铝靶材的制造方法技术

一种铝靶材的制造方法，包括：提供铝锭；对所述铝锭进行第一热处理；在所述第一热处理后，对所述铝锭进行锻打以形成第一铝靶材坯料；对所述第一铝靶材坯料进行第二热处理；在所述第二热处理后，对所述第一铝靶材坯料进行轧制以形成第二铝靶材坯料；将至少两个所述第二铝靶材坯料接触在一起；对接触在一起的所述第二铝靶材坯料同时进行第三热处理，以形成铝靶材。所述制造方法提高了所形成的铝靶材中，不同铝靶材之间晶粒大小的均一性，并且提高了生产效率，降低了生产成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及液晶面板的制造领域，尤其涉及一种铝靶材的制造方法。
技术介绍
薄膜场效应晶体管液晶显示器(TFT-LCD)面板厂在6代线以上所用的配线通常为铝配线。铝配线通常利用物理气相沉积技术形成，即通常通过铝靶材溅射的方式形成膜层，然后采用刻蚀工艺刻蚀膜层形成铝配线。铝靶材通常由纯铝制作。现有铝靶材的制作过程通常包括提供铝锭，并对铝锭进行第一热处理，然后对第一热处理后的铝锭进行锻打，以形成第一铝靶材坯料，再对第一铝靶材坯料进行第二热处理，在第二热处理后，对第一铝靶材坯料进行轧制，形成第二铝靶材坯料，最后对第二铝靶材坯料进行第三次热处理，以使第二铝靶材坯料中的晶粒再结晶，从而形成铝靶材。然而，现有铝靶材的制造方法通常无法达到高世代TFT-LCD面板的使用需求。
技术实现思路
本专利技术解决的问题是提供一种铝靶材的制造方法，以使得制造形成的铝靶材满足达到高世代TFT-LCD面板的使用需求。为解决上述问题，本专利技术提供一种铝靶材的制造方法，包括：提供铝锭；对所述铝锭进行第一热处理；在所述第一热处理后，对所述铝锭进行锻打以形成第一铝靶材坯料；对所述第一铝靶材坯料进行第二热处理；在所述第二热处理后，对所述第一铝靶材坯料进行轧制以形成第二铝靶材坯料；将至少两个所述第二铝靶材坯料接触在一起；对接触在一起的所述第二铝靶材坯料同时进行第三热处理，以形成铝靶材。可选的，所述第二铝靶材坯料的形状呈长方体，所述长方体中面积最大的两个表面为主表面，其它表面为侧面；将至少两个所述第二铝靶材坯料接触在一起的步骤包括：将相邻两个所述第二铝靶材坯料中，第一个所述第二铝靶材坯料的其中一个所述主表面与第二个所述第二铝靶材坯料的其中一个所述主表面至少部分叠合在一起。可选的，将全部所述第二铝靶材坯料按阶梯错开式叠合，以使相互叠合的所述主表面至少有部分暴露在外，并在每个所述第二铝靶材坯料的所述主表面连接一个热电偶。可选的，将全部所述第二铝靶材坯料按完全重叠式叠合，以使相互叠合的所述主表面完全重叠在一起，并在每个所述第二铝靶材坯料的所述侧面连接一个热电偶。可选的，接触在一起的所述第二铝靶材坯料具有两个完全暴露在外的所述主表面，采用铝板与至少其中一个完全暴露在外的所述主表面叠合。可选的，还包括：对接触在一起的所述第二铝靶材坯料进行捆绑，在捆绑后对所述第二铝靶材坯料进行所述第三热处理。可选的，将三个、四个或者五个所述第二铝靶材坯料接触在一起。可选的，所述第三热处理的热处理温度为245℃～255℃，热处理时间为14.5min～15.5min。可选的，所述第二热处理的热处理温度为395℃～405℃，热处理时间为29.5min～30.5min。可选的，所述第一热处理的热处理温度为295℃～305℃，热处理时间为29.5min～30.5min。。与现有技术相比，本专利技术的技术方案具有以下优点：本专利技术的技术方案中，首先提供铝锭，并对所述铝锭进行第一热处理，在所述第一热处理后，对所述铝锭进行锻打以形成第一铝靶材坯料，然后对所述第一铝靶材坯料进行第二热处理，在所述第二热处理后，对所述第一铝靶材坯料进行轧制以形成第二铝靶材坯料，之后将至少两个所述第二铝靶材坯料接触在一起，对接触在一起的所述第二铝靶材坯料同时进行第三热处理，以形成铝靶材。由于先将至少两个所述第二铝靶材坯料接触在一起，再对接触在一起的所述第二铝靶材坯料同时进行第三热处理，因此，在第三热处理时，接触在一起的第二铝靶材坯料之间会发生热传递，而铝靶材坯料本身是金属材料，金属的导热性能良好，因此在第三热处理过程中，接触在一起的第二铝靶材坯料各部分温度能够达到均匀，从而使热处理后得到的铝靶材中，不仅将晶粒大小控制在100μm以下，而且不同铝靶材之间的晶粒大小均一。此外，由于一次对至少两个第二铝靶材坯料进行第三热处理，还同时提高了生产效率，降低了生产成本。进一步，所述第二铝靶材坯料的形状呈长方体，所述长方体中面积最大的两个表面为主表面；将至少两个所述第二铝靶材坯料接触在一起的步骤包括：将相邻两个所述第二铝靶材坯料中，第一个所述第二铝靶材坯料的其中一个所述主表面与第二个所述第二铝靶材坯料的其中一个所述主表面至少部分叠合在一起。此时，接触在一起的所述第二铝靶材坯料具有两个完全暴露在外的所述主表面，采用铝板与至少其中一个完全暴露在外的所述主表面叠合。由于采用铝板与至少其中一个完全暴露在外的所述主表面叠合，因此能够使各个第二铝靶材坯料的受热条件更加一致，从而进一步提高了最终形成的铝靶材中晶粒大小的均一性。附图说明图1至图4是本专利技术实施例所提供的铝靶材的制造方法各步骤对应结构示意图。具体实施方式现有铝靶材的制造方法通常需要经过三次热处理。然而，现有的热处理方式针对6代线以上的铝靶材时，常常无法达到相应的处理要求。这是因为6代线以上的TFT-LCD面板使用的铝靶材本身尺寸较大，往往很难控制铝靶材在热处理炉内温度的均一性。例如而8.5代线的铝靶材面积为2650mm×210mm，现有与之匹配的热处理炉中，炉温传递至铝靶材各个方位的温度往往有差异。此外，对于6代线以上的TFT-LCD面板，当在玻璃基板上形成铝配线时，需要同时使用多个铝靶材一起溅射。例如6代线的TFT-LCD面板需要同时使用10个铝靶材，而8.5代线的TFT-LCD面板更是要求12个为一组的大型铝靶材同时使用，以在玻璃基板的整面上形成相应的铝配线。由于需要同时使用一组多个大型铝靶材，因此，要求严格控制最终热处理后晶粒的均一性。具体的，为满足6代线以上的TFT-LCD面板的使用要求，要求同一组中各达到以下两个标准：1、铝靶材晶粒大小控制在100μm以下；2、保持不同铝靶材之间的晶粒大小均一。可见，6代线以上TFT-LCD面板所用的铝靶材中，通常是多个(例如10个或12个)为一套配合使用，要使每一片的铝靶材热处理温度分布均匀更加困难。现有制造方法中，逐个地对铝靶材坯料进行热处理，因此不同铝靶材之间的晶粒大小均一性很难控制，易出现不同铝靶材之间的晶粒大小不够均一的情况，无法满足6代线以上TFT-LCD面板的使用要求。为此，本专利技术提供一种新的铝靶材的制造方法，所述制造方法首先提供铝锭，并对所述铝锭进行第一热处理，在所述第一热处理后，对所述铝锭进行锻打以形成第一铝靶材坯料，然后对所述第一铝靶材坯料进行第二热本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种铝靶材的制造方法，其特征在于，包括：提供铝锭；对所述铝锭进行第一热处理；在所述第一热处理后，对所述铝锭进行锻打以形成第一铝靶材坯料；对所述第一铝靶材坯料进行第二热处理；在所述第二热处理后，对所述第一铝靶材坯料进行轧制以形成第二铝靶材坯料；将至少两个所述第二铝靶材坯料接触在一起；对接触在一起的所述第二铝靶材坯料同时进行第三热处理，以形成铝靶材。

【技术特征摘要】
1.一种铝靶材的制造方法，其特征在于，包括：
提供铝锭；
对所述铝锭进行第一热处理；
在所述第一热处理后，对所述铝锭进行锻打以形成第一铝靶材坯料；
对所述第一铝靶材坯料进行第二热处理；
在所述第二热处理后，对所述第一铝靶材坯料进行轧制以形成第二铝靶
材坯料；
将至少两个所述第二铝靶材坯料接触在一起；
对接触在一起的所述第二铝靶材坯料同时进行第三热处理，以形成铝靶
材。
2.如权利要求1所述的铝靶材的制造方法，其特征在于，所述第二铝靶材坯
料的形状呈长方体，所述长方体中面积最大的两个表面为主表面，其它表
面为侧面；将至少两个所述第二铝靶材坯料接触在一起的步骤包括：将相
邻两个所述第二铝靶材坯料中，第一个所述第二铝靶材坯料的其中一个所
述主表面与第二个所述第二铝靶材坯料的其中一个所述主表面至少部分叠
合在一起。
3.如权利要求2所述的铝靶材的制造方法，其特征在于，将全部所述第二铝
靶材坯料按阶梯错开式叠合，以使相互叠合的所述主表面至少有部分暴露
在外，并在每个所述第二铝靶材坯料的所述主表面连接一个热电偶。
4.如权利要求2所述的铝靶材的制造方法，其特征在于，将全部所述第二铝
靶材坯料按...

【专利技术属性】
技术研发人员：姚力军，潘杰，相原俊夫，大岩一彦，王学泽，吴旌，
申请(专利权)人：宁波江丰电子材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33