一种上蜡机制造技术

本实用新型专利技术公开一种上蜡机，包括加工盘和加压装置，加工盘的平整度小于10微米，加压装置包括加压系统和加压板，加压系统和加压板之间设置电磁阀，加压板为分块式压块，具有实时监控晶片厚度和精确控制蜡层厚度的特点，实现晶片平整固定在加工盘上，利于后续晶片减薄工序的良好进行。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种上蜡机，特别涉及一种用于LED晶片减薄程序上蜡用上蜡机。
技术介绍
在LED晶片加工过程中，为利于晶片减薄工序的顺利进行，利用蜡加热后融化，冷却后凝固的特性，将晶片固定在陶瓷盘上，因晶片存在曲翘，背面成拱状凸起约160μm，故需通过施加一定压力，将其平整固定在加工盘上。现有加压流程为：上蜡机台通过调整电子加压阀来调整内置横膈膜的压力，横膈膜推动加压板及固定在加压板上的硅胶垫，从而对晶片施加压力，将晶片压平，因加压板为完整一块，存在以下问题：（1）局部硅胶垫出现渗蜡、形变或不平整，无法均一将力传递到晶片上，使晶片无法完全被压平，导致晶片在经过减薄加工及下蜡后出现局部偏薄的现象，造成损失；（2）当加工盘加工多片晶片时，因晶片本身厚度不一致或彼此厚度不一致，造成加压板倾斜，导致晶片固定在加工盘上发生倾斜，不利于减薄工序进行。
技术实现思路
本技术的目的在于克服现有技术的不足，提供一种上蜡机，具有实时监控晶片厚度和精确控制蜡层厚度的特点，实现晶片平整固定在加工盘上，利于后续减薄工序的良好进行。本技术解决其技术问题所采用的方案是：一种上蜡机，包括加工盘和加压装置，加工盘的平整度小于10微米，加压装置包括加压系统和加压板，加压系统和加压板之间设置电磁阀，加压板为分块式压块。压块呈几何分布，包含但不限于矩阵分布、圆形分布和离散分布，在上蜡加压过程中，多个压块均匀分布在晶片上，使压力均匀作用在晶片上，又可在后续当晶片出现放置不平、晶片自身厚度不一致或晶片彼此厚度不一致的时候通过控制系统实现局部加压或减压，实现精准控制蜡层厚度。加压系统的加压方式包含但不限于气压、液压和机械加压，通过设置在加压系统和加压板之间的电磁阀实现加压板对晶片的加压控制。对本技术进一步的改进是加工盘上安装着厚度侦测器，用于实时监控加工盘上晶片的厚度及蜡层厚度，自动向机台系统反馈当前加工盘上晶片的状态，使加压过程可控，实现实时监控晶片厚度和精确控制蜡层厚度。对本技术进一步的改进也可以是加压板上安装着厚度侦测器，用于实时监控加工盘上晶片的厚度及蜡层厚度，自动向机台系统反馈当前加工盘上晶片的状态，使加压过程可控，实现实时监控晶片厚度和精确控制蜡层厚度。厚度侦测器的侦测方式包含但不限于红外线、激光和超声波。厚度侦测器呈几何分布包含但不限于矩阵分布、圆形分布和离散分布，均匀分布在加工盘或加压板上，实现实时监控加工盘上晶片的厚度及蜡层厚度。对本技术再进一步的改进是加压装置包含控制系统，可统一或独立控制着压块，实现对晶片的整体加压和在后续当晶片出现放置不平、晶片自身厚度不一致或晶片彼此厚度不一致的时候通过控制系统实现局部加压或减压，实现精准控制蜡层厚度。控制系统包括输入端和控制端。输入端连接着厚度侦测器，厚度侦测器将实时监控的晶片厚度和蜡层厚度数据反馈到输入端激活控制系统，控制端连接着电磁阀，控制端接受控制系统发出的指令调控电磁阀实现对压块的独立压力控制，实现对晶片的局部加压或加压，实现精准控制蜡层厚度。本技术的有益效果是：1、本技术的上蜡机中加压板采用的是分块式的压块，压块呈几何分布，在上蜡加压过程中，多个压块均匀分布在晶片上，使压力均匀作用在晶片上，又可在后续当晶片出现放置不平、晶片自身厚度不一致或晶片彼此厚度不一致的时候通过控制系统实现局部加压或减压，实现精准控制蜡层厚度；2、本技术的上蜡机的进一步改进是在加工盘或加压板上安装厚度侦测器，用于实时监控加工盘上晶片的厚度及蜡层厚度，自动向机台系统反馈当前加工盘上晶片的状态，使加压过程可控，实现实时监控晶片厚度和精确控制蜡层厚度；3、本技术的上蜡机再进一步的改进是加压装置包含控制系统，可统一或独立控制着压块，实现对晶片的整体加压和在后续当晶片出现放置不平、晶片自身厚度不一致或晶片彼此厚度不一致的时候通过控制系统实现局部加压或减压，实现精准控制蜡层厚度。附图说明图1~图2为实施例1的上蜡机示意图；图3~图5为本技术的压块分布示意图；图6为实施例2的上蜡机示意图。图中标示：1、加压系统；2、加压板；3、加工盘；4、厚度侦测器。具体实施方式实施例1参看图1和图2一种上蜡机，包括加工盘3和加压装置，加工盘3的平整度小于10微米，加压装置包括加压系统1和加压板2，加压系统1和加压板2之间设置电磁阀，加压板2为分块式压块。压块呈矩阵分布，在上蜡加压过程中，多个压块均匀分布在晶片上，使压力均匀作用在晶片上，又可在后续当晶片出现放置不平、晶片自身厚度不一致或晶片彼此厚度不一致的时候通过控制系统实现局部加压或减压，实现精准控制蜡层厚度。加压系统1的加压方式是气压，通过设置在加压系统1和加压板2之间的电磁阀实现加压板2对晶片的加压控制。对本技术进一步的改进是加工盘3上安装着厚度侦测器4，用于实时监控加工盘3上晶片的厚度及蜡层厚度，自动向机台系统反馈当前加工盘3上晶片的状态，使加压过程可控，实现实时监控晶片厚度和精确控制蜡层厚度。厚度侦测器4的侦测方式是红外线。厚度侦测器4呈矩阵分布，均匀分布在加工盘3或加压板2上，实现实时监控加工盘3上晶片的厚度及蜡层厚度。对本技术再进一步的改进是加压装置包含控制系统，可统一或独立控制着压块，实现对晶片的整体加压和在后续当晶片出现放置不平、晶片自身厚度不一致或晶片彼此厚度不一致的时候通过控制系统实现局部加压或减压，实现精准控制蜡层厚度。控制系统包括输入端和控制端。输入端连接着厚度侦测器4，厚度侦测器4将实时监控的晶片厚度和蜡层厚度数据反馈到输入端激活控制系统，控制端连接着电磁阀，控制端接受控制系统发出的指令调控电磁阀实现对压块的独立压力控制，实现对晶片的局部加压或加压，实现精准控制蜡层厚度。实施例2一种上蜡机，包括加工盘3和加压装置，加工盘3的平整度小于10微米，加压装置包括加压系统1和加压板2，加压系统1和加压板2之间设置电磁阀，加压板2为分块式压块。压块呈圆形分布，在上蜡加压过程中，多个压块均匀分布在晶片上，使压力均匀作用在晶片上，又可在后续当晶片出现放置不平、晶片自身厚度不一致或晶片彼此厚度不一致的时候通过控制系统实现局部加压或减压，实现精准控制蜡层厚度。加压系统1的加压方式液压，通过设置在加压系统1和加压板2之间的电磁阀实现加压板2对晶片的加压控制。对本技术进一步的改进是加工盘3上安装着厚度侦测器4，用于实时监控加工盘3上晶片的厚度及蜡层厚度，自动向机台系统反馈当前加工盘3上晶片的状态，使加压过程可控，实现实时监控晶片厚度和精确控制蜡层厚度。厚度侦测器4的侦测方式是激光。厚度侦测器4呈圆形分布，均匀分布在加工盘3或加压板2上，实现实时监控加工盘3上晶片的厚度及蜡层厚度。对本技术再进一步的改进是加压装置包含控制系统，可统一或独立控制着压块，实现对晶片的整体加压和在后续当晶片出现放置不平、晶片自身厚度不一致或晶片彼此厚度不一致的时候通过控制系统实现局部加压或减压，实现精准控制蜡层厚度。控制系统包括输入端和控制端。输入端连接着厚度侦测器4，厚度侦测器4将实时监控的晶片厚度和蜡层厚度数据反馈到输入端激活控制系统，控制端连接着电磁阀，控制端接受控制系统发出的指令调控电磁阀实现对压块的独立压力控制，实现对晶片的局部本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种上蜡机，包括加工盘和加压装置，加工盘的平整度小于10微米，加压装置包括加压系统和加压板，加压系统和加压板之间设置电磁阀，其特征在于，所述的加压板为分块式压块。

【技术特征摘要】
1.一种上蜡机，包括加工盘和加压装置，加工盘的平整度小于10微米，加压装置包括加压系统和加压板，加压系统和加压板之间设置电磁阀，其特征在于，所述的加压板为分块式压块。2.根据权利要求1所述的上蜡机，其特征在于，所述的压块呈几何分布包含但不限于矩阵分布、圆形分布和离散分布。3.根据权利要求2所述的上蜡机，其特征在于，所述的加压系统的加压方式包含但不限于气压、液压和机械加压。4.根据权利要求1所述的上蜡机，其特征在于，所述的加工盘上安装着厚度侦测器。5.根据权利要求1所述的上蜡机，其特征在于，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：张荣钟，邓有财，林旭明，林宗民，邱树添，
申请(专利权)人：厦门三安光电有限公司，
类型：新型
国别省市：福建;35