一种3D内存芯片制造技术

本发明专利技术公开了一种3D内存芯片，基于3D-SIC技术将MRAM和DRAM混合使用，构成3D结构的内存芯片，其包括N个层叠的MRAM芯片，N为正整数；M个层叠的DRAM芯片，M为非负整数；其中，所述MRAM芯片和所述DRAM芯片沿同一方向层叠设置；所述MRAM芯片和所述DRAM芯片均采用DDRDRAM接口标准；所有所述MRAM芯片和所有所述DRAM芯片中相同的引线管脚通过过硅通孔电连接至同一个封装引脚。在此基础上，又提供了一种能够有效控制片选信号线数量的多芯片选通机制。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体存储器，尤其涉及一种3D内存芯片。
技术介绍
现行的计算机架构中，软件和用户数据存储在硬盘(HD)或者新式的固态硬盘(SSD，使用闪存NANDFlash作为存储介质)中。后者通过SATA、PCIe等串行接口与计算机主板连接。计算任务则在CPU和内存(如DRAM)之间进行，二者之间的通过标准接口协议(如DDR协议)进行通信。封装后的内存芯片一般贴片安装在主板上，或者是组合成内存条插在主板上设置的相应插槽内。随着计算机应用技术的迅猛发展，对于内存性能和容量的需求也与日俱增。目前一种新型的内存——磁性随机存储器(MRAM，MagneticRandomAccessMemory)正在吸引人们的目光。它拥有静态随机存储器(SRAM)的高速读取写入能力，以及动态随机存储器(DRAM)的高集成度，而且还可以像Flash闪存一样在断电后永久保留数据。同时，它的功耗在各种内存和存储器件中最优，待机功耗显著优于需要不断刷新的DRAM，写入功耗与Flash相比同样也是优势巨大。而且MRAM不像DRAM以及Flash那样与标准CMOS半导体工艺不兼容，其可以很容易地与逻辑电路集成在一个芯片中。为此这种高速内存已经被视为DRAM内存的接班人。但是在相当长的一段时间内，MRAM的成本还是会显著高于DRAM，为兼具性能和成本的角度考虑，未来的一段时期内会出现MRAM和DRAM混合应用的情况，相应的系统架构如图1所示。而这样的架构带来了以下问题：1、主板上需要同时设置MRAM和DRAM的安装位置，这就会占用更多的主板面积，阻碍了智能设备便携化和小型化的发展。2、现行的内存接口，如DDR接口，在主板上的走线非常繁琐，更多的内存芯片使得主板设计难度加大。另一方面，当需要扩充内存时，鉴于现有产品中单片内存芯片或单条内存的容量上限，就必须增加新的内存到主板上，这就进一步扩大了对于主板面积的要求。一直以来单片内存芯片容量的扩大(相同面积时器件数量的增加，或是相同容量时芯片面积的缩小)主要依靠器件特征尺寸的缩小，但随着半导体工艺技术的发展瓶颈，已经无法单纯依赖特征尺寸的缩小来维持摩尔定律。一些新的方法被研究和开发以进一步提高器件的集成度，其中就包括3D堆叠集成电路(3D-SIC)，其是通过过硅通孔(TSV，ThroughSiliconVias)使多个堆叠的芯片实现互连。而在这种3D芯片结构中，各芯片的选通是一个需要解决的技术问题。中国专利200910134523.4(韩国优先权)公开了一种具有芯片选通电极的半导体封装和堆叠半导体封装，其中涉及多个堆叠的半导体芯片，每个芯片都使用一个选通电极实现对于相应芯片的选通功能，并且所有选通电极均通过TSV贯穿所有芯片。随着工艺技术的发展，可堆叠芯片的数量将不断增加，当采用这种方式进行选通时，TSV的数量也会随之增加。鉴于目前CMOS工艺线宽已经达到纳米级，而TSV的直径仍处于微米级，从而随着TSV数量增加，将造成芯片面积的大幅增加。现有的3D-DRAM标准，主要有海力士和AMD支持的HBM(HighBandwidthMemory)以及Intel支持、镁光/三星主导的HMC(HybridMemoryCube)联盟。它们均采用多片DRAM+BaseDie/LogicDie垂直堆叠封装的形式，Base/LogicDie是位于堆叠内存最底层的独立芯片，其用于管理堆叠内存，并与外部的内存管理器直接沟通。虽然增加BaseDie/LogicDie更有利于内存管理，但是同样增加了制造成本且不支持现有的内存接口协议(如DDR协议)。
技术实现思路
有鉴于现有技术的上述问题，本专利技术的设计思想是基于3D-SIC技术将MRAM和DRAM混合使用，构成3D结构的内存芯片，并且针对MRAM和/或DRAM数量的增加，设计了一种简单高效的选通机制，无需增加额外的内存管理芯片和多余的封装引脚，即可实现多芯片间的选择。本专利技术的3D内存芯片包括：N个层叠的MRAM芯片，N为正整数；M个层叠的DRAM芯片，M为非负整数；其中，所述MRAM芯片和所述DRAM芯片沿同一方向层叠设置，在本专利技术的实施例中示出的是垂直堆叠的芯片；所述MRAM芯片和所述DRAM芯片均采用DDRDRAM接口标准；所有所述MRAM芯片和所有所述DRAM芯片中相同的引线管脚通过过硅通孔电连接至同一个封装引脚，即每个芯片上相同定义的引线管脚通过一根导线(采用TSV实现)串联到其相应的封装引脚。进一步地，所述N个层叠的MRAM芯片的位置较所述M个层叠的DRAM芯片的位置更远离所述封装引脚。在本专利技术的实施例中所述M个层叠的DRAM芯片处于所述N个层叠的MRAM芯片的下方。进一步地，当M+N大于2X-1且小于或等于2X，X为正整数时，每个所述MRAM芯片和每个所述DRAM芯片内均设有X位地址标识，所述地址标识的每一位采用1或0表示，并且所有所述MRAM芯片和所有所述DRAM芯片的地址标识均各不相同。进一步地，所述地址标识通过eFuse(微电溶丝)技术进行配置。进一步地，每个所述MRAM芯片和每个所述DRAM芯片内均包括逻辑电路，所述逻辑电路用于将所述地址标识与其接收到的同样采用1或0表示的X位选通地址信号进行比较，当两者相同时，表示所述逻辑电路所在的芯片被选中。进一步地，当X为奇数时，所述选通地址信号通过(X+1)/2根信号线进行传输；当X为偶数时，所述选通地址信号通过X/2根信号线进行传输。进一步地，当片选信号(CS)被激活时，各所述MRAM芯片和各所述DRAM芯片接收所述选通地址信号。进一步地，所述3D内存芯片通过DDR接口直接与CPU连接，所述选通地址信号和所述片选信号由所述CPU发出。本专利技术还提出了一种采用上述3D内存芯片的3D芯片，所述3D芯片是使用所述3D内存芯片与主控芯片层叠，此时所述3D芯片通过过硅通孔与所述主控芯片实现接口连接，并且从所述主控芯片引出封装引脚，即是将主控芯片和内存芯片通过3D-SIC技术层叠设置，形成具有特定功能的3D芯片。本专利技术的3D内存芯片具有以下优点：1、将MRAM和DRAM混合使用，提高性能的同时也控制了成本；2、基于3D-SIC技术将MRAM和DRAM设置为3D架构，节省了主板面积，简化了主板设计，同时大大降低了内存扩容的压力，有利于产品的便携化和小型化；3、在不增加芯片面积的前提下，实现对于各芯片的选通，且结构简单，适用于大多本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种3D内存芯片，其特征在于，包括N个层叠的MRAM芯片，N为正整数；M个层叠的DRAM芯片，M为非负整数；其中，所述MRAM芯片和所述DRAM芯片沿同一方向层叠设置；所述MRAM芯片和所述DRAM芯片均采用DDR DRAM接口标准；所有所述MRAM芯片和所有所述DRAM芯片中相同的引线管脚通过过硅通孔电连接至同一个封装引脚。

【技术特征摘要】
1.一种3D内存芯片，其特征在于，包括
N个层叠的MRAM芯片，N为正整数；
M个层叠的DRAM芯片，M为非负整数；
其中，所述MRAM芯片和所述DRAM芯片沿同一方向层叠设置；所述
MRAM芯片和所述DRAM芯片均采用DDRDRAM接口标准；所有所述
MRAM芯片和所有所述DRAM芯片中相同的引线管脚通过过硅通孔电连接
至同一个封装引脚。
2.如权利要求1所述的3D内存芯片，其特征在于，所述N个层叠的MRAM
芯片的位置较所述M个层叠的DRAM芯片的位置更远离所述封装引脚。
3.如权利要求1所述的3D内存芯片，其特征在于，当M+N大于2X-1且小于
或等于2X，X为正整数时，每个所述MRAM芯片和每个所述DRAM芯片
内均设有X位地址标识，所述地址标识的每一位采用1或0表示，并且所有
所述MRAM芯片和所有所述DRAM芯片的地址标识均各不相同。
4.如权利要求3所述的3D内存芯片，其特征在于，所述地址标识通过eFuse
技术进行配置。
5.如权利要求3所述的3D内存芯片，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：戴瑾，
申请(专利权)人：上海磁宇信息科技有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31