单晶硅片烘烤专用烤箱制造技术
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及单晶硅生产
，具体涉及一种单晶硅片烘烤专用烤箱。
技术介绍
硅片在清洗完后需要对其表面进行烘干作业，由于硅片厚度较薄，采用常规烤箱进行烘干极易因受热不均而造成裂片，同时在烘烤过程中也会出现各种脏污，如果不对烤箱结构进行专门设计脏污就会聚集在烤箱内，随着时间的积累烤箱变得越来越脏，烘烤后的硅片表面也不干净。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题在于克服现有的技术缺陷，提供一种单晶硅片烘烤专用烤箱。本技术所要解决的技术问题采用以下的技术方案来实现：一种单晶硅片烘烤专用烤箱，包括箱体，在所述箱体顶部设置有加热装置，所述加热装置内部为加热丝或者加热棒并与电源连接，加热装置上端有冷气进口，与冷气进口成对角线位置有热气出口，所述箱体两边分别为进气通道、排气通道，中空隔板将箱体分割成单独的隔层，加热装置下方的热气出口与进气通道连通，进气通道与中空隔板连通，在中空隔板下端面设置有出气孔，出气孔为圆形或者方形，紧密排列在中空隔板下端面，在隔层底部靠近排气通道处设置排气口，排气口与排气通道连通，排气通道上端为盲端，下端出口与排气装置连接。将待烤硅片置于箱体内的隔层中，气体从冷气进口进入加热装置，经加热装置后气体温度升高并从热气出口进入进气通道，再沿着中空隔板从出气孔进入到隔层，对隔层内的硅片进行加热，再从隔层底部的排气口进入排气通道，排出箱体，完成一个循环。该烤箱所用气体最好为纯氮气。进一步加热装置与控制器连接，所述控制器与电源连接，通过控制器控制加热丝或加热棒温度。本技术的有益效果为：通过使用经过加热的气体对硅片进行烘烤，使得硅片受热均匀，不会产生裂片，同时气体...
【技术保护点】
一种单晶硅片烘烤专用烤箱，包括箱体，其特征在于：所述箱体顶部设置有加热装置，加热装置上端有冷气进口，与冷气进口成对角线位置有热气出口，所述箱体两边分别为进气通道、排气通道，中空隔板将箱体分割成单独的隔层，加热装置下方的热气出口与所述进气通道连通，进气通道与中空隔板连通，在中空隔板下端面设置有出气孔，在隔层底部靠近排气通道处设置排气口，排气口与排气通道连通，排气通道上端为盲端，下端出口与排气装置连接。
【技术特征摘要】
1.一种单晶硅片烘烤专用烤箱，包括箱体，其特征在于：所述箱体顶部设置有加热装置，加热装置上端有冷气进口，与冷气进口成对角线位置有热气出口，所述箱体两边分别为进气通道、排气通道，中空隔板将箱体分割成单独的隔层，加热装置下方的热气出口与所述进气通道连通，进气通道与中空隔板连通，在中空隔板下端面设置有出气孔，在隔层底部靠近排气通道处设置排气口，排气口与排气通道连通，排气通道上端为盲端，下端出口与排气装置连接。...
【专利技术属性】
技术研发人员：吕凤岗，程林，曹来福，戴珍旭，胡正田，
申请(专利权)人：安徽正田能源科技有限公司，
类型：新型
国别省市：安徽;34
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