一种具有高带外抑制的X波段微带隔离器制造技术

本实用新型专利技术公开了一种具有高带外抑制的X波段微带隔离器，其包括接地载板和设置在接地载板上的铁氧体基片，铁氧体基片通过介质片安装有一作为磁偏置源激励的永磁体；铁氧体基片上设有微带隔离器电路，微带隔离器电路环绕在永磁体四周，微带隔离器电路连接有一电阻，位于微带隔离器电路外围的铁氧体基片上设有若干条用于对空间耦合的电磁能量进行吸收的耦合枝节线。该具有高带外抑制的X波段微带隔离器通过在隔离器电路的外围设置的若干条耦合枝节线，对通过空间耦合的电磁能量进行吸收从而改善了X波段微带隔离器的带外谐波抑制性能。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种隔离器，具体涉及一种具有高带外抑制的X波段微带隔离器。
技术介绍
随着微波通讯的迅速发展，微波电子设备的应用日趋广泛，同时，伴随着雷达技术的发展，人们针对现有技术中存在的环行器、隔离器，提出了更高的要求，目前，市场上出售的隔离器重点在于其工作频带内的指标，没有考虑到带外谐波抑制。然而，在国内外，就现有技术中的X波段微带隔离器而言，其应用领域的电磁环境日趋复杂，所以在其使用中会受到一定限制，目前较有效的方法是外接滤波器以提高带外谐波抑制。
技术实现思路
本技术的目的是提供一种具有高带外抑制的X波段微带隔离器，以解决现有技术中的X波段微带隔离器带外谐波抑制性能较差的问题。为解决上述技术问题，本技术提供一种具有高带外抑制的X波段微带隔离器，其包括接地载板和设置在接地载板上的铁氧体基片，铁氧体基片通过介质片安装有一作为磁偏置源激励的永磁体；铁氧体基片上设有微带隔离器电路，微带隔离器电路环绕在永磁体四周，微带隔离器电路连接有一电阻，位于微带隔离器电路外围的铁氧体基片上设有若干条用于对空间耦合的电磁能量进行吸收的耦合枝节线。进一步地，微带隔离器电路由中心谐振电路和与中心谐振电路相匹配的三条端口传输电路组成；相邻的端口传输电路之间呈120度，且其中一条端口传输电路与电阻连接。进一步地，电阻为50欧姆半圆电阻。进一步地，耦合枝节线的宽度为0.08mm~0.16mm。进一步地，耦合枝节线的长度为0.5mm~4mm。进一步地，介质片的材质为陶瓷。本技术的有益效果为：该具有高带外抑制的X波段微带隔离器整体具有体积小、可靠性高的特点；其通过在隔离器电路外围设置的若干条耦合枝节线，对通过空间耦合的电磁能量进行吸收，从而改善了X波段微带隔离器的带外谐波抑制性能，扩大了X波段微带隔离器的使用范围。附图说明图1为一种具有高带外抑制的X波段微带隔离器的结构示意图。图2为一种具有高带外抑制的X波段微带隔离器的侧视图。图3为一种具有高带外抑制的X波段微带隔离器的带内驻波、带内损耗及带内隔离的仿真示意图。图4为一种具有高带外抑制的X波段微带隔离器的带外损耗及带外隔离的仿真示意图。其中：1、接地载板；2、铁氧体基片；3、介质片；4、永磁体；5、微带隔离器电路；6、电阻；7、耦合枝节线；8、中心谐振电路；9、端口传输电路；10、带内隔离曲线；11、带内驻波曲线；12、带内损耗曲线；13、带外损耗曲线；14、带外驻波曲线。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本技术一种实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术的保护范围。为简单起见，该具体实施方式中省略了该领域技术人员所公知的技术常识。如图1所示，该具有高带外抑制的X波段微带隔离器包括接地载板1和设置在接地载板1上的铁氧体基片2；铁氧体基片2通过介质片3安装有一作为磁偏置源激励的永磁体4，用于装配介质和外磁场，优选介质片3的材质为陶瓷；同时铁氧体基片2上设有微带隔离器电路5，微带隔离器电路5环绕在谐振中心四周，且微带隔离器电路5连接有一电阻6，优选电阻6为欧姆半圆电阻6，保证了隔离器的正常工作。该具有高带外抑制的X波段微带隔离器的微带隔离器电路5由中心谐振电路8和与中心谐振电路8相匹配的三条端口传输电路9组成，相邻的端口传输电路9之间呈120度；在具体实施中，微带隔离器电路5是通过薄膜光刻技术或掩膜淀积法设置在铁氧体基片2上，且其中一条端口传输电路9与电阻6连接，整体具有体积小、可靠性高的优点。同时，位于微带隔离器电路5外围的铁氧体基片2上设有若干条耦合枝节线7，用于对空间耦合的电磁能量进行吸收，进而实现微带隔离器的带外谐波抑制功能，优选耦合枝节线7的宽度为0.08mm~0.16mm，耦合枝节线7的长度为0.5mm~4mm，在具体实施中，可根据耦合枝节线7所安装的空间区域的大小调节线长。如图2和图3所示，通过对该具有高带外抑制的X波段微带隔离器进行仿真，得出带内隔离曲线10、带内驻波曲线11、带内损耗曲线12、带外损耗曲线13、和带外驻波曲线14的仿真示意图，且通过图形分析可得：该具有高带外抑制的X波段微带隔离器的带内损耗小于0.5dB，带外二倍频区间的二次谐波抑制大于16dB，与现有技术中的带内损耗小于0.5dB，带外二倍频区间的二次谐波抑制大于10dB的X波段微带隔离器相比，该具有高带外抑制的X波段微带隔离器对带外谐波抑制性能有了较大的改善。综上所述，该具有高带外抑制的X波段微带隔离器通过在隔离器电路的外围设置的若干条耦合枝节线7，对通过空间耦合的电磁能量进行吸收从而改善了X波段微带隔离器的带外谐波抑制性能。对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本技术。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将使显而易见的，本文所定义的一般原理可以在不脱离技术的精神或范围的情况下，在其他实施例中实现。因此，本技术将不会被限制与本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖性特点相一致的最宽的范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具有高带外抑制的X波段微带隔离器，其特征在于：包括接地载板（1）和设置在所述接地载板（1）上的铁氧体基片（2），所述铁氧体基片（2）通过介质片（3）安装有一作为磁偏置源激励的永磁体（4）；所述铁氧体基片（2）上设有微带隔离器电路（5），所述微带隔离器电路（5）环绕在所述永磁体（4）四周，所述微带隔离器电路（5）连接有一电阻（6），位于所述微带隔离器电路（5）外围的铁氧体基片（2）上设有若干条用于对空间耦合的电磁能量进行吸收的耦合枝节线（7）。

【技术特征摘要】
1.一种具有高带外抑制的X波段微带隔离器，其特征在于：包括接地载板（1）和设置在所述接地载板（1）上的铁氧体基片（2），所述铁氧体基片（2）通过介质片（3）安装有一作为磁偏置源激励的永磁体（4）；所述铁氧体基片（2）上设有微带隔离器电路（5），所述微带隔离器电路（5）环绕在所述永磁体（4）四周，所述微带隔离器电路（5）连接有一电阻（6），位于所述微带隔离器电路（5）外围的铁氧体基片（2）上设有若干条用于对空间耦合的电磁能量进行吸收的耦合枝节线（7）。
2.根据权利要求1所述的具有高带外抑制的X波段微带隔离器，其特征在于：所述微带隔离器电路（5）由中心谐振电路（8）和与所述中心谐振电路（8）相匹配的三条...

【专利技术属性】
技术研发人员：伍晓荣，张王志，
申请(专利权)人：成都迈可维微波电子有限公司，
类型：新型
国别省市：四川;51