埋入磁铁型转子单元的制造方法及其制造装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供埋入磁铁型转子单元的制造方法以及埋入磁铁型转子的制造装置。通过向铁芯的插入孔填充磁铁材料来制造永久磁铁，能够对进入磁铁材料的磁通密度被铁芯本身的饱和磁通密度限制的情况进行抑制。在轴向(Da)上引导部件(40)与铁芯(22)对置配置。而且，使取向磁化器(30)与铁芯(22)以及引导部件(40)的径向对置，由取向磁化器(30)从径向对引导部件(40)以及铁芯(22)施加磁场。经由引导部件(40)的引导孔(42)向铁芯(22)的插入孔(24)填充磁铁材料，并由取向磁化器对通过引导孔(42)的磁铁材料施加磁场。

【技术实现步骤摘要】

本申请主张于2015年9月7日提出的日本专利申请2015-175968号的优先权，并在此引用包括说明书、附图以及说明书摘要的全部内容。本专利技术涉及制造埋入磁铁型转子单元的埋入磁铁型转子单元的制造方法、以及埋入磁铁型转子的制造装置，其中，埋入磁铁型转子单元具备具有多个插入孔的铁芯、以及埋入于该铁芯的各插入孔的永久磁铁，并且一个或者多个在上述铁芯的轴向上连结而构成转子。
技术介绍
日本特开2014-143906号公报中记载有埋入磁铁型转子的制造方法，在该方法中，使取向磁化器与铁芯的径向对置，从铁芯的径向施加磁场，同时向形成于铁芯的插入孔填充磁性成形材料(磁铁材料)。然而，在从磁化装置对铁芯施加磁场的情况下，经由铁芯而向填充于插入孔的磁铁材料进入的磁通密度依存于铁芯的饱和磁通密度。即，例如相比使铁芯的材料为电磁钢板的情况，在使铁芯的材料为坡明德合金(permendur)的情况下，进入磁铁材料的磁通密度变多。但是，在铁芯由坡明德合金构成的情况下，导致成本变高。
技术实现思路
本专利技术的目的之一在于提供埋入磁铁型转子单元的制造方法以及埋入磁铁型转子的制造装置，即：在通过向铁芯的插入孔填充磁铁材料来制造永久磁铁的技术中，能够对进入磁铁材料的磁通密度被铁芯本身的饱和磁通密度限制的情况进行抑制。1.本专利技术的一个方式是一种埋入磁铁型转子单元的制造方法，该埋入磁铁型转子单元具备具有多个插入孔的铁芯、以及埋入于该铁芯的各插入孔的永久磁铁，一个或者多个上述埋入磁铁型转子单元在上述铁芯的轴向上连结而构成转子，本制造方法的特征在于，包括：配置工序，将与上述铁芯的插入孔对应地形成有引导孔的引导部件配置为在上述铁芯的轴向上与上述铁芯邻接；以及填充工序，用取向磁化器沿上述引导部件的径向施加磁场，而在作为上述永久磁铁的材料的磁铁材料通过上述引导孔时，对通过该引导孔的磁铁材料施加磁场，并且将该磁铁材料填充于上述铁芯的插入孔，对于上述引导部件的构成从与上述取向磁化器对置的径向外侧到达上述引导孔后向上述径向外侧返回的磁路的部分而言，其饱和磁通密度比上述铁芯的饱和磁通密度高。上述方法中，当在被填充于插入孔之前磁铁材料通过引导孔时，用取向磁化器从引导部件的径向外侧施加的磁场经由引导部件施加于磁铁材料。此处，构成从取向磁化器出来而经由引导部件到达引导孔、并经由引导部件向取向磁化器返回的磁路的部分，其饱和磁通密度比铁芯的饱和磁通密度高。因此，与由取向磁化器从铁芯的径向施加磁场、而对插入孔内的磁铁材料施加磁场的情况比较，能够提高进入磁铁材料的磁通密度。因此，通过向铁芯的插入孔填充磁铁材料来制造永久磁铁的方法中，能够对进入磁铁材料的磁通密度被铁芯本身的饱和磁通密度限制的情况进行抑制。2.本专利技术的其它方式在上述方式的埋入磁铁型转子单元的制造方法中，上述引导部件具备饱和磁通密度比上述铁芯的饱和磁通密度高的高磁导率部，还具备磁导率比该高磁导率部的磁导率低的低磁导率部，在上述引导部件的轴向上的规定位置处与该轴向正交的上述引导部件的截面中，上述低磁导率部从上述引导部件的外周朝径向内侧延伸而到达上述引导孔。比引导孔靠径向外侧的区域能够构成从取向磁化器出来的磁通不通过引导孔就向取向磁化器返回的磁路即短路路径。此处，在上述规定位置的截面中，上述低磁导率部从引导部件的外周延伸至引导孔。因此，至少在规定位置的截面中，上述短路路径必定包括低磁导率部。因此，能够减少上述短路路径的磁通量。3.本专利技术的其它方式在上述方式的埋入磁铁型转子单元的制造方法中，上述引导部件除饱和磁通密度比上述铁芯的饱和磁通密度高的高磁导率部之外，还具备磁导率比该高磁导率部的磁导率低的低磁导率部，上述引导部件具有：第一截面，该第一截面为在上述引导部件的轴向上的第一位置处与该轴向正交的上述引导部件的截面，在该第一截面中，从上述引导部件的径向外侧进入到内侧的磁通直至到达上述引导孔为止无法回避上述低磁导率部；以及第二截面，该第二截面为在上述引导部件的轴向上的第二位置处与该轴向正交的上述引导部件的截面，在该第二截面中，从上述引导部件的径向外侧进入到内侧的磁通直至到达上述引导孔为止能够回避上述低磁导率部。上述方法中，对于从取向磁化器出来的磁通经由引导部件而到达引导孔内的磁铁材料之后经由引导部件向取向磁化器返回的磁路的磁阻而言，在上述第二截面中形成的磁路的磁阻比在上述第一截面中形成的磁路的磁阻小。因此，引导孔中磁通所通过的部分的大部分成为上述第二截面部分。因此，成为与在磁铁材料通过引导孔时断续地施加磁场的情况相同或者相似的状态。因此，能够使磁铁材料的磁粉容易移动，而能够提高取向率。并且，在上述2所记载的制造方法中的在引导部件的轴向上的规定位置处与该轴向正交的上述引导部件的截面包括上述第一截面的情况下，相比不设置第一截面的情况，能够提高在第二截面内通过磁铁材料的磁通密度。4.本专利技术的其它方式在上述方式的制造方法中，上述引导孔以随着接近上述铁芯而与上述引导部件的轴向正交的截面的面积缓缓扩大，而与该轴向正交的截面的形状变得与上述插入孔的截面形状相同的方式变化。上述方法中，由于以引导孔的截面积缓缓扩大而其截面形状变得与插入孔的截面形状相同的方式变化，所以随着从引导孔的上游侧向下游侧行进，磁铁材料在插入孔内缓缓地取向为所要求的取向方向。而且，在轴向的任意位置处的引导孔的截面形状以插入孔的形状统一的情况下，容易产生以使磁铁材料朝引导孔流动的路径的形状缓缓地变为与引导孔的截面形状相同的方式变化的要求。换言之，容易产生以使磁铁材料朝引导孔流动的路径的形状变为与插入孔的截面形状相同的方式变化的要求。而且，在该路径中施加磁场相比不施加磁场，能够提高磁化率以及取向率。但是，当在该路径中施加磁场的情况下，优选将该路径本身作为引导孔，并将划分该路径的部件作为引导部件。因此，上述结构中，通过对在与轴向正交的截面形状缓缓变大而变为与插入孔的截面形状相同为止的路径中通过的磁铁材料施加磁场，能够有效率地提高取向率、磁化率。5.本专利技术的其它方式在上述方式的埋入磁铁型转子单元的制造方法中，上述取向磁化器具备与上述铁芯在径向上对置的铁芯对置部，上述铁芯对置部沿径向对上述铁芯施加磁场。上述方法中，也由铁芯对置部对填充于铁芯的插入孔的磁铁材料施加磁场。因此，与不具备铁芯对置部的情况比较，能够提高永久磁铁的取向率和磁化率。6.本专利技术的其它方式在上述方式的埋入磁铁型转子单元的制造方法中，上述磁铁材料以注射成型的方式填充于上述插入孔。上述结构中，磁铁材料以具有流动性的状态经由引导孔填充于插入孔。而且，在具有流动性的状态下，磁粉容易位移，从而容易在引导孔内对齐易磁化方向。7.本专利技术的其它方式是具备上述方式的埋入磁铁型转子单元的制造方法中的上述取向磁化器以及上述引导部件的埋入磁铁型转子的制造装置。附图说明通过以下参照附图对本专利技术的优选实施方式进行的详细描述，本专利技术的上述以及其它特征、优点会变得更加清楚，其中，相同的附图标记表示相同的要素，其中：图1是一个实施方式的转子单元的立体图。图2是示出该实施方式的转子单元以及制造装置的立体图。图3是示出该实施方式的引导部件的引导孔的图。图4是图3的4-4剖视图。图5是图3的5-5剖视图。图6是图3的6-6剖视图。图7是图3的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种埋入磁铁型转子单元的制造方法，上述埋入磁铁型转子单元具备具有多个插入孔的铁芯、以及埋入于该铁芯的各插入孔的永久磁铁，一个或者多个上述埋入磁铁型转子单元在上述铁芯的轴向上连结而构成转子，上述埋入磁铁型转子单元的制造方法的特征在于，包括:配置工序，将与上述铁芯的插入孔对应地形成有引导孔的引导部件配置为在上述铁芯的轴向上与上述铁芯邻接；以及填充工序，用取向磁化器沿上述引导部件的径向施加磁场，而在作为上述永久磁铁的材料的磁铁材料通过上述引导孔时，对通过该引导孔的磁铁材料施加磁场，并且将该磁铁材料填充于上述铁芯的插入孔，对于上述引导部件的构成从与上述取向磁化器对置的径向外侧到达上述引导孔后向上述径向外侧返回的磁路的部分而言，其饱和磁通密度比上述铁芯的饱和磁通密度高。

【技术特征摘要】
2015.09.07 JP 2015-1759681.一种埋入磁铁型转子单元的制造方法，上述埋入磁铁型转子单元具备具有多个插入孔的铁芯、以及埋入于该铁芯的各插入孔的永久磁铁，一个或者多个上述埋入磁铁型转子单元在上述铁芯的轴向上连结而构成转子，上述埋入磁铁型转子单元的制造方法的特征在于，包括:配置工序，将与上述铁芯的插入孔对应地形成有引导孔的引导部件配置为在上述铁芯的轴向上与上述铁芯邻接；以及填充工序，用取向磁化器沿上述引导部件的径向施加磁场，而在作为上述永久磁铁的材料的磁铁材料通过上述引导孔时，对通过该引导孔的磁铁材料施加磁场，并且将该磁铁材料填充于上述铁芯的插入孔，对于上述引导部件的构成从与上述取向磁化器对置的径向外侧到达上述引导孔后向上述径向外侧返回的磁路的部分而言，其饱和磁通密度比上述铁芯的饱和磁通密度高。2.根据权利要求1所述的埋入磁铁型转子单元的制造方法，其特征在于，上述引导部件具备饱和磁通密度比上述铁芯的饱和磁通密度高的高磁导率部，还具备磁导率比该高磁导率部的磁导率低的低磁导率部，在上述引导部件的轴向上的规定位置处与该轴向正交的上述引导部件的截面中，上述低磁导率部从上述引导部件的外周朝径向内侧延伸而到达上述引导孔。3.根据权利要求1或2所述的埋入磁铁型转子单元的制造方法，其特征在于，上述引...

【专利技术属性】
技术研发人员：柴田由之，
申请(专利权)人：株式会社捷太格特，
类型：发明
国别省市：日本;JP