开了一种Beta沸石的合成方法。其合成步骤是:1.将硅源和铝源在水解剂存在下制备硅铝共凝胶,经过老化和焙烧后粉碎作为硅铝源;2.然后将硅铝源加入由四乙基铵阳离子、铵根离子、氟离子和水组成的溶液中,晶化并回收晶化产物得到沸石。该专利虽然可以合成出低硅铝比的Beta沸石,但是要额外使用氟离子,不仅增加成本,且污染环境。CN1086791A,导向剂法合成Beta沸石,公开了一种Beta沸石的合成方法,合成的Beta沸石也属于低硅铝比沸石。该专利的主要特征是利用导向剂来合成Beta沸石。其导向剂是用铝盐溶于四乙基氢氧化铵模板剂和氢氧化钠水溶液中,加入活性二氧化硅来制备导向剂,其导向剂配方范围为:SiO2/Al2O3=20~120,TEAOH/SiO2=0.2~0.5,Na2O/SiO2=0.40~0.10,H2O/SiO2=7.5~25,导向剂的配制温度为15~70℃,陈化温度为50~150℃,合成沸石时,所加导向剂与合成原料混合物的体积比为0.5%~10%。虽然现有技术公开几种低硅铝比Beta沸石的合成方法,但是相对于高硅Beta沸石合成技术还不太成熟,其合成步骤也相对比较繁琐。而低硅铝比Beta沸石因为具有独特的催化性质,是一种重要的催化材料,因此开发更先进的富铝Beta沸石的合成方法就具有重要的现实意义。
技术实现思路
针对现有技术的不足,本专利技术提供一种制备低硅Beta沸石的方法,该专利技术方法制备得到的沸石具有低硅铝比的特征,整个制备过程简单易行,适合工业化生产。本专利技术提供的Beta沸石晶体结构为典型的BEA结构,不含其它杂质晶体;氧化物硅铝比低于20;晶体粒度低于200nm,属于小晶粒沸石。本专利技术所述的制备低硅Beta沸石的方法,包括以下步骤:(1)将硝酸铝在450~700℃下焙烧1~5h,得到氧化铝;(2)将无机碱、硅源、铝源、水和模板剂(TEA)按照摩尔比1~8Na2O:30~70SiO2:A12O3:500~1500H2O:15~40TEA的比例混合,搅拌后得到硅铝凝胶,然后在0~15℃条件下老化1~2d;(3)将步骤(1)得到的氧化铝与步骤(2)得到的硅铝凝胶混合,然后加入Beta沸石晶种,然后在80~180℃下干燥,直至水分完全蒸发;(4)然后将步骤(3)得到的干胶装入反应器上部,反应器底部加入定量的水,在100~170℃温度下,晶化20~120h,经分离、洗涤和干燥得到beta沸石。本专利技术制备低硅Beta沸石的方法中,步骤(1)中所述的焙烧温度为500~600℃;焙烧时间为1.5~4h。本专利技术制备低硅Beta沸石的方法中,步骤(2)中所述的无机碱是NaOH、KOH、LiOH中的一种或多种;铝源是铝酸钠、硫酸铝、氯化铝、硝酸铝中的一种或多种;硅源可以是白碳黑、硅胶、硅溶胶或水玻璃中的一种或多种;模板剂为四乙基氢氧化铵和/或四乙基溴化铵。本专利技术制备低硅Beta沸石的方法中,步骤(2)中所述的无机碱、硅源、铝源、水和模板剂的摩尔比为2~7Na2O:35~60SiO2:A12O3:H2O:20~30TEA。本专利技术制备低硅Beta沸石的方法中,步骤(3)中所述的氧化铝与步骤(2)中所述硅源的摩尔比为15~1SiO2:A12O3,优选10~2SiO2:A12O3。本专利技术制备低硅Beta沸石的方法中,步骤(3)中所述Beta沸石晶种的加入量与步骤(2)中所述的硅源以SiO2计的质量比为0.005~0.07,优选0.01~0.05。本专利技术制备低硅Beta沸石的方法中,步骤(3)中所述的干燥处理温度为100~140℃本专利技术制备低硅Beta沸石的方法中,步骤(4)中所的水与步骤(2)中所述硅源的摩尔比为0.5~5H2O:SiO2,优选1~3H2O:SiO2。本专利技术制备低硅Beta沸石的方法中,步骤(4)中所述的晶化条件为110~150℃下,晶化20~72h。本专利技术制备低硅Beta沸石的方法中,步骤(4)中所述的分离和洗涤均为本领域技术人员熟知的常规操作。如分离可以采取过滤的方法,洗涤一般是指用去离子水洗涤。通常包括多次分离和洗涤操作,一般为1~6次。干燥条件一般是在100~140℃条件下干燥5~15h。本专利技术提供的Beta沸石可以用作气体、液体混合物分离的吸附剂,也可以作为催化剂的载体或酸性催化剂组分,可以广泛应用于石油化工领域。与现有技术相比较,本专利技术提供的制备低硅Beta沸石的方法具有以下优点:本专利技术制备低硅Beta沸石的方法中,将硝酸铝焙烧使之分解为一种惰性的氧化铝,这种特制的惰性氧化铝会在Beta沸石晶化反应过程中显示出强烈的惰性,即相对于步骤(2)中所述的普通铝源会延后参与沸石的晶化反应,这样可以使Beta沸石晶化反应分为两个阶段,第一阶段:步骤(2)中所述的普通铝源与其它原料先反应,生成Beta沸石晶核;第二阶段:待步骤(2)中所述的普通铝源消耗反应完全后,加入特制的氧化铝再参与反应,而且可以实现缓慢的释放出铝物种,这样可以保证整个反应体系的硅铝比始终维持在一个较高的水平,有利于Beta沸石的生长,而且可以抑制杂质晶体的产生,进而可以合成出高纯度的低硅铝比Beta沸石。本专利技术提供的合成方法操作简单易行,适合工业化生产。可以在原料硅铝比较低范围内,合成得到低硅本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种制备低硅Beta沸石的方法,包括以下步骤:(1)将硝酸铝在450~700℃下焙烧1~5h,得到氧化铝;(2)将无机碱、硅源、铝源、水和模板剂(TEA)按照摩尔比1~8Na2O:30~70SiO2: A12O3:500~1500H2O:15~40TEA的比例混合,搅拌后得到硅铝凝胶,然后在0~15℃条件下老化1~2d;(3)将步骤(1)得到的氧化铝与步骤(2)得到的硅铝凝胶混合,然后加入Beta沸石晶种,然后在80~180℃下干燥,直至水分完全蒸发;(4)将步骤(3)得到的干胶装入反应器上部,反应器底部加入定量的水,在100~170℃温度下,晶化20~120h,经分离、洗涤和干燥得到beta沸石。
【技术特征摘要】
1.一种制备低硅Beta沸石的方法,包括以下步骤:
(1)将硝酸铝在450~700℃下焙烧1~5h,得到氧化铝;
(2)将无机碱、硅源、铝源、水和模板剂(TEA)按照摩尔比1~8Na2O:30~70SiO2:A12O3:500~1500H2O:15~40TEA的比例混合,搅拌后得到硅铝凝胶,然后在0~15℃条件下老化1~2d;
(3)将步骤(1)得到的氧化铝与步骤(2)得到的硅铝凝胶混合,然后加入Beta沸石晶种,然后在80~180℃下干燥,直至水分完全蒸发;
(4)将步骤(3)得到的干胶装入反应器上部,反应器底部加入定量的水,在100~170℃温度下,晶化20~120h,经分离、洗涤和干燥得到beta沸石。
2.按照权利要求1所述方法,其特征在于:步骤(1)中所述的焙烧温度为500~600℃;焙烧时间为1.5~4h。
3.按照权利要求1所述方法,其特征在于:步骤(2)中所述的无机碱是NaOH、KOH、LiOH中的一种或多种;铝源是铝酸钠、硫酸铝、氯化铝、硝酸铝中的一种或多种;硅源是白碳黑、硅胶、硅溶胶或水玻璃中的一种或多种;模板剂为四乙基氢氧化铵和/或四乙基溴化铵。
4.按照权利要求1所述方法,其特征在于:步骤(2)中所述的无机碱、硅源、铝源、水和模板剂的摩尔比为2~7Na2O...
【专利技术属性】
技术研发人员:范峰,凌凤香,王少军,张会成,陈晓刚,杨春雁,
申请(专利权)人:中国石油化工股份有限公司,中国石油化工股份有限公司大连石油化工研究院,
类型:发明
国别省市:北京;11
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