【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体集成电路
,尤其涉及一种多通道同步延时的延时控制装置。
技术介绍
在半导体集成电路领域中,延时控制电路是一种产生脉冲信号延时的电路,使输出信号相对输入信号延时一定的时间。在一些应用上要求两个或两个以上的不同通道的延时相同,如图1所示,为理想的两个不同通道的延时电路的时序图。通道1的时钟信号CKA延时一段时间TD0后形成延时时钟信号CKA_DLY,通道2的时钟信号CKB延时一段时间TD1后形成延时时钟信号CKB_DLY,这两个通道的延时相等,即TD0=TD1。再如图2所示,是现有的一种通用两级CMOS反相器实现的延时电路。作为一级近似,且忽略体效应,可以计算第一级反相器上升沿延时时间为:Tdhl=(Ln/(Kn*Wn*(Vgs-Vthn)))*Cload1其中Vthn是N沟晶体管的开启电压,与温度相关。Vgs与电源电压相关。Kn为NMOS的跨导系数,与工艺相关;Cload1为等效的寄生负载电容。计算第二级反相器上升沿延时时间为:Tdlh=(Lp/(Kp*Wp*(|Vgs-Vthp|)))*Cload2其中Vthp是P沟晶体管的开启电压,与温度相关。Vgs与电源电压相关。Kp为NMOS的跨导系数,与工艺相关;Cload2为等效的寄生负载电容。因此,总的延时时间为:Ttol=Tdhl+Tdlh=(Ln/(Kn*Wn*(Vgs-Vthn)))*Cload1+(Lp/(Kp*Wp*(|Vgs-Vthp|)))*Cload2从上面分析可以 ...
【技术保护点】
一种延时控制装置,其特征在于,包括信号产生单元,选择单元,第一延时单元、延时组和延时控制单元;所述延时组包括一个或多个第二延时单元;所述信号产生单元接收时钟信号,生成多个偏移所述时钟信号不同相位的参考时钟信号和与时钟信号同相位的同步时钟信号,输出所述参考时钟信号和同步时钟信号至所述选择单元;所述选择单元根据选择控制信号,从所述多个参考时钟信号中选择一个输出至所述延时控制单元;以及输出所述同步时钟信号至所述第一延时单元;所述延时控制单元接收所述参考时钟信号和第一延时单元输出的同步时钟信号或偏移时钟信号,比较参考时钟信号与偏移时钟信号之间的延时时间,相应生成延时控制信号,输出至所述第一延时单元和延时组内的第二延时单元;所述第一延时单元接收所述同步时钟信号和所述延时控制信号,根据所述延时控制信号,相应调整所述同步时钟信号的延时时间,输出延时同步时钟信号所述延时时间的偏移时钟信号至所述延时控制单元;所述第二延时单元接收脉冲信号,根据所述延时控制信号,相应调整所述脉冲信号的延时时间,输出与所述偏移时钟信号具有同样偏移量的偏移脉冲信号。
【技术特征摘要】
1.一种延时控制装置,其特征在于,包括信号产生单元,选择单元,第一延时单元、延时组和延时控制单元;所述延时组包括一个或多个第二延时单元;
所述信号产生单元接收时钟信号,生成多个偏移所述时钟信号不同相位的参考时钟信号和与时钟信号同相位的同步时钟信号,输出所述参考时钟信号和同步时钟信号至所述选择单元;
所述选择单元根据选择控制信号,从所述多个参考时钟信号中选择一个输出至所述延时控制单元;以及输出所述同步时钟信号至所述第一延时单元;
所述延时控制单元接收所述参考时钟信号和第一延时单元输出的同步时钟信号或偏移时钟信号,比较参考时钟信号与偏移时钟信号之间的延时时间,相应生成延时控制信号,输出至所述第一延时单元和延时组内的第二延时单元;
所述第一延时单元接收所述同步时钟信号和所述延时控制信号,根据所述延时控制信号,相应调整所述同步时钟信号的延时时间,输出延时同步时钟信号所述延时时间的偏移时钟信号至所述延时控制单元;
所述第二延时单元接收脉冲信号,根据所述延时控制信号,相应调整所述脉冲信号的延时时间,输出与所述偏移时钟信号具有同样偏移量的偏移脉冲信号。
2.如权利要求1所述的延时控制装置,其特征在于,所述延时控制信号为电流信号,所述第一延时单元和第二延时单元是电流控制型延时单元。
3.如权利要求2所述的延时控制装置,其特征在于,所述延时控制单元包括鉴相器,电荷泵和电压电流转换单元;所述鉴相器接收所述参考时钟信号和第一延时单元输出的同步时钟信号或偏移时钟信号,比较参考时钟信号与同步时钟信号或与偏移时钟信号之间的延时时间,输出相应的电压控制信号至所述电荷泵;
所述电荷泵根据所述电压控制信号,输出相应大小的电压信号;所述电压电流转换单元将所述电压信号转换成相应大小的电流信号,输出至所述第一延时单元和第二延时单元。
4.如权利要求1所述的延时控制装置,其特征在于,所述第一延时单元和第二延时单元的电路结构完全相同。
5.如权利...
【专利技术属性】
技术研发人员:刘敬波,王斌,石岭,
申请(专利权)人:深圳艾科创新微电子有限公司,
类型:发明
国别省市:广东;44
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