【技术实现步骤摘要】
本技术涉及陶瓷电容器生产领域,特别是一种高压陶瓷电容器瓷介质芯片成型用冲压模具。
技术介绍
传统的分立元件—陶瓷电容器以圆片形为主,这种结构成型简单、工艺成熟、操作简便,便于批量化、规模化生产。但是对于高压陶瓷电容器来说,主要考虑的是耐压强度和标称电容器尽可能高。而这两者之间,恰恰是相互矛盾的。同等条件下:介质越薄,电容量越大,耐压强度越低,反之亦然。传统的圆盘式陶瓷电容器体积相对大,不利于电力器件的组装。另外,陶瓷电容器成型时,容易产生毛刺或裂纹。后续绝缘涂覆时,当在相同涂覆下,由于毛刺或裂纹的存在,将使得陶瓷电容器的绝缘厚度差异大,也使得陶瓷电容器的耐压强度降低。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题是针对上述现有技术的不足,而提供一种高压陶瓷电容器瓷介质芯片成型用冲压模具,该高压陶瓷电容器瓷介质芯片成型用冲压模具能自动冲压高压陶瓷电容器瓷介质芯片,冲压效率高,成型好,所冲压出的瓷介质芯片体积小,电容量大且不易产生裂纹或毛刺,耐压强度高。为解决上述技术问题,本技术采用的技术方案是:一种高压陶瓷电容器瓷介质芯片成型用冲压模具,瓷介质芯片包括同轴设置的圆盘凹部和圆环凸部,圆盘凹部位于圆环凸部的内部,圆环凸部的厚度为圆盘凹部厚度1.2~3倍,圆盘凹部的直径为瓷介质芯片的2/3~4/5;圆盘凹部和圆环凸部的交接处设置有圆弧,瓷介质芯片为整体压制成型。冲压模具包括同轴设置的上模和下模,上模的高度能够升降。上模上设置有圆环上凹部和向下凸起的圆盘上凸部;下模上设置有圆环下凹部和向上凸起的圆盘下凸部。圆盘上凸部和圆盘下凸部均与瓷介质芯片的圆盘凹部相对应;圆环上凹部和圆环下凹 ...
【技术保护点】
一种高压陶瓷电容器瓷介质芯片成型用冲压模具,其特征在于:瓷介质芯片包括同轴设置的圆盘凹部和圆环凸部,圆盘凹部位于圆环凸部的内部,圆环凸部的厚度为圆盘凹部厚度1.2~3倍,圆盘凹部的直径为瓷介质芯片的2/3~4/5;圆盘凹部的和圆环凸部的交接处设置有圆弧,瓷介质芯片为整体压制成型;冲压模具包括同轴设置的上模和下模,上模的高度能够升降;上模上设置有圆环上凹部和向下凸起的圆盘上凸部;下模上设置有圆环下凹部和向上凸起的圆盘下凸部;圆盘上凸部和圆盘下凸部均与瓷介质芯片的圆盘凹部相对应;圆环上凹部和圆环下凹部均与瓷介质芯片的圆环凸部相对应;圆环下凹部与圆盘下凸部的交接处、以及圆环上凹部和圆盘上凸部的交接处设置有与圆弧相对应的倒角;圆盘上凸部上设置有竖向槽,竖向槽的底部设置有相贯通的横向槽;竖向槽内设置有弹簧,横向槽内设置有卸料板;弹簧的一端固定在竖向槽内,弹簧的另一端与卸料板固定连接;当弹簧压缩时,卸料板的底部能与圆盘上凸部的底部相平齐;圆盘下凸部内设置有高度能够升降的顶料杆。
【技术特征摘要】
1.一种高压陶瓷电容器瓷介质芯片成型用冲压模具,其特征在于:瓷介质芯片包括同轴设置的圆盘凹部和圆环凸部,圆盘凹部位于圆环凸部的内部,圆环凸部的厚度为圆盘凹部厚度1.2~3倍,圆盘凹部的直径为瓷介质芯片的2/3~4/5;圆盘凹部的和圆环凸部的交接处设置有圆弧,瓷介质芯片为整体压制成型;冲压模具包括同轴设置的上模和下模,上模的高度能够升降;上模上设置有圆环上凹部和向下凸起的圆盘上凸部;下模上设置有圆环下凹部和向上凸起的圆盘下凸部;圆盘上凸部和圆盘下凸部均与瓷介质芯片的圆盘凹部相对应;圆环上凹部和圆环下凹部均与瓷介质芯片的圆环凸部相对应;圆环下凹部与圆盘下凸部的交接处、以及圆环上凹部和圆盘上凸部的交接处设置有与圆弧相对应的倒角;圆盘上凸部上设置有竖向槽,竖向槽的底部设置有相贯通的横向槽;竖向槽...
【专利技术属性】
技术研发人员:钱云春,
申请(专利权)人:苏州宏泉高压电容器有限公司,
类型:新型
国别省市:江苏;32
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