处理腔室和包含此的基板制造装置及基板制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术的目的在于提供一种处理腔室和包含此的基板制造装置及基板制造方法，能够防止内部空间的气体流出到外部。为了实现所述目的，本发明专利技术的处理腔室包括：内部腔室(100)，投入到内部的基板借助于工艺气体而得到处理；内部排气口(131)，用于向外部排出所述内部腔室(100)的内部空间的气体；外部盖体(200)，围绕所述内部腔室(100)的外部；外部排气口(231)，用于向外部排出所述内部腔室(100)与外部盖体(200)之间的空间的气体。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及处理腔室和包含此的基板制造装置及基板制造方法，尤其涉及能够防止腔室内部的气体在进行基板投入及基板搬出的过程中流出到外部的双排气结构的处理腔室和包含此的基板制造装置及基板制造方法。
技术介绍
通常，半导体装置通过在半导体基板上反复进行光刻、蚀刻、蒸镀、扩散、离子注入、金属沉积等工序而形成。在经过所述工序而制造半导体装置为止，半导体基板频繁地搬入搬出于以高真空状态维持的腔室。包括腔室的半导体制造设备可根据装入多少张半导体基板而划分为分批式(batchtype)和单片式(singlewafertype)。对于单片式而言，在一个腔室内投入一张半导体基板而执行工序，因而存在生产率降低的缺点，然而，由于半导体基板变得大直径化且适合于关键工序，因此最近大多数半导体制造设备从分批式转型为单片式。图1是表示现有的单片式基板制造装置的平面概略图，图2是图1的基板制造装置的正剖面概略图。基板制造装置由用于对半导体基板(未图示)进行必要的工序的处理腔室10、20和内部装载有半导体基板的负载传送(LoadLock)腔室30以及配备于负载传送腔室30与所述处理腔室10、20之间的真空腔室40构成。所述负载传送腔室30其内部维持处于真空氛围的真空腔室的真空状态，并起到接收/传递基板的作用。在所述真空腔室40的内部具备真空机械手45，从而从所述负载传送腔室30接收基板之后将其投入到处理腔室10、20，或者将在处理腔室10、20中处理完毕的基板搬出至负载传送腔室30。所述处理腔室10、20和负载传送腔室30分别具备用于将残留于其内部空间的工艺气体排出到外部的排气口11、21、41，且所述处理腔室10、20具备为了搬入搬出基板而进行开闭的门扇50。如此，真空腔室40和负载传送腔室30中需要配备用于形成真空的部件，因而设备的结构复杂，且存在价格高的问题。作为如上所述的现有技术，在韩国公开专利第10-2004-0024156号中公开有“用于处理半导体晶片的单片式真空腔室系统”。
技术实现思路
本专利技术是为了解决如上所述的诸多问题而提出的，其目的在于提供一种可防止内部空间的气体流出到外部的处理腔室。本专利技术的另一目的在于提供一种在基板制造装置中无需设置负载传送腔室和真空腔室，从而可节省制造成本的基板制造装置。为了实现如上所述的目的，本专利技术的处理腔室包括：内部腔室100，投入到内部的基板借助于工艺气体而得到处理；内部排气口131，用于向外部排出所述内部腔室100的内部空间的气体；外部盖体200，围绕所述内部腔室100的外部；外部排气口231，用于向外部排出所述内部腔室100与外部盖体200之间的空间的气体。所述内部腔室100由上部开放的腔室主体110和用于开闭所述腔室主体110的开放的上部的封盖120构成，所述处理腔室可具备封盖开闭驱动部400(410、420)，用于提供驱动力，该驱动力使所述封盖120沿上下方向移动以开闭所述腔室主体110的上部。所述外部盖体200具备：开口部211，用于能够借助机械手4而进行基板的投入和搬出；外部盖体机门240，用于开闭所述开口部211，并且，在所述封盖120向上方开放的情况下，所述开口部211和外部盖体机门240可位于与所述封盖120和腔室主体110上端之间的空间对应的高度处。所述外部盖体200可形成有与外部连通的连通孔221。所述外部排气口231可由贯通于所述外部盖体200的底板部230的孔构成。所述封盖120的底面可结合有用于均匀地喷洒用于处理所述基板的工艺气体的喷洒头140。所述内部腔室100和外部盖体200的底板部可一体地形成。本专利技术的基板制造装置包括：装载盒3，用于装载多个基板；如上所述的至少一个处理腔室1、2；机械手4，用于从所述装载盒3接收基板并将所述基板投入到所述处理腔室1、2的内部，且搬出在所述处理腔室1、2中处理完毕的基板。所述外部排气口231中，真空吸力可在处理所述基板的过程中一直发挥作用。所述装载盒3的内部可处于大气压氛围。所述机械手4可在大气压下工作。本专利技术的基板制造方法包括如下步骤：a)基板借助于机械手4而投入到以上所记载的处理腔室1的内部；b)向所述内部腔室100内部注入工艺气体，以进行基板的处理；c)在完成所述基板的处理之后从所述内部腔室100搬出所述基板时，通过所述外部排气口231而排出残留于所述内部腔室100与外部盖体200之间的空间的气体。所述内部腔室100由上部开放的腔室主体110和用于开闭所述腔室主体110的开放的上部的封盖120构成，且具备：封盖开闭驱动部400(410、420)，用于提供驱动力，该驱动力使所述封盖120沿上下方向移动以开闭所述腔室主体110的上部；在所述a)步骤中，在所述封盖120借助于所述封盖开闭驱动部400(410、420)而向上方开放的状态下，借助于机械手4而进行所述基板的投入，在所述b)步骤中，所述机械手4可向外部移动之后所述封盖120向下方移动，从而在覆盖所述腔室主体110的上部的状态下，进行基板的处理。在所述a)步骤中，由所述外部盖体机门240开放开口部211，所述基板可借助于所述机械手4的手臂4a而通过所述开口部211投入到所述内部腔室100。根据本专利技术，可防止在处理基板之后残留于腔室内部的气体在搬送基板时向外部流出。此外，即便基板制造装置中不具备真空腔室和负载传送腔室，也能够向外部排出气体，从而可降低基板制造装置的制造成本。此外，具备用于开闭内部腔室的上部的封盖，在开放所述封盖的状态下实现基板的投入和搬出，因此可以防止气体的涡流的生成，同时可使围绕内部腔室的外部盖体的大小实现小型化。附图说明图1是表示现有的单片式基板制造装置的平面概略图；图2是图1的基板制造装置的正剖面概略图；图3是示出根据本专利技术的基板制造装置的平面概略图；图4是图3的基板制造装置的正面概略图；图5是示出根据本专利技术的处理腔室的剖面概略图；图6是示出根据本专利技术的内部腔室的剖面概略图；图7是示出在根据本专利技术的基板处理装置中盖体开放的状态的剖面概略图。符号说明1、2：处理腔室3：装载盒4：机械手100：内部腔室110：腔室主体120：封盖130：底板部131：内部排气口140：喷洒头200：外部盖体210：外部盖体主体211：开口部220：外部盖体封盖221：连通孔230：外部盖体底板部231：外部排气口240：外部盖体机门30本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种双排气结构的处理腔室，包括：内部腔室(100)，投入到内部的基板借助于工艺气体而得到处理；内部排气口(131)，用于向外部排出所述内部腔室(100)的内部空间的气体；外部盖体(200)，围绕所述内部腔室(100)的外部；外部排气口(231)，用于向外部排出所述内部腔室(100)与外部盖体(200)之间的空间的气体。

【技术特征摘要】
2014.11.25 KR 10-2014-01656221.一种双排气结构的处理腔室，包括：
内部腔室(100)，投入到内部的基板借助于工艺气体而得到处理；
内部排气口(131)，用于向外部排出所述内部腔室(100)的内部空间的气体；
外部盖体(200)，围绕所述内部腔室(100)的外部；
外部排气口(231)，用于向外部排出所述内部腔室(100)与外部盖体(200)之间的空间
的气体。
2.如权利要求1所述的双排气结构的处理腔室，其特征在于，
所述内部腔室(100)由上部开放的腔室主体(110)和用于开闭所述腔室主体(110)的开
放的上部的封盖(120)构成，
所述处理腔室具备：封盖开闭驱动部(400：410、420)，用于提供驱动力，该驱动力使所
述封盖(120)沿上下方向移动以开闭所述腔室主体(110)的上部。
3.如权利要求2所述的双排气结构的处理腔室，其特征在于，
所述外部盖体(200)具备：开口部(211)，用于能够借助机械手(4)而进行基板的投入和
搬出；外部盖体机门(240)，用于开闭所述开口部(211)，
在所述封盖(120)向上方开放的情况下，所述开口部(211)和外部盖体机门(240)位于
与所述封盖(120)和腔室主体(110)上端之间的空间对应的高度处。
4.如权利要求1所述的双排气结构的处理腔室，其特征在于，
所述外部盖体(200)形成有与外部连通的连通孔(221)。
5.如权利要求1所述的双排气结构的处理腔室，其特征在于，
所述外部排气口(231)由贯通于所述外部盖体(200)的底板部(230)的孔构成。
6.如权利要求2所述的双排气结构的处理腔室，其特征在于，
所述封盖(120)的底面结合有均匀地喷洒用于处理所述基板的工艺气体的喷洒头
(140)。
7.如权利要求1所述的双排气结构的处理腔室，其特征在于，
所述内部腔室(100)和外部盖体(200)的底板部一体地形成。
8.一种基板制造装置，包括：
装载盒(3)，用于装载多个基板；
如权利要求1至7中的任意一项所述的至少一个处理腔室(...

【专利技术属性】
技术研发人员：安贤焕，徐现模，高东辰，
申请(专利权)人：系统科技公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR