闪存的形成方法技术

一种闪存的形成方法。其中，所述闪存的形成方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括核心区域和周边区域；在所述半导体衬底中形成多个分立的浅沟槽隔离结构，相邻两个所述浅沟槽隔离结构之间为凹槽；在所述浅沟槽隔离结构两侧形成侧墙；在所述凹槽的底部形成隧穿介质层；在所述凹槽内形成填充满所述凹槽的浮栅，所述浮栅覆盖所述侧墙和所述隧穿介质层。所述形成方法形成的闪存可靠性提高。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造领域，尤其涉及一种闪存的形成方法。
技术介绍
快闪存储器(Flash)，又称为闪存，已经成为非挥发性存储器的主流。根据结构不同，闪存可分为或非闪存(NORFlash)和与非闪存(NANDFlash)两种。或非闪存因为读取速度快，适合于手机或主板等需要记录系统编码的应用。而与非闪存因为高密度及高写入速度，特别适合多媒体资料存储。闪存另一种分类方式可分为浮栅结构闪存(floatinggateFlash)和电荷能陷存储结构闪存(CTF，charge-trappingFlash)两类。对于浮栅结构闪存，由于浮栅的存在，使闪存可以完成信息的读、写、擦除，即便在没有电源供给的情况下，浮栅的存在可以保持存储数据的完整性。然而，现有闪存的形成方法所形成的闪存存在可靠性问题。
技术实现思路
本专利技术解决的问题是提供一种闪存的形成方法，以提高闪存的可靠性。为解决上述问题，本专利技术提供一种闪存的形成方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底中形成多个分立的浅沟槽隔离结构，相邻两个所述浅沟槽隔离结构之间为凹槽；在所述浅沟槽隔离结构两侧形成侧墙；在所述凹槽的底部形成隧穿介质层；在所述凹槽内形成填充满所述凹槽的浮栅，所述浮栅覆盖所述侧墙和所述隧穿介质层。可选的，所述侧墙的厚度范围为可选的，在所述浅沟槽隔离结构两侧形成所述侧墙后，且在形成所述隧穿介质层前，还包括对所述凹槽的清洗步骤。可选的，形成所述侧墙包括以下步骤：所述凹槽的底部和侧壁以及所述浅沟槽隔离结构上表面形成侧墙材料层；采用干法刻蚀工艺回刻蚀所述侧墙材料层，剩余位于凹槽侧壁的所述侧墙材料层保留为所述侧墙。可选的，所述侧墙材料层的材料为多晶硅。可选的，在形成所述凹槽后，且在形成所述隧穿介质层前，还包括：所述半导体衬底包括核心区域和周边区域，在所述核心区域和所述周边区域的所述半导体衬底上形成第一栅介质层；去除位于所述核心区域中的第一栅介质层。可选的，在形成所述第一栅介质层前，还包括对所述半导体衬底进行清洗的步骤。可选的，在形成所述第一栅介质层和形成所述隧穿介质层过程中，同时氧化所述侧墙。可选的，在形成所述第一栅介质层或形成所述隧穿介质层过程中，同时氧化所述侧墙。可选的，在形成所述隧穿介质层后，采用炉管氧化工艺氧化所述侧墙。与现有技术相比，本专利技术的技术方案具有以下优点：本专利技术的技术方案中，在形成浅沟槽隔离结构之后，在浅沟槽隔离结构两侧形成侧墙，侧墙可以在后续的多个清洗和刻蚀步骤中保护浅沟槽隔离结构，从而防止凹槽的形貌发生不利的变化，从而保证后续形成的浮栅易于填充在凹槽中，并且防止所形成的浮栅内部出现空洞，从而提高所形成的闪存的可靠性。进一步，侧墙的厚度范围可以为侧墙需要具有一定的厚度，以起到相应的保护作用。为此，设置侧墙的厚度在以上，以满足在后续相应工艺过程起到保护浅沟槽隔离结构的作用。然而，如果侧墙的厚度太大，会造成凹槽的宽度太小，不利于后续浮栅填充在凹槽中。因此，需要将侧墙的厚度控制在以下，从而保证后续浮栅能够较好地填充在凹槽中，并且防止浮栅内部出现空洞。附图说明图1至图2是现有闪存的形成方法各步骤对应结构示意图；图3至图10是本专利技术实施例所提供的闪存的形成方法各步骤对应结构示意图。具体实施方式正如
技术介绍
所述，现有闪存的形成方法易造成浮栅内部存在空洞，从而影响闪存的可靠性。图1至图2示出了现有闪存的形成方法各步骤对应结构示意图。请参考图1，提供半导体衬底100，所述半导体衬底100包括核心区域和周边区域，图1仅显示了半导体衬底100的核心区域，周边区域未示出。在半导体衬底100中形成多个分立的浅沟槽隔离结构101，相邻两个所述浅沟槽隔离结构101之间为凹槽1011。请继续参考图1，在所述凹槽1011的底部形成隧穿介质层102。请参考图2，在凹槽1011内形成填充满所述凹槽1011的浮栅103，所述浮栅103覆盖隧穿介质层102。然而，由于图1中的凹槽1011经历了隧穿介质层102形成前的清洗工艺，并且通常还经历高压栅介质层(未示出)的形成和去除工艺，即：在形成位于周边区域的高压栅介质层时，通常会在图1所示的核心区域的半导体衬底100表面同时形成高压栅介质层，然后再重新去除核心区域上的高压栅介质层，保留位于周边区域的高压栅介质层。所述高压栅介质层的形成和去除工艺会进一步对凹槽1011侧壁的浅沟槽隔离结构101造成损伤，从而形成倒锥形的浅沟槽隔离结构101顶部，如图2中虚线框104包围部分所示，亦即此时凹槽的侧壁向两侧凹陷。这种具有凹陷侧壁的凹槽不利于后续浮栅103的填充，由于浮栅材料层需要先填充相应的凹陷，因此在浮栅103填充所述凹槽后，浮栅103的内部极易出现空洞105，如图2所示。而一旦浮栅103内部出现空洞105，就容易导致相邻浮栅之间的串扰或者浮栅出现漏电流现象，降低了闪存的可靠性。为此，本专利技术提供一种新闪存的形成方法，所述方法在形成浅沟槽隔离结构之后，在相邻浅沟槽隔离结构侧壁形成侧墙，侧墙可以在后续的多个清洗和刻蚀步骤中保护浅沟槽隔离结构，从而防止凹槽的形貌发生不利的变化，从而保证后续形成的浮栅易于填充在凹槽中，并且防止所形成的浮栅内部出现空洞，从而防止相邻浮栅之间的串扰或者浮栅出现漏电流现象，从而提高所形成的闪存的可靠性。为使本专利技术的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本专利技术的具体实施例做详细的说明。本专利技术实施例提供一种闪存的形成方法，请结合参考图3至图10。请参考图3，提供半导体衬底200，半导体衬底200包括核心区域和周边区域。图3仅显示了半导体衬底200的核心区域，周边区域未示出。在半导体衬底200中形成多个分立的浅沟槽隔离结构201，相邻两个浅沟槽隔离结构201之间为凹槽2021。本实施例中，半导体衬底200为硅衬底。在本专利技术的其它实施例中，半导体衬底200也可以为锗硅衬底、Ⅲ-Ⅴ族元素化合物衬底、碳化硅衬底或其叠层结构衬底，或绝缘体上硅衬底，还可以是本领域技术人员公知的其他合适的半导体材料衬底。本实施例中，浅沟槽隔离结构201的顶部高于半导体衬底200，或者说，将浅沟槽隔离结构201中高出半导体衬底200约以上的部分称为浅沟槽隔离结构201的顶部。本实施例中，形成各浅沟槽隔离结构201的形成过程可以为：在半本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种闪存的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底中形成多个分立的浅沟槽隔离结构，相邻两个所述浅沟槽隔离结构之间为凹槽；在所述浅沟槽隔离结构两侧形成侧墙；在所述凹槽的底部形成隧穿介质层；在所述凹槽内形成填充满所述凹槽的浮栅，所述浮栅覆盖所述侧墙和所述隧穿介质层。

【技术特征摘要】
1.一种闪存的形成方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底；
在所述半导体衬底中形成多个分立的浅沟槽隔离结构，相邻两个所述浅
沟槽隔离结构之间为凹槽；
在所述浅沟槽隔离结构两侧形成侧墙；
在所述凹槽的底部形成隧穿介质层；
在所述凹槽内形成填充满所述凹槽的浮栅，所述浮栅覆盖所述侧墙和所
述隧穿介质层。
2.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述侧墙的厚度范围为
3.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，在所述浅沟槽隔离结构两侧
形成所述侧墙后，且在形成所述隧穿介质层前，还包括对所述凹槽的清洗
步骤。
4.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，形成所述侧墙包括以下步骤：
所述凹槽的底部和侧壁以及所述浅沟槽隔离结构上表面形成侧墙材料
层；
采用干法刻蚀工艺回刻蚀所述侧墙材料层，剩余位于凹槽侧壁的所述侧
墙材料层保留为所述侧墙。
5.如权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈建奇，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31