【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于压电陶瓷材料及其制法在不同的使用场合,对压电陶瓷材料的性能有不同的要求。在超声无损检测中,随着探测精度的不断提高,迫切要求探头能适应高频,高阻尼、高分辨率,小盲区的要求。从目前的材料性能来看,PZT材料虽有较高的灵敏度,但径向和厚度的耦合系数KP,Kt较为接近,机械Q值虽在100左右,但仍较高,PbTiO3材料(上田一朗等National Tech RePort.18(1972)413)虽然厚度耦合系数Kt比径向耦合系数大得多,但机械Q值却高达1000,PbNb2O5虽有厚度耦合系数大,介电常数低,Qm低(约11)等优点(Satoshi Nanamatsce etal.N.E.C Research & Development.27(1972).17),但压电常数d33值又较低,同时该材料的制造工艺又不易掌握,另外PSN虽是无损检测用的一种较好的材料,(L.Egerton and C.A Bieling Amer Ceram Soe Bull47(1968)1151),但需采用热压工艺,不但材料的成本高,又不便于批量生产。另外PZT陶瓷一般的Qm在80左右,W.Wersing经过努力也只将Qm降至20左右(W.Wersing.Low-QPZT Ceramics.Ferroelectrics 1980 Vo126,PP783~86)再降低就很困难了。本专利技术的目的就在于寻求一种新的材料,降低其径向耦合系数,介电常数,机械Q值,提高谐振阻抗、改善工艺条件,以适应这方面的要求。Pb(Li 1/4 Sb 3/4 )O3-PbTiO3-P ...
【技术保护点】
一种以锂锑酸铅,钛酸铅和锆酸铅所组成的压电陶瓷材料,其特征在于包含有0.05克分子的锂锑酸铅,0.46克分子的钛酸铅0.49克分子的锆酸铅三成份所组成的固溶体以及碳酸锶浓度为5%占用量4%的粘合剂制成低Qm值的压电陶瓷材料。
【技术特征摘要】
1.一种以锂锑酸铅,钛酸铅和锆酸铅所组成的压电陶瓷材料。其特征在于包含有0.05克分子的锂锑酸铅,0.46克分子的钛酸铅0.49克分子的锆酸铅三成份所组成的固溶体以及碳酸锶浓度为5%占用量4%的粘合剂制成低Qm值的压电陶瓷材料。2.按照权利要求1所说的压电陶瓷材料,其特征在于所说的Sr置换Pb的量...
【专利技术属性】
技术研发人员:刘永怀,
申请(专利权)人:中国科学院声学研究所,
类型:发明
国别省市:11[中国|北京]
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。