一种LED芯片的检测方法技术

本发明专利技术公开了一种LED芯片的检测方法，属于半导体技术领域。所述检测方法包括：提供若干LED芯片；对所述LED芯片进行光电参数测试，确定光电参数不良的所述LED芯片；对所述LED芯片的外观进行检测，确定外观不良的所述LED芯片；在光电参数不良的所述LED芯片和外观不良的所述LED芯片上点上UV胶；在若干所述LED芯片上放置一块玻璃板；透过所述玻璃板对所述UV胶进行曝光，点上UV胶的所述LED芯片粘附在所述玻璃板上；移开所述玻璃板，完成光电参数不良的所述LED芯片和外观不良的所述LED芯片的挑除。本发明专利技术可以大大减少了人工目检的工作量，极大地降低了人工、设备和时间成本，有效提高生产效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种LED芯片的检测方法。
技术介绍
发光二极管(英文：LightEmittingDiode，简称LED)是一种可以把电能转化成光能的半导体二极管。LED芯片是LED的核心组件。由于LED芯片采用批量生产，因此在制作出LED芯片之后，通常采用分选机从大量LED芯片中挑除不良芯片。在实现本专利技术的过程中，专利技术人发现现有技术至少存在以下问题：随着芯片越来越小，分选机受到抓取部件尺寸的限制，抓取不良芯片的难度越来越大，加上分选机无法识别外观不良(如残缺)的芯片等需要挑除的芯片，因此最后人工利用显微镜进行目检的时候，往往有大量芯片需要人为采用吸笔吸除，消耗了大量的人工、设备和时间成本，生产效率低下，而且还存在吸到良好芯片的问题，影响了产品良率。
技术实现思路
为了解决现有技术的问题，本专利技术实施例提供了一种LED芯片的检测方法。所述技术方案如下：本专利技术实施例提供了一种LED芯片的检测方法，所述检测方法包括：提供若干LED芯片；对所述LED芯片进行光电参数测试，确定光电参数不良的所述LED芯片；对所述LED芯片的外观进行检测，确定外观不良的所述LED芯片；在光电参数不良的所述LED芯片和外观不良的所述LED芯片上点上UV胶；在若干所述LED芯片上放置一块玻璃板；透过所述玻璃板对所述UV胶进行曝光，点上UV胶的所述LED芯片粘附在所述玻璃板上；移开所述玻璃板，完成光电参数不良的所述LED芯片和外观不良的所述LED芯片的挑除。在本专利技术实施例一种可能的实现方式中，所述在光电参数不良的所述LED芯片和外观不良的所述LED芯片上点上UV胶，包括：接收光电参数不良的所述LED芯片和外观不良的所述LED芯片的位置信息；基于所述位置信息在所述LED芯片上点上UV胶。在本专利技术实施例另一种可能的实现方式中，若干所述LED芯片粘附在同一张蓝膜上，各个所述LED芯片的间距大于0。可选地，所述检测方法还包括：在所述完成光电参数不良的所述LED芯片和外观不良的所述LED芯片的挑除之后，将所述蓝膜按照设定尺寸进行切割。优选地，所述检测方法还包括：对切割后的所述蓝膜上的所述LED芯片进行人工检测。进一步地，所述对所述LED芯片进行光电参数测试，确定光电参数不良的所述LED芯片，包括：使用光电参数测试仪对所述LED芯片进行光电参数测试，确定光电参数不良的所述LED芯片，并在确定的光电参数不良的所述LED芯片上点上墨水。在本专利技术实施例又一种可能的实现方式中，当所述LED芯片为AlGaInPLED芯片时，所述提供若干LED芯片，包括：在衬底上依次生长缓冲层、N型腐蚀停层、N型欧姆接触层、N型电流扩展层、N型限制层、有源层、P型限制层、P型电流扩展层、P型欧姆接触层；在所述P型欧姆接触层上形成金属反射层；将导电基板与所述金属反射层键合；去除所述N型腐蚀停层、所述缓冲层、以及所述衬底；在所述N型电流扩展层上设置N型电极，在所述导电基板上设置P型电极。可选地，所述检测方法还包括：在所述对所述LED芯片进行光电参数测试之前，在所述N型电流扩展层上开设延伸至所述金属反射层的切割道；在所述对所述LED芯片进行光电参数测试之后，沿所述切割道劈开所述导电基板，若干所述LED芯片相互独立。在本专利技术实施例又一种可能的实现方式中，当所述LED芯片为GaNLED芯片时，所述提供若干LED芯片，包括：在衬底上依次形成缓冲层、N型层、多量子阱层、P型层；在所述P型层上开设延伸至所述N型层的凹槽；在所述P型层上形成透明导电层；在所述透明导电层上设置P型电极，在所述N型层上设置N型电极。可选地，所述检测方法还包括：在所述对所述LED芯片进行光电参数测试之前，在所述N型层上形成延伸至所述衬底的切割道；沿所述切割道劈开所述衬底，若干所述LED芯片相互独立。本专利技术实施例提供的技术方案带来的有益效果是：通过在光电参数不良的LED芯片和外观不良的LED芯片上点上UV胶，再在所有LED芯片上一块玻璃板，并透过玻璃板对UV胶进行曝光，使光电参数不良的LED芯片和外观不良的LED芯片通过UV胶粘附在玻璃板上，只需移开玻璃板，即可实现光电参数不良的LED芯片和外观不良的LED芯片的挑除，大大减少了人工目检的工作量，极大地降低了人工、设备和时间成本，有效提高生产效率，效率可提升200％以上，而且可以避免人工吸笔吸除造成的吸到良好芯片而影响产品良率的问题，降低损失率。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是本专利技术实施例一提供的一种LED芯片的检测方法的流程图；图2是本专利技术实施例二提供的另一种LED芯片的检测方法的流程图；图3是本专利技术实施例三提供的又一种LED芯片的检测方法的流程图；图4是本专利技术实施例四提供的又一种LED芯片的检测方法的流程图。具体实施方式为使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本专利技术实施方式作进一步地详细描述。实施例一本专利技术实施例提供了一种LED芯片的检测方法，适用于所有类型的LED芯片的检测，参见图1，该检测方法包括：步骤101：提供若干LED芯片。步骤102：对LED芯片进行光电参数测试，确定光电参数不良的LED芯片。可选地，该步骤102可以包括：使用光电参数测试仪对LED芯片进行光电参数测试，确定光电参数不良的LED芯片，并在确定的光电参数不良的LED芯片上点上墨水，以方便人工检测时发现光电参数不良的LED芯片。在实际应用中，光电参数测试仪会测试LED芯片的光电参数，并将LED芯片的光电参数与设定的光电参数进行比较，若LED芯片的光电参数不符合设定的光电参数，则会记下LED芯片的位置信息。步骤103：对LED芯片的外观进行检测，确定外观不良的LED芯片。具体地，该步骤103可以包括：使用自动光学检测设备(英文：AutomaticOpticInspection，简称AOI)对LED芯片的外观进行检测，确定外观不良的LED芯片。在实际应用中，AOI会对LED芯片的外观进行检测，若LED芯片的外观不良，则会记下LED芯片的位置信息。步骤104：在光电参数不良的LED芯片和外观不良的LED芯片上点上紫外(英文：UltravioletRays，简称UV)胶。具体地，该步骤104可以包括：点胶机接收光电参数不良的LED芯片和外观不良的LED芯片的位置信息；点胶机基于位置信息在LED芯片上点上UV胶。在实际应用中，点胶机可以通过在光电参数测试仪或AOI上加装点胶装置实现，以降低实现成本。进一步地，点胶机可以自带空洞点胶功能，对于识别不到的芯片和没有测试数据的芯片进行点胶，方便处理无法识别的芯片、以及只起标识作用的芯片。需要说明的是，由于点胶是在芯片点上一个液滴，只要芯片的厚度一致，点胶效果即可保证，不会如分选机那样受到芯片表面粗糙度和芯片形状的影响。同时点胶量可以根据芯片大小控制，所以也不会如分选机那样无法处理小尺寸的芯片。步骤105：在若干LED芯片上放置一块玻璃板。步骤106：透过玻璃板对UV胶进行曝光，点上UV胶的LED芯本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种LED芯片的检测方法，其特征在于，所述检测方法包括：提供若干LED芯片；对所述LED芯片进行光电参数测试，确定光电参数不良的所述LED芯片；对所述LED芯片的外观进行检测，确定外观不良的所述LED芯片；在光电参数不良的所述LED芯片和外观不良的所述LED芯片上点上UV胶；在若干所述LED芯片上放置一块玻璃板；透过所述玻璃板对所述UV胶进行曝光，点上UV胶的所述LED芯片粘附在所述玻璃板上；移开所述玻璃板，完成光电参数不良的所述LED芯片和外观不良的所述LED芯片的挑除。

【技术特征摘要】
1.一种LED芯片的检测方法，其特征在于，所述检测方法包括：提供若干LED芯片；对所述LED芯片进行光电参数测试，确定光电参数不良的所述LED芯片；对所述LED芯片的外观进行检测，确定外观不良的所述LED芯片；在光电参数不良的所述LED芯片和外观不良的所述LED芯片上点上UV胶；在若干所述LED芯片上放置一块玻璃板；透过所述玻璃板对所述UV胶进行曝光，点上UV胶的所述LED芯片粘附在所述玻璃板上；移开所述玻璃板，完成光电参数不良的所述LED芯片和外观不良的所述LED芯片的挑除。2.根据权利要求1所述的检测方法，其特征在于，所述在光电参数不良的所述LED芯片和外观不良的所述LED芯片上点上UV胶，包括：接收光电参数不良的所述LED芯片和外观不良的所述LED芯片的位置信息；基于所述位置信息在所述LED芯片上点上UV胶。3.根据权利要求1或2所述的检测方法，其特征在于，若干所述LED芯片粘附在同一张蓝膜上，各个所述LED芯片的间距大于0。4.根据权利要求3所述的检测方法，其特征在于，所述检测方法还包括：在所述完成光电参数不良的所述LED芯片和外观不良的所述LED芯片的挑除之后，将所述蓝膜按照设定尺寸进行切割。5.根据权利要求4所述的检测方法，其特征在于，所述检测方法还包括：对切割后的所述蓝膜上的所述LED芯片进行人工检测。6.根据权利要求5所述的检测方法，其特征在于，所述对所述LED芯片进行光电参数测试，确定光电参数不良的所述LED芯片，包括：使用光电参数测试仪对所述LED芯片进行光电参数测试...

【专利技术属性】
技术研发人员：薛蕾，肖千宇，高本良，李浩然，徐正胤，常远，张少峰，薛飞飞，
申请(专利权)人：华灿光电浙江有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33