反应结合氮化硅体浸渍工艺制造技术

技术编号:1484442 阅读:206 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术提出一种反应结合氮化硅体浸渍工艺。使用化学强化方法,采用含二氧化硅或氧化铝的液态物质浸渍常规反应结合氮化硅体,将填充物引到多孔的氮化硅中,经碱解、干燥、煅烧处理后,即可提高反应结合氮化硅抗液体渗漏压力达10kg/cm↑[2]、硬度提高至HRA88,从而扩大了反应结合氮化硅的使用面,特别是在耐磨、防腐蚀、高尺寸精度的液态密封领域获得广泛应用。(*该技术在2010年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种陶瓷的后处理工艺,特别是反应结合氮化硅陶瓷浸渍工艺。欧美、日本等国于60年代已开始研制单把调温水咀,80年代后期才开始投放市场。该水咀的研制关键在于阀片,对于作开启关闭反复动作而要保持具有完好密封性及冷热水反复冲击性的动静阀片付,要求所选用的材料必须具有较高的硬度和强度、低的摩擦系数及高抗温度急变能力、抗老化和腐蚀能力等。目前,国、内外多采用95%~97%以上的氧化铝陶瓷材料制作阀片(建材技术-《陶瓷》一九八七年第五期总第六十九期)。采用高含量的氧化铝陶瓷作阀片、虽然基本上能满足上述要求,但是,氧化铝质陶瓷决定了它必须是液相烧结工艺,烧成过程中会带来较大的收缩及不易克服的变形(收缩率≥14%),特别是对于尺寸精度要求较高的产品,使之成品率下降。要保持合格率,就必须加大产品尺寸,采用研磨加工多余部分,从而极大地增加产品成本。常规反应结合氮化硅制作工艺为高纯硅粉及外加剂混料成混合料或浆料,再成型坯体并在纯N2中烧结成氮化硅体。采用此工艺制成的阀片,虽然烧结后几乎无收缩,但是,在较高压力下(>1kg/cm2),液体会通过氮化硅体内穿透气孔而渗漏出来。因密封性能较差,所以,在这个领域内至今未能使用。本专利技术的目的是提出一种制作陶瓷阀片的反应结合氮化硅浸渍工艺,以便提高反应结合氮化硅的抗液体渗漏性和硬度。本专利技术是这样实现的,将常规反应结合氮化硅工艺制成的氮化硅体浸渍在含氧化硅(SiO2)或含氧化铝(Al2O3)的液态有机物质中,经过碱解,干燥后,在含氮气氛中或空气中进行煅烧。本专利技术提供的工艺、使常规反应结合氮化硅的抗液体的压力由1kg/cm2左右提高到>10kg/cm2。硬度由HRA80左右提高到HRA88左右。与国内现有工艺生产的95Al2O3相比较,其耐磨性能、抗热震性能及尺寸精度都有明显提高并且成本下降30%。将本专利技术制作的阀片装在仿瑞士KWO制造的水咀中,通过>10kg/cm2的水压试验,不仅能满足各项性能要求,并且成本仅为KWC阀片的30%。本专利技术不仅适用于制造单把调温水咀阀片,而且适用于制造任何需高压耐磨、防腐蚀、高尺寸精度的陶瓷材料密封装置或部件。本专利技术将在下述实施例中作更清楚地说明。将常规反应结合氮化硅阀片,用正硅酸乙脂或异丙醇铝水溶液作浸渍液并在真空容器中浸渍30~45分钟,以便将填充物引到多孔的反应结合氮化硅中。然后放商售的氨水中进行碱解8-12小时,实质上为水解,氨仅作为催化剂使水解迅速彻底,其反应式为碱解后,将正硅酸乙酯水溶液浸渍的氮化硅体在≤155℃干燥24-60小时或将异丙醇铝水溶液浸渍的氮化硅体在≤125℃干燥12-24小时,以便将氮化硅体中的可挥发物,包括多余的水排除掉。干燥之后即可进行煅烧,煅烧是在氨气或空气中进行,在氮气或氨气中加热至≤1350℃并保温24小时则可促成Si3N4和SiO2或赛隆(SiAlON)填充氮化硅(Si3N4)在空气中加热至≤1000℃并保温2小时,则生成SiO2或Al2O3填充Si3N4。权利要求1.一种反应结合氮化硅体浸渍工艺,其特征在于将常规反应结合氮化硅体浸渍在含氧化硅或氧化铝的液态有机物质中,经碱解,干燥后,在含氮气氛中或空气中进行煅烧。2.根据权利要求1所述的氮化硅体浸渍工艺,其特征在于用正硅酸乙脂或异丙醇铝水溶液作浸渍液、浸渍时间为30~45分钟。3.根据权利要求1所述的氮化硅体浸渍工艺,其特征在于用氨水作催化剂进行碱解8-12小时。4.根据权利要求1、2所述的氮化硅体浸渍工艺,其特征在于用正硅酸乙酯或异丙醇铝水溶液浸渍的氮化硅体分别于≤155℃、干燥24-60小时,≤125℃、干燥12-24小时。5.根据权利要求1所述的氮化硅体浸渍工艺,其特征在于含氮气氛中煅烧至≤1350℃并保温24小时或空气中煅烧至≤1000℃并保温2小时。全文摘要本专利技术提出一种反应结合氮化硅体浸渍工艺。使用化学强化方法,采用含二氧化硅或氧化铝的液态物质浸渍常规反应结合氮化硅体,将填充物引到多孔的氮化硅中,经碱解、干燥、煅烧处理后,即可提高反应结合氮化硅抗液体渗漏压力达10kg/cm文档编号C04B41/82GK1057251SQ9010425公开日1991年12月25日 申请日期1990年6月8日 优先权日1990年6月8日专利技术者吴树芳 申请人:国家建筑材料工业局咸阳陶瓷研究设计院本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种反应结合氮化硅体浸渍工艺,其特征在于将常规反应结合氮化硅体浸渍在含氧化硅或氧化铝的液态有机物质中,经碱解,干燥后,在含氮气氛中或空气中进行煅烧。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:吴树芳
申请(专利权)人:国家建筑材料工业局咸阳陶瓷研究设计院
类型:发明
国别省市:61[中国|陕西]

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